光電子器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]在下文中提出一種根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的前序部分的光電子器件，其具有發(fā)射福射的或吸收輻射的層序列。
[0002]本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)102013105128.6的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過參考并入本文。
【背景技術(shù)】
[0003]光電子器件例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)或有機(jī)太陽(yáng)能電池通常具有薄膜封裝件，所述薄膜封裝件應(yīng)保護(hù)光電子器件的電極和發(fā)射輻射或吸收輻射的層序列免受濕氣和/或用于氧化的物質(zhì)、例如氧氣的影響。為了對(duì)薄膜封裝件進(jìn)行機(jī)械保護(hù)，通常將附加的例如能夠由玻璃構(gòu)成的覆蓋襯底層施加到薄膜封裝件上。在光電子器件受機(jī)械負(fù)荷的情況下，能夠造成覆蓋襯底層的脫層，由此能夠損壞薄膜封裝件并且有損光電子器件的工作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]特定實(shí)施方式的至少一個(gè)目的是，提出一種具有發(fā)射輻射的或吸收輻射的層序列的光電子器件，其中在特定的情況下較少或避免薄膜封裝件的損壞。所述目的通過具有獨(dú)立權(quán)利要求的特征的光電子器件來實(shí)現(xiàn)。主題的有利的實(shí)施方式和改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的特征并且還從下文和附圖中得出。
[0005]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的光電子器件尤其包括:襯底；在襯底上的第一電極；在第一電極上的發(fā)射輻射的或吸收輻射的層序列；在層序列上的第二電極；設(shè)置在第二電極上的封裝層和設(shè)置在封裝層上的覆蓋層，所述覆蓋層具有第一主面和第二主面，其中在覆蓋層的第一主面和第二主面之間設(shè)有至少一個(gè)預(yù)定斷裂面。
[0006]在此和在下文中，一個(gè)層或一個(gè)元件設(shè)置或施加在另一層或另一元件“上”或“上方”能夠表示:這一個(gè)層或這一個(gè)元件非間接地以直接機(jī)械接觸和/或電接觸的方式設(shè)置在該另一層或該另一元件上。此外，也能夠表示，這一個(gè)層或這一個(gè)元件間接地設(shè)置在該另一層或該另一元件上或上方。在此，另外的層和/或元件于是能夠設(shè)置在這一個(gè)層和該另一層之間。
[0007]覆蓋層不必均質(zhì)地成形，而是例如能夠由多個(gè)單層構(gòu)成。用覆蓋層的第一和第二主面表示優(yōu)選面狀成形的覆蓋層的兩個(gè)最大的分界面，在板狀成形的覆蓋層中例如表示具有最大的面積的兩個(gè)側(cè)面。如果覆蓋層非間接地設(shè)置在封裝層上，那么第一主面優(yōu)選與覆蓋層和封裝層之間的邊界面重合。如果在覆蓋層上沒有設(shè)置其他元件，那么第二主面形成光電子器件的封閉面。優(yōu)選地，這兩個(gè)主面彼此平行地伸展。
[0008]用預(yù)定斷裂面表示當(dāng)光電子器件經(jīng)受機(jī)械負(fù)荷時(shí)覆蓋層的材料機(jī)械斷裂的面。這尤其涉及在光電子器件的包括封裝層的和覆蓋層的至少一部分的區(qū)域中的機(jī)械負(fù)荷。用機(jī)械負(fù)荷尤其表示出現(xiàn)變形力、例如剪切應(yīng)力或拉應(yīng)力的狀態(tài)，所述變形力位于特定的臨界閾值之上。預(yù)定斷裂面不必強(qiáng)制性地成形為是平坦的并且也不必強(qiáng)制性地平行于覆蓋層的這兩個(gè)主面中的一個(gè)伸展。同樣，預(yù)定斷裂面不必在覆蓋層的整個(gè)面上延伸，而是能夠僅設(shè)置在其子區(qū)域中。
[0009]重要的是，預(yù)定斷裂面在覆蓋層的內(nèi)部伸展并且尤其不在覆蓋層的朝向封裝層的主面上伸展。由此實(shí)現(xiàn)，降低或完全避免封裝層機(jī)械損壞，使得光電子器件例如在覆蓋層部分地脫層之后總是還能完全是可用的，因?yàn)榉庋b層還是完好的而且還存在通過覆蓋層產(chǎn)生的機(jī)械保護(hù)。
[0010]在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，預(yù)定斷裂面平行于覆蓋層的第一主面延伸和/或平行于覆蓋層的第二主面延伸和/或平行于覆蓋層和封裝層之間的邊界面延伸。至少優(yōu)選的是，在預(yù)定斷裂面的法向量和覆蓋層的第一主面的法向量和/或第二主面的法向量和/或覆蓋層和封裝層之間的邊界面的法向量之間的角小于30°，尤其小于15°。
[0011]在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，覆蓋層非間接地設(shè)置在封裝層上。通過預(yù)定斷裂面在覆蓋層的內(nèi)部伸展，實(shí)現(xiàn)封裝層和覆蓋層之間的邊界面在機(jī)械負(fù)荷下盡可能或完全地保持不受損壞并且不造成兩個(gè)層的分離。
