有機發(fā)光二極管的制作方法
【專利說明】有機發(fā)光二極管
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2014年5月21日在大韓民國提交的韓國專利申請N0.10-2014-0061125的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，通過引用將所述韓國專利申請的各方面的全部內(nèi)容如在本文中完全闡述的那樣合并到本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管(OLED)。特別地，本發(fā)明涉及能夠具有優(yōu)良的剛度和有效的散熱設(shè)計的0LED。
【背景技術(shù)】
[0004]OLED包括空穴注入電極、有機發(fā)光層和電子注入電極，并且OLED通過在經(jīng)由電極與空穴的結(jié)合所生成的激發(fā)子從激發(fā)態(tài)躍迀至基態(tài)時所產(chǎn)生的能量來發(fā)光。
[0005]根據(jù)該原理，OLED具有自發(fā)光屬性，并且由于OLED不需要光源，所以O(shè)LED減少了顯示設(shè)備的厚度和重量。另外，由于OLED具有例如低功耗、高亮度和高響應(yīng)速度的高品質(zhì)，所以O(shè)LED被視為下一代顯示設(shè)備。
[0006]通常，OLED包括具有有機發(fā)光層的OLED面板以及支承該OLED面板的后蓋。
[0007]由于OLED具有自發(fā)光屬性，所以在長時間段上對OLED進行操作時，由于內(nèi)部產(chǎn)生的熱量，導(dǎo)致有機發(fā)光層劣化。因而，使OLED變質(zhì)并分解。
[0008]因此，出現(xiàn)了像素之間的亮度偏差，并且導(dǎo)致顯示品質(zhì)的劣化例如殘像以及壽命的減少。特別地，劣化問題隨著OLED的尺寸增大而變得更顯著。
[0009]另外，由于OLED的部件數(shù)目少于液晶顯示器的部件數(shù)目，所以O(shè)LED可以具有輕薄的外形，但是OLED與LCD相比剛度較小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]因此，本發(fā)明涉及一種0LED，該OLED可以具有用于將從OLED產(chǎn)生的熱量有效地耗散至外界的散熱設(shè)計并且在不增加生產(chǎn)成本的情況下提高剛度。
[0011]將在以下描述中闡述本公開內(nèi)容的另外的特征和優(yōu)點，并且根據(jù)該描述本公開內(nèi)容的一部分特征和優(yōu)點將是明顯的，或者可以通過對本公開內(nèi)容的實踐來學(xué)習(xí)。通過在書面描述和權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)將實現(xiàn)并且獲得本公開內(nèi)容的優(yōu)點。
[0012]為了實現(xiàn)這些以及其他優(yōu)點，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文中所實施且廣泛描述的，有機發(fā)光二極管(OLED)包括:0LED面板；后蓋，該后蓋支承OLED面板并且包括加固彎曲部分；以及散熱構(gòu)件，該散熱構(gòu)件在OLED面板與后蓋之間。
【附圖說明】
[0013]被包括以提供對本公開內(nèi)容的進一步理解并且被并入說明書且構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本公開內(nèi)容的實施方式，并且與說明書一起用于說明本公開內(nèi)容的原理。在附圖中:
[0014]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED的示意性立體圖；
[0015]圖2是圖1的OLED的示意性剖面圖；
[0016]圖3A是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的后蓋的示意性正視圖；
[0017]圖3B是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的散熱構(gòu)件的示意性立體圖；
[0018]圖4A至圖4C是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的將后蓋與散熱構(gòu)件耦接的示例的示意性剖面圖；
[0019]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的模塊化OLED的一部分的示意性剖面圖；
[0020]圖6A是示出其中發(fā)生熱臺階的OLED的情況的實驗圖片；以及
[0021]圖6B是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的其中未發(fā)生熱臺階的OLED的情況的實驗圖片。
【具體實施方式】
[0022]現(xiàn)在將詳細(xì)地參照實施方式，在附圖中示出了實施方式的示例。
