元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路的方法。下面結合圖9對本實施例提供的方法進行說明。
[0032]S1、向多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路中輸入微波信號。
[0033]具體的，其它的電路可以向實施例一提供的多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路輸入微波信號，其中包括各種頻率的微波信號。
[0034]S2、所述微波信號經過下層耦合單元3耦合后，并經過中層濾波器單元2濾波后，通過頂層天線陣列單元I將濾波后的微波信號發(fā)射出去。
[0035]具體的，當外部電路向多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路輸入微波信號后，經過下層耦合單元3耦合后再經過中層濾波器單元2進行濾波，根據(jù)輸入的微波信號的頻率選擇中層濾波器單元2中相應的濾波電路進行濾波，比如，輸入的微波信號為高頻微波信號，則選用中層濾波器單元2中的高通濾波電路進行濾波；輸入的微波信號為低頻微波信號，則選用中層濾波器單元2中的低通濾波電路進行濾波，連接的濾波電路不同，工作狀態(tài)也會不同，最后將濾波后的微波信號通過頂層天線陣列單元I發(fā)射出去。因此，本實施例提供的多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路的用途與功能是多元的，多種功能集中于一體。
[0036]本發(fā)明提供的一種多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路及使用其的方法，采用激光打孔、微孔注漿等技術將無源元件埋置到低溫共燒陶瓷基板內部，實現(xiàn)了多元集成電路的小型化要求，低溫共燒陶瓷技術的埋置式結構和可控層厚技術，為多元集成電路的緊湊型和可靠性提供了保證；并通過采用微帶線層間電磁耦合的方式有效降低了 LTCC器件自身的電磁干擾，提高LTCC器件的抗干擾能力和穩(wěn)定性，減小了 LTCC器件的體積。
[0037]在本說明書的描述中，參考術語“實施例一”、“實施例二”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體方法、裝置或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、方法、裝置或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進行結合和組合。
[0038]盡管上面已經示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對辦發(fā)明的限制，本領域的普通技術人員在本發(fā)明的范圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。
【主權項】
1.一種多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路，其特征在于，所述微波射頻電路包括頂層天線陣列單元(I)、中層濾波器單元(2)、下層耦合單元(3)以及若干層低溫共燒陶瓷基板⑷； 所述每一層低溫共燒陶瓷基板(4)均嵌入有若干個金屬過孔(5);所述頂層天線陣列單元(I)、中層濾波器單元(2)和下層耦合單元(3)均埋置于不同層的低溫共燒陶瓷基板(4)中，且所述不同層的低溫共燒陶瓷基板(4)之間通過嵌入的金屬過孔(5)連接； 所述中層濾波器單元(2)位于所述頂層天線陣列單元(I)和下層耦合單元(3)之間。2.如權利要求1所述的多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路，其特征在于，所述電路包括3-20層低溫共燒陶瓷基板(4)，所述低溫共燒陶瓷基板(4)的介電常數(shù)范圍為5-50。3.如權利要求2所述的多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路，其特征在于，所述低溫共燒陶瓷基板(4)的長度范圍為2-40mm，寬度范圍為2_40mm，厚度范圍為0.05-5mm ;金屬過孔5的直徑范圍為0.05-lmm，其厚度范圍為0.05_5mm。4.如權利要求1所述的多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路，其特征在于，所述頂層天線陣列單元(I)、中層濾波器單元(2)以及下層耦合單元(3)均由金屬導體微帶線構成。5.如權利要求4所述的多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路，其特征在于，所述頂層天線陣列單元(I)包括主干微帶線(11)、末節(jié)微帶線(12)和M行N列天線終端(13)陣列組成，其中，M、N均為正整數(shù)； 所述M行N列天線終端(13)間隔排列組成矩形陣列； 第m行天線終端(13)之間通過所述末節(jié)微帶線(12)連接，所述第η列天線終端(13)之間通過所述主干微帶線(11)連接，所述主干微帶線(11)固定連接所述末節(jié)微帶線(12)，其中，m、η為正整數(shù)，m的取值為1...Μ，η的取值為I...N。6.如權利要求5所述的多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路，其特征在于，所述第m行天線終端(13)等間距排列，所述第η列天線終端(13)等間距排列，其中，主干微帶線(11)的寬度范圍為0.1-5_，末節(jié)微帶線(12)的寬度范圍為0.01-5_，天線終端(13)的面積為 0.01_25mm。7.如權利要求4所述的多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路，其特征在于，所述中層濾波器單元(2)由上層發(fā)夾式微帶線(21)和下層發(fā)夾式微帶線(22)組成，所述上層發(fā)夾式微帶線(21)和下層發(fā)夾式微帶線(22)均由金屬導體微帶線構成，其中，金屬導體微帶線的寬度范圍為0.l-5mm。8.如權利要求7所述的多元低溫共燒陶瓷LTCC電路，其特征在于，所述上層發(fā)夾式微帶線(21)和下層發(fā)夾式微帶線(22)分布在不同層的低溫共燒陶瓷基板4上，通過嵌入低溫共燒陶瓷基板4中的金屬過孔5連接； 所述上層發(fā)夾式微帶線(21)和下層發(fā)夾式微帶線(22)以部分重疊的方式分別分布在不同層的低溫共燒陶瓷基板(4)上，所述上層發(fā)夾式微帶線(21)和下層發(fā)夾式微帶線(22)的寬度范圍均為0.l_5mm，且均為U型結構，其中，U型結構的長度范圍為2-40mm，寬度范圍為2-40mm，兩者重疊部分的長度范圍為2_40mm。9.如權利要求6所述的多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路，其特征在于，所述中層濾波器單元(2)包括第一帶通濾波電路、第二帶通濾波電路、高通濾波電路和低通濾波電路。10.一種使用多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路的方法，其特征在于，所述方法包括: S1、向多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路中輸入微波信號； S2、所述微波信號經過下層耦合單元(3)耦合后，并經過中層濾波器單元(2)濾波后，通過頂層天線陣列單元(I)將濾波后的微波信號發(fā)射出去。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路及使用其的方法，所述電路包括頂層天線陣列單元、中層濾波器單元、下層耦合單元以及若干層低溫共燒陶瓷基板；頂層天線陣列單元、中層濾波器單元和下層耦合單元均埋置于不同層的低溫共燒陶瓷基板中，且不同層的低溫共燒陶瓷基板之間通過嵌入每一層低溫共燒陶瓷基板中的金屬過孔連接。本發(fā)明提供的微波射頻電路，采用激光打孔、微孔注漿等技術將無源元件埋置到低溫共燒陶瓷基板內部，實現(xiàn)了多元集成電路的小型化要求，低溫共燒陶瓷技術的埋置式結構和可控層厚技術，為多元集成電路的緊湊型和可靠性提供了保證。
【IPC分類】H01Q21/00, H01Q1/50, H01Q1/38
【公開號】CN105024154
【申請?zhí)枴緾N201510400788
【發(fā)明人】向勇, 高詩光, 趙正爽, 高奇文
【申請人】東莞電子科技大學電子信息工程研究院
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2015年7月8日