、512原先可能已經(jīng)被繪制為一矩形，但是在制程期間最終被形成為一圓形、或是一類似圓形的多邊形(例如，具有側(cè)邊的圓形)。再者，由于所述圓形體極接點(diǎn)508、510、512，因此每個(gè)源極區(qū)域的一相鄰所述柵極的部分具有一平行于所述y軸來延伸的寬度，其比在坐標(biāo)空間501中的X軸上與所述柵極502、504相距一段距離處的所述源極區(qū)域平行于所述y軸的寬度還大。
[0037]在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500例如可以內(nèi)含在一 NMOS電晶管中，其中源極區(qū)域506包含一種具有一 η型導(dǎo)電度的適當(dāng)?shù)牟牧?，并且體極接點(diǎn)508、510、512包含一種具有一 P型導(dǎo)電度的適當(dāng)經(jīng)摻雜的材料。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500例如可以內(nèi)含在一 PMOS電晶管中，其中源極區(qū)域506包含一種具有一 P型導(dǎo)電度的適當(dāng)?shù)牟牧?，并且體極接點(diǎn)508、510、512包含一種具有一 η型導(dǎo)電度的適當(dāng)經(jīng)摻雜的材料。在范例的實(shí)施例中，所述柵極502、504是多晶硅；然而，此只是一個(gè)例子而已，因而并不意味是限制性的。
[0038]圖6是描繪根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一第六范例實(shí)施例的一種用于強(qiáng)化的效能的第六半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)600的俯視圖。在所示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)600例如可以內(nèi)含在被形成于一半導(dǎo)體電路、晶圓、芯片或晶粒中的一 MOSFET內(nèi)。所述MOSFET例如可以是一 NMOS或PMOS電晶管。在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)600可被利用作為一功率M0SFET。
[0039]參照在圖6中所示的范例實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)600包含一第一柵極602、一第二柵極604，其被設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)600的一半導(dǎo)體層上并且平行于在一坐標(biāo)空間601中的I軸來延伸；以及一源極區(qū)域606，其被設(shè)置在所述第一柵極602與第二柵極604之間。在范例的實(shí)施例中，所述源極區(qū)域606是被設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)600中。多個(gè)(例如是多個(gè)，盡管只有三個(gè)被展示)體極接點(diǎn)608、610、612是被形成在介于所述第一柵極602與第二柵極604之間的源極區(qū)域606中。盡管所述體極接點(diǎn)608、610、612被展示為在所述柵極602、604之間居中的，但是在某些實(shí)施例中，它們并不一定是在所述柵極602、604之間居中的。在此范例實(shí)施例中，每個(gè)體極接點(diǎn)608、610、612在所述半導(dǎo)體層的一工作表面之處的形狀是一具有經(jīng)修改的圓形或削角的角落的四邊形。所述工作表面是平行于所述坐標(biāo)系統(tǒng)601的xy平面。例如，四分之一圓的材料可以從每個(gè)體極接點(diǎn)的每個(gè)角落被移除，以形成所展示的體極接點(diǎn)608、610、612。在此范例實(shí)施例中，每個(gè)經(jīng)修改的角落的頂點(diǎn)相對(duì)柵極602,604的側(cè)邊616的斜率(例如，Θ 614)是介于大約5度到85度之間。再者，由于每個(gè)經(jīng)修改的角落的頂點(diǎn)相對(duì)柵極602、604的側(cè)邊616的斜率是介于大約5度到85度之間，因此每個(gè)源極區(qū)域的一相鄰所述柵極的部分具有一平行于所述y軸來延伸的寬度，其比在坐標(biāo)空間601中的X軸上與所述柵極602、604相距一段距離處的所述源極區(qū)域平行于所述y軸的寬度還大。
[0040]在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)600例如可以內(nèi)含在一 NMOS電晶管中，其中源極區(qū)域606包含一種具有一 η型導(dǎo)電度的適當(dāng)?shù)牟牧?，并且體極接點(diǎn)608、610、612包含一種具有一 P型導(dǎo)電度的適當(dāng)經(jīng)摻雜的材料。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)600例如可以內(nèi)含在一 PMOS電晶管中，其中源極區(qū)域606包含一種具有一 P型導(dǎo)電度的適當(dāng)?shù)牟牧?，并且體極接點(diǎn)608、610、612包含一種具有一 η型導(dǎo)電度的適當(dāng)經(jīng)摻雜的材料。在范例的實(shí)施例中，所述柵極602、604是多晶硅；然而，此只是一個(gè)例子而已，因而并不意味是限制性的。