[0012]因此，在出現(xiàn)超過臨界閾值的拉應(yīng)力時(shí)，既不在封裝層之內(nèi)也不在封裝層和覆蓋層之間的邊界面處進(jìn)行光電子器件的子區(qū)域彼此間的脫離或分離，而是在設(shè)置在封裝層和覆蓋層之間的邊界面的朝向封裝層的一側(cè)上的區(qū)域中進(jìn)行脫離或分離(例如通過內(nèi)聚斷裂或粘合斷裂)。
[0013]第一電極和/或第二電極能夠面狀地構(gòu)成或特別優(yōu)選大面積地構(gòu)成。在此，大面積能夠表示，第一電極和/或第二電極具有大于或等于若干平方毫米、優(yōu)選大于或等于一平方厘米且特別優(yōu)選大于或等于一平方分米的面積。
[0014]替選地，第一電極和/或第二電極能夠以結(jié)構(gòu)化的方式構(gòu)成到第一或第二電極子區(qū)域中。例如，第一電極以平行地彼此并排設(shè)置的第一電極條的形式構(gòu)成并且第二電極構(gòu)成為優(yōu)選垂直于第一電極伸展的平行此彼此并排設(shè)置的第二電極條。因此，第一和第二電極條的疊加能夠構(gòu)成為能可單獨(dú)操縱的發(fā)光區(qū)域。此外，也僅將第一電極或僅第二電極結(jié)構(gòu)化。特別優(yōu)選地，第一和/或第二電極或電極子區(qū)域?qū)щ姷嘏c第一印制導(dǎo)線連接。在此，電極或電極子區(qū)域例如能夠過渡到第一印制導(dǎo)線中或與第一印制導(dǎo)線分開地構(gòu)成并且導(dǎo)電地與所述第一印制導(dǎo)線連接。
[0015]封裝層能夠用電極覆蓋整個(gè)的層序列。此外，所述封裝層覆蓋襯底的表面的至少一個(gè)部分，在所述部分上設(shè)置有具有第一和第二電極的層序列。附加地，所述封裝層也能夠包圍整個(gè)襯底。
[0016]根據(jù)另一實(shí)施方式提出，層序列包括由有機(jī)材料構(gòu)成的一個(gè)或多個(gè)功能層。尤其，根據(jù)層序列是否構(gòu)成為是發(fā)射輻射的還是吸收輻射的，光電子器件能夠構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)或構(gòu)成為有機(jī)太陽(yáng)能電池。
[0017]在第一電極上方例如能夠施加具有一個(gè)或多個(gè)由有機(jī)材料構(gòu)成的功能層的功能區(qū)域。在此，功能層例如能夠構(gòu)成為電子傳輸層、電致發(fā)光層和/或空穴傳輸層。在功能層上方能夠施加第二電極。在功能層中，能夠在有源區(qū)域中通過電子和空穴注入和復(fù)合來產(chǎn)生具有各個(gè)波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍的電磁輻射。
[0018]功能層能夠具有有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、有機(jī)的、非聚合的小分子(“small molecules”小分子)或其組合。適合的材料以及用于功能層的材料的設(shè)置和結(jié)構(gòu)化是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的進(jìn)而在此不詳細(xì)地闡明。
[0019]但是，光電子器件也能夠具有半導(dǎo)體層序列作為發(fā)射輻射的或吸收輻射的層序列。
[0020]第二電極、封裝層和覆蓋層能夠透明地構(gòu)成，使得光電子器件構(gòu)成為所謂的“頂部發(fā)射器”。附加地，當(dāng)襯底和第一電極透明地構(gòu)成時(shí)，光電子器件能夠構(gòu)成為所謂的“底部發(fā)射器”。此外，光電子器件能夠構(gòu)成為“頂部發(fā)射器”和“底部發(fā)射器”。
[0021]根據(jù)另一實(shí)施方式提出，封裝層構(gòu)成用于保護(hù)電極和層序列免受濕氣和/或空氣中的氧氣影響。
[0022]封裝層優(yōu)選是所謂的薄膜封裝件，所述薄膜封裝件由一個(gè)或多個(gè)薄的層構(gòu)成。薄膜封裝層例如從參考文獻(xiàn)WO 2009/095006 Al和W02010/108894 Al中已知，關(guān)于此點(diǎn)其相應(yīng)的公開內(nèi)容通過參考完全并入本文。尤其，所提出的參考文獻(xiàn)中的適合的材料、層厚度和用于施加封裝層的方法是已知的，因此在此不再詳細(xì)闡述。
[0023]薄膜封裝件的各個(gè)層例如能夠分別具有在原子層和例如I ym之間的厚度。封裝層的總厚度例如為小于10 μπκ小于I μ m或甚至小于lOOnm。薄膜封裝件優(yōu)選包含一個(gè)或多個(gè)金屬氧化物層。
[0024]封裝層有利地借助于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PE-CVD，plasma-enhancedchemical vapor deposit1n)、原子層沉積(ALD, atomic layer deposit1n)、分子層沉積(MLD, molecular layer deposit1n)或熱蒸鏈來施加。
[0025]優(yōu)選地，封裝層構(gòu)形成阻擋層或包括至少一個(gè)阻擋層。尤其，阻擋層能夠是不透光的或僅是對(duì)于氧氣和/或濕氣難于穿透的。例如，阻擋層能夠具有氧化物、氮化物或氮氧化物。例如，氧化物、