130被形成在塑料殼體100的頂側(cè)110處。腔130對(duì)塑料殼體100的頂側(cè)110開放。橫向地，塑料殼體100的腔130通過(guò)周長(zhǎng)邊緣而被確定界限。在所圖示的實(shí)例中，腔130具有朝向頂側(cè)110錐形變寬的直徑。然而，腔130也可以不同地被實(shí)施。在垂直于圖1中的截面圖的橫向方向上，腔130可以例如以圓盤的形狀被實(shí)施。
[0023]第一引線框架部分200和第二引線框架部分300被嵌入到塑料殼體100的材料中。第一引線框架部分200和第二引線框架部分300在所有情況下都包括導(dǎo)電材料。舉例來(lái)說(shuō)，第一引線框架部分200和第二引線框架部分300可以包括金屬。第一引線框架部分200和第二引線框架部分300也可以共同地被稱為引線框架。第一引線框架部分200和第二引線框架部分300可以例如通過(guò)蝕刻或通過(guò)沖壓來(lái)制造。
[0024]第一引線框架部分200具有芯片著陸面210和焊接接觸面220，該焊接接觸面220與芯片著陸面210對(duì)置。第二引線框架部分300具有上部面310和與上部面310對(duì)置的下部面320。第一引線框架部分200的芯片著陸面210和焊接接觸面220以及第二引線框架部分300的上部面310和下部面320也在所有情況下至少不是完全地被塑料殼體100的材料覆蓋。在所圖示的實(shí)例中，芯片著陸面210和下部面310部分暴露。焊接接觸面220和下部面320完全暴露。第一引線框架部分200的焊接接觸面220和第二引線框架部分300的下部面320朝向塑料殼體100的底側(cè)120取向，并且與塑料殼體100的底側(cè)120齊平。第一引線框架部分200的芯片著陸面210和第二引線框架部分300的上部面310朝向塑料殼體100的腔130取向并且共同地形成腔130的底部面的部分。
[0025]優(yōu)選地，在塑料殼體100的保護(hù)期間，第一引線框架部分200和第二引線框架部分300已經(jīng)被嵌入到塑料殼體100的材料中。這例如可以通過(guò)第一引線框架部分200和第二引線框架部分300經(jīng)過(guò)在成型過(guò)程中用塑料殼體100的材料進(jìn)行成型而被封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0026]第一引線框架部分200的焊接接觸面220具有第一槽230。第一槽230被布置在焊接接觸面220的邊緣區(qū)域221中并且以環(huán)狀方式周向地圍住焊接接觸面220的中央?yún)^(qū)域222。第一槽230從焊接接觸面220的表面出發(fā)地具有深度231。垂直于第一槽230的縱向方向，第一槽230具有寬度232。深度231優(yōu)選地在1Mm到Imm之間，特別優(yōu)選地在50Pm到200Mm之間。尤其優(yōu)選地，第一槽230的深度231為近似lOOMm。第一槽230的寬度232同樣優(yōu)選地在1Mm到Imm之間，特別優(yōu)選地在75Pm到300Mm之間。尤其優(yōu)選地，第一槽230的寬度232為近似150Mm。第一槽230例如與焊接接觸面220的外部邊緣間隔了與第一槽230的寬度232的一倍到十倍相對(duì)應(yīng)的間距。第一槽230可以例如通過(guò)蝕刻、通過(guò)壓印或借助激光已被引入到焊接接觸面220中。第一引線框架部分200的焊接接觸面220的具有第一槽230的部分并未被塑料殼體100的材料覆蓋，使得也沒有塑料殼體100的材料被布置在第一槽230中。焊接接觸面220的中央?yún)^(qū)域222也并未被塑料殼體100的材料覆至
ΠΠ ο
[0027]第二引線框架部分300的下部面320具有第二槽330。第二槽330被布置在下部面320的邊緣區(qū)域中，但僅部分地圍住下部面320的中央?yún)^(qū)域。在所圖示的實(shí)例中，第二槽330圍繞下部面320的僅半個(gè)周長(zhǎng)延伸并且被布置在第二引線框架部分300的下部面320的面向第一引線框架部分200的芯片著陸面210的那側(cè)處。第二槽330的尺寸優(yōu)選地近似對(duì)應(yīng)于第一槽230的尺寸。第二槽330可以通過(guò)利用與針對(duì)第一槽230的方法相同的方法而已被創(chuàng)建。第二引線框架部分300的下部面320的具有第二槽330的那部分并未被塑料殼體100的材料覆蓋，使得也沒有塑料殼體100的材料被布置在第二槽330中。下部面320的中央?yún)^(qū)域也未被塑料殼體100的材料覆蓋。