[0041]圖7是描繪根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一第六范例實(shí)施例的一種用于強(qiáng)化的效能的第七半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)700的俯視圖。在所示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)700例如可以內(nèi)含在被形成于一半導(dǎo)體電路、晶圓、芯片或晶粒中的一 MOSFET內(nèi)。所述MOSFET例如可以是一 NMOS或PMOS電晶管。在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)700可被利用作為一功率M0SFET。
[0042]參照在圖7中所示的范例實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)700包含一第一柵極702、一第二柵極704，其被設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)700的一半導(dǎo)體層上并且平行于在一坐標(biāo)空間701中的y軸來延伸；以及一源極區(qū)域706，其被設(shè)置在所述第一柵極702與第二柵極704之間。在范例的實(shí)施例中，所述源極區(qū)域706是被設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)700中。多個(gè)(例如是多個(gè)，盡管只有三個(gè)被展示)體極接點(diǎn)708、710、712是被形成在介于所述第一柵極702與第二柵極704之間的源極區(qū)域706中。盡管所述體極接點(diǎn)708、710、712被展示為在所述柵極702、704之間居中的，但是在某些實(shí)施例中，它們并不一定是在所述柵極702、704之間居中的。在此范例實(shí)施例中，每個(gè)體極接點(diǎn)708、710、712的形狀是一具有經(jīng)修改的圓形或削角的角落的四邊形。例如，每個(gè)體極接點(diǎn)的每個(gè)角落可以通過平滑化所述角落成為一圓弧來加以修改，以形成在所述半導(dǎo)體層的一工作表面之處所展示的體極接點(diǎn)708、710、712。所述工作表面是平行于所述坐標(biāo)系統(tǒng)701的xy平面。在此范例實(shí)施例中，每個(gè)經(jīng)修改的角落的頂點(diǎn)相對(duì)柵極702、704的側(cè)邊716的斜率(例如，Θ 714)是介于大約5度到85度之間。再者，由于每個(gè)經(jīng)修改的角落的頂點(diǎn)相對(duì)柵極702、704的側(cè)邊716的斜率是介于大約5度到85度之間，因此每個(gè)源極區(qū)域的一相鄰所述柵極的部分具有一平行于所述I軸來延伸的寬度，其比在坐標(biāo)空間701中的X軸上與所述柵極702、704相距一段距離處的所述源極區(qū)域平行于所述I軸的寬度還大。
[0043]在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)700例如可以內(nèi)含在一 NMOS電晶管中，其中源極區(qū)域706包含一種具有一 η型導(dǎo)電度的適當(dāng)?shù)牟牧?，并且體極接點(diǎn)708、710、712包含一種具有一 P型導(dǎo)電度的適當(dāng)經(jīng)摻雜的材料。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)700例如可以內(nèi)含在一 PMOS電晶管中，其中源極區(qū)域706包含一種具有一 P型導(dǎo)電度的適當(dāng)?shù)牟牧?，并且體極接點(diǎn)708、710、712包含一種具有一 η型導(dǎo)電度的適當(dāng)經(jīng)摻雜的材料。在范例的實(shí)施例中，所述柵極702、704是多晶硅；然而，此只是一個(gè)例子而已，因而并不意味是限制性的。
[0044]圖8是描繪根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一第八范例實(shí)施例的一種用于強(qiáng)化的效能的第八半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)800的俯視圖。在所示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)800例如可以內(nèi)含在被形成于一半導(dǎo)體電路、晶圓、芯片或晶粒中的一 MOSFET內(nèi)。所述MOSFET例如可以是一 NMOS或PMOS電晶管。在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)800可被利用作為一功率M0SFET。
[0045]參照在圖8中所示的范例實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)800包含一第一柵極802、一第二柵極804，其被設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)800的一半導(dǎo)體層上并且平行于在一坐標(biāo)空間801中的y軸來延伸；以及一源極區(qū)域806，其被設(shè)置在所述第一柵極802與第二柵極804之間。在范例的實(shí)施例中，所述源極區(qū)域806是被設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)800中。多個(gè)(例如是多個(gè)，盡管只有三個(gè)被展示)體極接點(diǎn)808、810、812是被形成在介于所述第一柵極802與第二柵極804之間的源極區(qū)域806中。盡管所述體極接點(diǎn)808、810、812被展示為在所述柵極802、804之間居中的，但是在某些實(shí)施例中，它們并不一定是在所述柵極802、804之間居中的。