薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示裝置、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de，0LED)顯示裝置等中，陣列基板是重要部件之一。陣列基板包括多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管主要包括柵極、有源層、源極、漏極，柵極和有源層間設(shè)有柵絕緣層，另外薄膜晶體管還可包括設(shè)于源極/漏極和有源層間的層間絕緣層(inter-level dielectric, ILD)等其他絕緣層。
[0003]在現(xiàn)有陣列基板的薄膜晶體管中，柵絕緣層由氧化硅、氮化硅等構(gòu)成，這些材料的介電常數(shù)較低，約在3.9?7.9，為達(dá)到足夠的絕緣性和存儲(chǔ)電容，故柵絕緣層厚度較大(約在140?240nm)，不利于薄膜晶體管的小型化，會(huì)阻礙顯示裝置分辨率的提高。同時(shí)，柵極和柵絕緣層的材料晶格常數(shù)差別很大，故在二者接觸面上的缺陷較多，為使二者晶格匹配，也要求柵絕緣層的厚度較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的薄膜晶體管尺寸過(guò)大的問(wèn)題，提供一種易于實(shí)現(xiàn)小型化的薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板。
[0005]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種薄膜晶體管，其包括柵極、源極、漏極和多個(gè)絕緣層，且
[0006]其中至少一個(gè)絕緣層包括V B族金屬的氧化物。
[0007]優(yōu)選的是，所述V B族金屬的氧化物為鉭的氧化物。
[0008]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述鉭的氧化物為五氧化二鉭和/或三氧化二鉭。
[0009]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述多個(gè)絕緣層包括柵絕緣層，所述柵絕緣層包括五氧化二鉭和/或三氧化二鉭。
[0010]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述柵絕緣層的厚度在20?40nm。
[0011]優(yōu)選的是，所述包括V B族金屬的氧化物的絕緣層與柵極、源極和漏極中的至少一個(gè)電極接觸；且，與所述包括V B族金屬的氧化物的絕緣層接觸的柵極、源極和漏極中，有至少一個(gè)電極包括與所述V B族金屬的氧化物對(duì)應(yīng)的V B族金屬。
[0012]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述多個(gè)絕緣層包括柵絕緣層，所述柵絕緣層包括五氧化二鉭和/或三氧化二鉭；所述柵極包括鉭。
[0013]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括:
[0014]至少一個(gè)上述的薄膜晶體管。
[0015]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種上述薄膜晶體管的制備方法，其包括:
[0016]用包括V B族金屬的氧化物的材料形成至少一個(gè)所述絕緣層。
[0017]優(yōu)選的是，所述用包括V B族金屬的氧化物的材料形成至少一個(gè)所述絕緣層包括:通過(guò)濺射工藝用包括V B族金屬的氧化物的材料形成至少一個(gè)所述絕緣層。
[0018]本發(fā)明的薄膜晶體管中，采用V B族金屬的氧化物(如鉭的氧化物)制造絕緣層，由于V B族金屬的氧化物的介電常數(shù)較高，從而可降低絕緣層的厚度。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板在形成有源層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板在形成柵絕緣層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板在形成柵極后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5為本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板在形成層間絕緣層并形成過(guò)孔后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板在形成源極和漏極后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]其中，附圖標(biāo)記為:1、緩沖層；2、有源層；3、柵絕緣層；4、柵極；5、層間絕緣層；61、源極；62、漏極；7、平坦化層；8、像素電極；9、基底。