一半導(dǎo)體層41、第一源極61、連接電極83、及第一頂柵極82構(gòu)成第一雙柵極TFT ;所述第二底柵極23、第二半導(dǎo)體層44、連接電極83、第二漏極62、及第二頂柵極84構(gòu)成第二雙柵極TFT ;所述連接電極83同時(shí)充當(dāng)?shù)谝浑p柵極TFT的第一漏極、及第二雙柵極TFT的第二源極，從而將第一雙柵極TFT與第二雙柵極TFT串聯(lián)起來(lái)。
[0081]優(yōu)選的，所述基板I為玻璃基板。
[0082]優(yōu)選的，所述第一金屬層的材料為銅、鋁、或鉬。
[0083]優(yōu)選的，所述柵極絕緣層3的材料為氧化硅或氮化硅。
[0084]具體地，所述半導(dǎo)體層的材料為金屬氧化物，優(yōu)選的，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物。
[0085]優(yōu)選的，所述刻蝕阻擋層5的材料為氧化硅或氮化硅。
[0086]優(yōu)選的，所述第二金屬層的材料為銅、鋁、或鉬。
[0087]優(yōu)選的，所述鈍化層7的材料為氧化硅或氮化硅。
[0088]優(yōu)選的，所述第三金屬層的材料為銅、鋁、或鉬。
[0089]綜上所述，本發(fā)明的TFT基板的制作方法，通過(guò)將連接兩雙柵極TFT的連接電極設(shè)置于第三金屬層，避免了現(xiàn)有設(shè)計(jì)中將連接電極與數(shù)據(jù)線、供電壓線等訊號(hào)線共同設(shè)置于第二金屬層從而導(dǎo)致該連接電極與第二金屬層的設(shè)計(jì)規(guī)則變小的問(wèn)題，有利于提高顯示面板的開(kāi)口率、及分辨率。本發(fā)明的TFT基板結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，具有高開(kāi)口率及高分辨率。
[0090]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一基板(I)，在所述基板(I)上沉積第一金屬層，并通過(guò)一道光刻制程圖案化該第一金屬層，形成間隔設(shè)置的第一底柵極(21)、及第二底柵極(23); 步驟2、在所述第一底柵極(21)、第二底柵極(23)、及基板(I)上沉積柵極絕緣層(3); 步驟3、在所述柵極絕緣層(3)上沉積一金屬氧化物層，并通過(guò)一道光刻制程對(duì)該金屬氧化物層進(jìn)行圖案化，形成間隔設(shè)置的第一半導(dǎo)體層(41)、及第二半導(dǎo)體層(43); 所述第一半導(dǎo)體層(41)包括第一溝道區(qū)(412)、及分別位于該第一溝道區(qū)(412)兩側(cè)的第一源極接觸區(qū)(414)與第一漏極接觸區(qū)(416);所述第二半導(dǎo)體層(43)包括第二溝道區(qū)(432)、及分別位于該第二溝道區(qū)(432)兩側(cè)的第二源極接觸區(qū)(434)與第二漏極接觸區(qū)(436)； 步驟4、在所述第一半導(dǎo)體層(41)、第二半導(dǎo)體層(43)、及柵極絕緣層(3)上沉積一刻蝕阻擋層(5)，并通過(guò)一道光刻制程在該刻蝕阻擋層(5)上分別形成第一通孔(51)與第二通孔(52)，分別用于暴露第一源極接觸區(qū)(414)與第二漏極接觸區(qū)(436); 步驟5、在所述刻蝕阻擋層(5)上沉積第二金屬層，并通過(guò)一道光刻制程圖案化該第二金屬層，形成間隔設(shè)置的第一源極(61)、及第二漏極(62); 所述第一源極(61)通過(guò)第一通孔(51)與第一源極接觸區(qū)(414)相接觸；所述第二漏極(62)通過(guò)第二通孔(52)與第二漏極接觸區(qū)(436)相接觸； 步驟6、在所述第一源極(61)、第二漏極(62)、及刻蝕阻擋層(5)上沉積一鈍化層(7)，并通過(guò)一道光刻制程在該鈍化層(7)和刻蝕阻擋層(5)上形成第三通孔(73)與第四通孔(74)，分別用于暴露第一漏極接觸區(qū)(416)與第二源極接觸區(qū)(434); 步驟7、在所述鈍化層(7)上沉積第三金屬層，并通過(guò)一道光刻制程圖案化該第三金屬層，形成間隔設(shè)置的第一頂柵極(82)、連接電極(83)、及第二頂柵極(84); 所述連接電極(83)分別通過(guò)第三通孔(73)、及第四通孔(74)與第一漏極接觸區(qū)(416)、及第二源極接觸區(qū)(434)相接觸。2.如權(quán)利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟I采用物理氣相沉積法沉積所述第一金屬層，所述第一金屬層的材料為銅、鋁、或鉬，所述步驟I中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程；所述步驟2采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積所述柵極絕緣層(3)，所述柵極絕緣層(3)的材料為氧化硅或氮化硅。3.如權(quán)利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟3采用物理氣相沉積法沉積所述金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料為銦鎵鋅氧化物；所述步驟3中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程。4.如權(quán)利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟4采用化學(xué)氣相沉積法沉積所述刻蝕阻擋層(5)，所述刻蝕阻擋層(5)的材料為氧化硅或氮化硅，所述步驟4中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、干蝕刻、及去光阻制程；所述步驟5采用物理氣相沉積法沉積所述第二金屬層，所述第二金屬層的材料為銅、鋁、或鉬，所述步驟5中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程。