[0023]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED的示意性立體圖，并且圖2是圖1的OLED的示意性剖面圖。
[0024]參照圖1和圖2，OLED 100包括:用于顯示圖像的OLED面板110 ?’支承OLED面板110的后蓋120 ;對從OLED面板110所產(chǎn)生的熱量進行散熱的散熱構(gòu)件140 ;以及保護OLED面板110的覆蓋窗130。
[0025]出于說明的目的，對于附圖中的部件的方向，在假定OLED面板110的顯示表面朝前的情況下，后蓋120被布置在OLED面板110的后面，并且覆蓋窗130被布置在OLED面板110的前面。OLED面板110在其后面與后蓋120耦接并且在其前面與覆蓋窗130耦接。
[0026]參照圖2，OLED面板110包括其上具有驅(qū)動薄膜晶體管DTr和發(fā)光二極管E的基板101以及用于對基板101進行封裝的封裝基板102。
[0027]半導(dǎo)體層104形成在像素區(qū)域P中并且可以由硅制成，并且該半導(dǎo)體層104包括中心部分處的作為溝道的有源區(qū)域104a以及位于有源區(qū)域104a的兩側(cè)并且高度摻有雜質(zhì)的源極區(qū)域104b和漏極區(qū)域104c。
[0028]柵極絕緣層105形成在半導(dǎo)體層104上。
[0029]與有源區(qū)域104a相對應(yīng)的柵電極107以及沿一個方向延伸的柵極線(未示出)形成在柵極絕緣層105上。
[0030]第一層間絕緣層106a整體地形成在柵電極107和柵極線上。第一層間絕緣層106b和柵極絕緣層105包括使源極區(qū)域104b和漏極區(qū)域104c暴露的第一半導(dǎo)體接觸孔109和第二半導(dǎo)體接觸孔109。
[0031]彼此隔開的源電極108a和漏電極108b形成在第一層間絕緣層106a上，并且通過第一半導(dǎo)體接觸孔109和第二半導(dǎo)體接觸孔109與源極區(qū)域104b和漏極區(qū)域104c接觸。
[0032]第二層間絕緣層106b形成在源電極108a和漏電極108b以及第一層間絕緣層106上，并且第二層間絕緣層106b包括使漏電極108b暴露的漏極接觸孔112。
[0033]源電極108a和漏電極108b、半導(dǎo)體層104以及半導(dǎo)體層104上的柵極絕緣層105和柵電極形成驅(qū)動薄膜晶體管DTr。
[0034]雖然未在附圖中示出，但是與柵極線交叉以限定像素區(qū)域P的數(shù)據(jù)線形成在基板101上。連接至驅(qū)動薄膜晶體管DTr的開關(guān)薄膜晶體管形成在基板101上，并且可以具有與驅(qū)動薄膜晶體管DTr基本上相同的結(jié)構(gòu)。
[0035]在該實施方式中，描述了具有使用多晶硅的半導(dǎo)體層104的共面結(jié)構(gòu)的開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管DTr。替選地，晶體管可以具有另外的結(jié)構(gòu)，例如使用本征和非本征的無定形娃的底部柵極結(jié)構(gòu)。
[0036]作為發(fā)光二極管E的部件的第一電極111形成在每個像素區(qū)域P中的第二層間絕緣層106b上，并且通過漏極接觸孔112連接至漏電極108b。第一電極111可以是陽極并且由具有相對尚的功函數(shù)的材料制成。
[0037]堤部(bank) 119形成在相鄰像素區(qū)域P的第一電極111之間。
[0038]換言之，利用作為每個像素區(qū)域P的邊界的堤部119將像素區(qū)域P的第一電極111彼此隔開。
[0039]有機發(fā)光層113形成在第一電極111上。
[0040]有機發(fā)光層113可以具有使用發(fā)光材料的單層結(jié)構(gòu)，并且可以具有多層結(jié)構(gòu)以提高發(fā)光效率，該多層結(jié)構(gòu)包括空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)光材料層、電子輸運層以及電子注入層。
[0041]有機發(fā)光層113可以在各個像素區(qū)域P中發(fā)出紅(R)光、綠(G)光和藍(lán)⑶光。例如，有機發(fā)光層113可以包括在像素區(qū)域P中分別發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光的紅光發(fā)光層113a、綠光發(fā)光層113b和藍(lán)光發(fā)光層113c。
[0042]第二電極115形成在有機發(fā)光層113上并且可以為陰極。
[0043]第二電極115可以具有雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)包括具有相對低的功函數(shù)的相對薄淀積的半透明金屬層。在該情況下，第二電極115可以包括該半透明金屬層上的相對厚淀積的透明傳導(dǎo)材料層。
[0044]因此，從有機發(fā)光層113發(fā)出的光穿過第二電極115，使得OLED面板110在頂部發(fā)光類型下操作。
[0045]替選地，第二電極115由不透明金屬材料制成，從而從有機發(fā)光層113發(fā)出的光穿過第一電極111，使得OL