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0027]實(shí)施例1:
[0028]如圖1所示，本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，其包括柵極4、源極61、漏極62、多個(gè)絕緣層，且其中至少一個(gè)絕緣層包括V B族金屬的氧化物。
[0029]也就是說(shuō)，本實(shí)施例的薄膜晶體管包括有源層2、柵極4、源極61、漏極62，其中源極61、漏極62分別與有源層2電連接，而有源層2和柵極4被柵絕緣層3隔開(kāi)。同時(shí)，薄膜晶體管中還可包括其他的絕緣層，如設(shè)在源極61和漏極62與柵極4間的層間絕緣層5，覆蓋在源極61和漏極62之上的平坦化層7等。而在全部這些絕緣層中，至少有一個(gè)絕緣層包括V B族金屬(釩、鈮、鉭)的氧化物(釩的氧化物、鈮的氧化物、鉭的氧化物)，當(dāng)然，該絕緣層更優(yōu)選由V B族金屬的氧化物構(gòu)成。這是由于V B族金屬于的氧化物有較高的介電常數(shù)，故用其作為絕緣層時(shí)，絕緣層只要較薄的厚度即可滿足絕緣、存儲(chǔ)電容等的要求，從而可減小薄膜晶體管的尺寸。
[0030]優(yōu)選的，V B族金屬的氧化物為鉭的氧化物，更優(yōu)選為五氧化二鉭和/或三氧化二鉭。
[0031]五氧化二鉭和三氧化二鉭是最常見(jiàn)、最穩(wěn)定的鉭的氧化物。而之所以?xún)?yōu)選采用鉭的氧化物，是因?yàn)橐环矫驺g的氧化物的介電常數(shù)很高(五氧化二鉭的介電常數(shù)約在27)，另一方面，相對(duì)于其他的V B族金屬的氧化物，鉭的氧化物更容易形成。
[0032]更優(yōu)選的，上述柵絕緣層3包括五氧化二鉭和/或三氧化二鉭。
[0033]之所以?xún)?yōu)選柵絕緣層3包括五氧化二鉭、三氧化二鉭，是因?yàn)樵诒∧ぞw管的各絕緣層中，柵絕緣層3是薄化效果最好的。而其他的絕緣層，比如平坦化層7，其除絕緣外還要起到使基板的表面盡量平整的作用，故即使采用高介電常數(shù)的材料，其厚度也不能明顯減小。
[0034]具體的，對(duì)于上述柵絕緣層3，其厚度可在20?40nm。
[0035]可見(jiàn)，由于采用了介電常數(shù)較高的鉭的氧化物作為柵絕緣層3，故其厚度比現(xiàn)有技術(shù)大幅降低。
[0036]當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，以上例子并不是對(duì)本發(fā)明的限定，薄膜晶體管中的其他絕緣層，也可用V B族金屬的氧化物制造。
[0037]優(yōu)選的，上述包括V B族金屬的氧化物的絕緣層與柵極4、源極61和漏極62中至少一個(gè)電極接觸，而在與上述包括V B族金屬的氧化物的絕緣層接觸的柵極4、源極61和漏極62中，有至少一個(gè)電極包括與上述V B族金屬的氧化物對(duì)應(yīng)的V B族金屬。
[0038]也就是說(shuō)，薄膜晶體管的柵極4、源極61和漏極62等必然與絕緣層接觸，當(dāng)其接觸的絕緣層包括V B族金屬的氧化物時(shí)，則該柵極4、源極61和漏極62包括相應(yīng)的V B族金屬，更優(yōu)選由相應(yīng)的V B族金屬構(gòu)成。
[0039]例如，若柵絕緣層3包括五氧化二鉭和/或三氧化二鉭，則柵極4包括鉭。
[0040]這是因?yàn)?，絕緣層的晶格常數(shù)優(yōu)選和其所接觸的電極的晶格常數(shù)比較接近，從而使二者在接觸區(qū)域的原子排布更規(guī)整，減少缺陷，這有利于絕緣層厚度的降低；而金屬(如鉭)和其對(duì)應(yīng)氧化物(如鉭的氧化物)間往往具有比較相似的晶格常數(shù)，最有利于實(shí)現(xiàn)二者的晶格匹配。
[0041]本實(shí)施例還提供一種上述薄膜晶體管的制備方法，其包括