5.如權(quán)利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟6采用化學(xué)氣相沉積法沉積所述鈍化層(7)，所述鈍化層(7)的材料為氧化硅或氮化硅，所述步驟6中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、干蝕刻、及去光阻制程；所述步驟7采用物理氣相沉積法沉積所述第三金屬層，所述第三金屬層的材料為銅、鋁、或鉬，所述步驟7中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程。6.一種TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括從下到上依次設(shè)置的:基板(I)、第一金屬層、柵極絕緣層(3)、半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋層(5)、第二金屬層、鈍化層(7)、及第三金屬層；所述第一金屬層包括間隔設(shè)置的第一底柵極(21)、及第二底柵極(23);所述半導(dǎo)體層包括間隔設(shè)置的第一半導(dǎo)體層(41)、及第二半導(dǎo)體層(43);所述第二金屬層包括間隔設(shè)置的第一源極(61)、及第二漏極(62);所述第三金屬層包括間隔設(shè)置的第一頂柵極(82)、連接電極(83)、及第二頂柵極(84); 所述刻蝕阻擋層(5)上形成有第一通孔(51)與第二通孔(52);所述鈍化層(7)和刻蝕阻擋層(5)上形成有第三通孔(73)、及第四通孔(74);所述第一源極(61)通過(guò)第一通孔(51)與第一半導(dǎo)體層(41)的一端相接觸，所述連接電極(63)通過(guò)第三通孔(73)與第一半導(dǎo)體層(41)的另外一端相接觸，同時(shí)通過(guò)第四通孔(74)與第二半導(dǎo)體層(43)的一端相接觸；所述第二漏極(62)通過(guò)第二通孔(52)與所述第二半導(dǎo)體層(43)的另外一端相接觸； 所述第一底柵極(21)、第一半導(dǎo)體層(41)、第一源極(61)、連接電極(83)、及第一頂柵極(82)構(gòu)成第一雙柵極TFT ;所述第二底柵極(23)、第二半導(dǎo)體層(43)、連接電極(83)、第二漏極(62)、及第二頂柵極(84)構(gòu)成第二雙柵極TFT ;所述連接電極(83)同時(shí)充當(dāng)?shù)谝浑p柵極TFT的第一漏極、及第二雙柵極TFT的第二源極，從而將第一雙柵極TFT與第二雙柵極TFT串聯(lián)起來(lái)。7.如權(quán)利要求6所述的TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層(41)包括第一溝道區(qū)(412)、及分別位于該第一溝道區(qū)(412)兩側(cè)的第一源極接觸區(qū)(414)與第一漏極接觸區(qū)(416);所述第二半導(dǎo)體層(43)包括第二溝道區(qū)(432)、及分別位于該第二溝道區(qū)(432)兩側(cè)的第二源極接觸區(qū)(434)與第二漏極接觸區(qū)(436)。8.如權(quán)利要求7所述的TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一通孔(51)、第三通孔(73)、第四通孔(74)、及第二通孔(52)分別用于暴露第一源極接觸區(qū)(414)、第一漏極接觸區(qū)(416)、第二源極接觸區(qū)(434)、及第二漏極接觸區(qū)(436)。9.如權(quán)利要求8所述的TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一源極(61)通過(guò)第一通孔(51)與第一源極接觸區(qū)(414)相接觸，所述連接電極(83)分別通過(guò)第三通孔(73)、及第四通孔(74)與第一漏極接觸區(qū)(416)、及第二源極接觸區(qū)(434)相接觸，所述第二漏極(62)通過(guò)第二通孔(52)與所述第二漏極接觸區(qū)(436)相接觸。10.如權(quán)利要求6所述的TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的材料為金屬氧化物。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法及其結(jié)構(gòu)。該TFT基板的制作方法通過(guò)將連接兩雙柵極TFT的連接電極(83)設(shè)置于第三金屬層，避免了現(xiàn)有設(shè)計(jì)中將連接電極與數(shù)據(jù)線、供電壓線等訊號(hào)線共同設(shè)置于第二金屬層從而導(dǎo)致該連接電極與第二金屬層的設(shè)計(jì)規(guī)則變小的問(wèn)題，有利于提高顯示面板的開(kāi)口率、及分辨率。本發(fā)明提供的一種TFT基板結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，具有高開(kāi)口率及高分辨率。
【IPC分類(lèi)】H01L27/12, H01L21/77
【公開(kāi)號(hào)】CN104966696
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510227686
【發(fā)明人】石龍強(qiáng), 韓佰祥
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年5月6日