在此范例實(shí)施例中，每個(gè)體極接點(diǎn)808、810、812在所述半導(dǎo)體層的一工作表面之處的形狀是一個(gè)六邊形。所述工作表面是平行于所述坐標(biāo)系統(tǒng)801的xy平面。在此范例實(shí)施例中，每個(gè)體極接點(diǎn)808、810、812的每個(gè)垂直定向的側(cè)邊的頂點(diǎn)相對(duì)柵極802、804的側(cè)邊816的斜率(例如，Θ 814)可以是介于大約5度到85度之間的任意角度。再者，由于每個(gè)體極接點(diǎn)808、810、812的每個(gè)垂直定向的側(cè)邊的頂點(diǎn)相對(duì)柵極802、804的側(cè)邊816的斜率是介于大約5度到85度之間，因此每個(gè)源極區(qū)域的一相鄰所述柵極的部分具有一平行于所述y軸來延伸的寬度，其比在坐標(biāo)空間801中的X軸上與所述柵極802、804相距一段距離處的所述源極區(qū)域平行于所述y軸的寬度還大。
[0046]在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)800例如可以內(nèi)含在一 NMOS電晶管中，其中源極區(qū)域806包含一種具有一 η型導(dǎo)電度的適當(dāng)?shù)牟牧?，并且體極接點(diǎn)808、810、812包含一種具有一 P型導(dǎo)電度的適當(dāng)經(jīng)摻雜的材料。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)800例如可以內(nèi)含在一 PMOS電晶管中，其中源極區(qū)域806包含一種具有一 P型導(dǎo)電度的適當(dāng)?shù)牟牧?，并且體極接點(diǎn)808、810、812包含一種具有一 η型導(dǎo)電度的適當(dāng)經(jīng)摻雜的材料。在范例的實(shí)施例中，所述柵極802、804是多晶硅；然而，此只是一個(gè)例子而已，因而并不意味是限制性的。
[0047]圖9是描繪根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一第九范例實(shí)施例的一種用于強(qiáng)化的效能的第九半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)900的俯視圖。在所示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)900例如可以內(nèi)含在被形成于一半導(dǎo)體電路、晶圓、芯片或晶粒中的一 MOSFET內(nèi)。所述MOSFET例如可以是一 NMOS或PMOS電晶管。在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)900可被利用作為一功率M0SFET。
[0048]參照在圖9中所不的范例實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)900包含一第一柵極902、一第二柵極904，其被設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)900的一半導(dǎo)體層上并且平行于在一坐標(biāo)空間901中的y軸來延伸；以及一源極區(qū)域906，其被設(shè)置在所述第一柵極902與第二柵極904之間。在范例的實(shí)施例中，所述源極區(qū)域906是被設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)900中。多個(gè)(例如是多個(gè)，盡管只有三個(gè)被展示)體極接點(diǎn)908、910、912是被形成在介于所述第一柵極902與第二柵極904之間的源極區(qū)域906中。盡管所述體極接點(diǎn)908、910、912被展示為在所述柵極902、904之間居中的，但是在某些實(shí)施例中，它們并不一定是在所述柵極902、904之間居中的。在此范例實(shí)施例中，每個(gè)體極接點(diǎn)908、910、912在所述半導(dǎo)體層的一工作表面之處的形狀是一八邊形。所述工作表面是平行于所述坐標(biāo)系統(tǒng)901的xy平面。在此范例實(shí)施例中，每個(gè)體極接點(diǎn)908、910、912的每個(gè)垂直定向的側(cè)邊的頂點(diǎn)相對(duì)柵極902、904的側(cè)邊916的斜率(例如，Θ 914)可以是介于大約5度到85度之間的任意角度。再者，由于每個(gè)體極接點(diǎn)908、910、912的每個(gè)垂直定向的側(cè)邊的頂點(diǎn)相對(duì)柵極902、904的側(cè)邊916的斜率是介于大約5度到85度之間，因此每個(gè)源極區(qū)域的一相鄰所述柵極的部分具有一平行于所述y軸來延伸的寬度，其比在坐標(biāo)空間901中的X軸上與所述柵極902、904相距一段距離處的所述源極區(qū)域平行于所述y軸的寬度還大。
[0049]在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)900例如可以內(nèi)含在一 NMOS電晶管中，其中源極區(qū)域906包含一種具有一 η型導(dǎo)電度的適當(dāng)?shù)牟牧?，并且體極接點(diǎn)908、910、912包含一種具有一 P型導(dǎo)電度的適當(dāng)經(jīng)摻雜的材料。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)900例如可以內(nèi)含在一 PMOS電晶管中，其中源極區(qū)域906包含一種具有一 P型導(dǎo)電度的適當(dāng)?shù)牟牧?，并且體極接點(diǎn)908、910、91