[0028]也可能的是，第一槽230被實(shí)施為不完全閉合的環(huán)。第一槽230接著僅在焊接接觸面220的有限的斜剖面(angular sect1n)、例如半個(gè)周長(zhǎng)而圍繞焊接接觸面220的中央?yún)^(qū)域222延伸。同樣可能的是，以完全周向地圍繞下部面320的中央?yún)^(qū)域延伸的方式形成第二槽330。在某些情況下，第二槽330的設(shè)置也可以完全省去。
[0029]圖3示出了處于在時(shí)間上在圖1中的圖示之后的處理狀態(tài)下的塑料殼體100的示意性截面圖。在圖1和圖3的處理狀態(tài)之間，塑料殼體100已經(jīng)遭受機(jī)械負(fù)荷。所述機(jī)械負(fù)荷例如在去毛刺(deflash)過(guò)程、電解過(guò)程期間或在去毛刺期間可能已出現(xiàn)。
[0030]由于作用于塑料殼體100上的機(jī)械應(yīng)力，間隙140已出現(xiàn)在塑料材料100的材料和嵌入到塑料殼體100中的第一引線框架部分200之間，以及也出現(xiàn)在塑料殼體100的材料與嵌入到塑料殼體100中的第二引線框架部分300之間。間隙140從塑料殼體100的腔130沿著第一引線框架部分200和第二引線框架部分300延伸直至塑料殼體100的底側(cè)120。間隙140僅示意性地在圖3中圖示，并且不需要在任何情況下形成而且不需要沿著第一引線框架部分200和第二引線框架部分300的整個(gè)周長(zhǎng)形成。然而，在塑料殼體100的處理期間，原則上存在形成間隙140的風(fēng)險(xiǎn)。
[0031]圖4示出了處于在時(shí)間上在圖3中的圖示之后的處理狀態(tài)下的塑料殼體100的另一示意性截面圖。包括塑料殼體100的光電子器件10已通過(guò)進(jìn)一步的處理步驟形成。光電子器件10可以例如是發(fā)光二極管器件。
[0032]在時(shí)間上在圖3中的圖示之后的第一處理步驟中，光電子半導(dǎo)體芯片400曾被布置在第一引線框架部分200的芯片著陸面210上。光電子半導(dǎo)體芯片400可以例如是發(fā)光二極管芯片(LED芯片)。光電子半導(dǎo)體芯片400具有第一表面410和與第一表面410對(duì)置的第二表面420。第一表面410形成光電子半導(dǎo)體芯片400的福射發(fā)射面。
[0033]在所圖不的實(shí)例中，光電子半導(dǎo)體芯片400的第一表面410和第二表面420分別具有光電子半導(dǎo)體芯片400的電接觸面。第二表面420面向第一引線框架部分200的芯片著陸面210。光電子半導(dǎo)體芯片400的布置在第二表面420處的電接觸面導(dǎo)電地被連接到第一引線框架部分200的芯片著陸面210。光電子半導(dǎo)體芯片400的布置在光電子半導(dǎo)體芯片400的第一表面410處的電接觸面借助接合線430導(dǎo)電地被連接到第二引線框架部分300的上部面310。因此，經(jīng)由第一引線框架部分200的焊接接觸面220和第二引線框架部分300的下部面320可以與光電子半導(dǎo)體芯片400進(jìn)行電接觸，并且可以給光電子半導(dǎo)體芯片400施加電壓。
[0034]在將光電子半導(dǎo)體芯片400布置在芯片著陸面210上的過(guò)程之后，塑料殼體100的腔130被填充有灌封材料500。在這種情況下，布置在腔130中的光電子半導(dǎo)體芯片400和布置在腔130中的接合線430被嵌入到灌封材料500中。因此，灌封材料500帶來(lái)了對(duì)光電子半導(dǎo)體芯片400和接合線430的保護(hù)，以免遭由外部機(jī)械影響造成的損害。
[0035]灌封材料500優(yōu)選地包括硅樹脂。灌封材料500可以被實(shí)施為清澈的硅樹脂，該清澈的硅樹脂在光學(xué)上對(duì)于具有由光電子半導(dǎo)體芯片400發(fā)射波長(zhǎng)的電磁輻射大部分是透明的。灌封材料500附加地可以包括所嵌入的顆粒。舉例來(lái)說(shuō)，漫散射顆粒(例如1102顆粒)或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換顆?？梢员磺度氲焦喾獠牧?00中。灌封材料500接著用于散射由光電子半導(dǎo)體芯