Tft基板的制作方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示技術(shù)領(lǐng)域，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)與有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light Emitting D1de，OLED)等平板顯示技術(shù)已經(jīng)逐步取代CRT顯示器。其中，OLED具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。
[0003]OLED按照驅(qū)動(dòng)類(lèi)型可分為無(wú)源OLED (PMOLED)和有源OLED (AMOLED);其中，AMOLED器件為電流驅(qū)動(dòng)，其對(duì)薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)電流的要求非常嚴(yán)格。所以，AMOLED產(chǎn)品必須采用像素補(bǔ)償電路來(lái)減少整個(gè)驅(qū)動(dòng)過(guò)程中由于TFT不穩(wěn)定導(dǎo)致的電流變化。雙柵極(Dual gate)TFT由于良好的電學(xué)穩(wěn)定性廣泛應(yīng)用于電路驅(qū)動(dòng)中。
[0004]現(xiàn)有的AMOLED像素補(bǔ)償電路通常涉及到多個(gè)TFT串聯(lián)，如圖1所示的一種雙柵極TFT像素補(bǔ)償電路，在數(shù)據(jù)線Vdata與供電壓線V dd這兩條訊號(hào)線之間串聯(lián)了兩個(gè)雙柵極TFT:TFTl與TFT2 ;圖2為對(duì)應(yīng)圖1所示的雙柵極TFT像素補(bǔ)償電路的TFT基板結(jié)構(gòu)，圖3為圖2所示的TFT基板結(jié)構(gòu)中TFT組件與數(shù)據(jù)線、及供電壓線的分布及連接示意圖。
[0005]如圖2和圖3所示，所述TFT基板結(jié)構(gòu)包括從下到上依次設(shè)置的基板100、第一金屬層、柵極絕緣層300、半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋層500、第二金屬層、鈍化層700、及第三金屬層；所述第一金屬層包括間隔設(shè)置的第一底柵極210、及第二底柵極230 ;所述半導(dǎo)體層包括間隔設(shè)置的第一半導(dǎo)體層420、及第二半導(dǎo)體層440 ;所述第二金屬層包括間隔設(shè)置的第一源極610、連接電極620、及第二漏極630 ;所述第三金屬層包括間隔設(shè)置的第一頂柵極820、及第二頂柵極840。
[0006]所述刻蝕阻擋層500上設(shè)有第一通孔510、第二通孔520、第三通孔530、及第四通孔540 ;所述第一源極610通過(guò)第一通孔510與所述第一半導(dǎo)體層420的一端相接觸；所述連接電極620通過(guò)第二通孔520與所述第一半導(dǎo)體層420的另外一端相接觸，同時(shí)通過(guò)第三通孔530與所述第二半導(dǎo)體層440的一端相接觸；所述第二漏極630通過(guò)第四通孔540與所述第二半導(dǎo)體層440的另外一端相接觸。
[0007]所述第一底柵極210、第一半導(dǎo)體層420、第一源極610、連接電極620、及第一頂柵極820構(gòu)成第一雙柵極TFT ;所述第二底柵極230、第二半導(dǎo)體層440、連接電極620、第二漏極630、及第二頂柵極840構(gòu)成第二雙柵極TFT。
[0008]從圖2和圖3中可見(jiàn)，所述連接電極620同時(shí)充當(dāng)?shù)谝浑p柵極TFT的第一漏極、以及第二雙柵極TFT的第二源極，從而將第一雙柵極TFT與第二雙柵極TFT串連起來(lái)，然而，由于該連接電極620所在的第二金屬層還分布有數(shù)據(jù)線Vdata、供電壓線Vdd等訊號(hào)線，使得該連接電極620的設(shè)計(jì)規(guī)則(design rule)很小，而兩個(gè)雙柵極TFT之間再通過(guò)連接電極620橋接會(huì)導(dǎo)致該第二金屬層的設(shè)計(jì)規(guī)則變得更小，不利于高開(kāi)口率、及高分辨率的顯示面板的制作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，通過(guò)將連接兩雙柵極TFT的連接電極設(shè)置于第三金屬層，避免了現(xiàn)有設(shè)計(jì)中將連接電極與數(shù)據(jù)線、供電壓線等訊號(hào)線共同設(shè)置于第二金屬層從而導(dǎo)致該連接電極與第二金屬層的設(shè)計(jì)規(guī)則變小的問(wèn)題，有利于高開(kāi)口率、及高分辨率的顯示面板的制作。
[0010]本發(fā)明的目的還在于提供一種TFT基板結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，具有高開(kāi)口率及高分辨率。
[0011]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟:
[0012]步驟1、提供一基板，在所述基板上沉積第一金屬層，并通過(guò)一道光刻制程圖案化該第一金屬層，形成間隔設(shè)置的第一底柵極、及與第二底柵極；
[0013]步驟2、在所述第一底柵極、第二底柵極、及基板上沉積柵極絕緣層；
[0014]步驟3、在所述柵極絕緣層上沉積一金屬氧化物層，并通過(guò)一道光刻制程對(duì)該金屬氧化物層進(jìn)行圖案化，形成間隔設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、及第二半導(dǎo)體層；
[0015]所述第一半導(dǎo)體層包括第一溝道區(qū)、及分別位于該第一溝道區(qū)兩側(cè)的第一源極接觸區(qū)與第一漏極接觸區(qū)；所述第二半導(dǎo)體層包括第二溝道區(qū)、及分別位于該第二溝道區(qū)兩側(cè)的第二源極接觸區(qū)與第二漏極接觸區(qū)；
[0016]步驟4、在所述第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、及柵極絕緣層上沉積一刻蝕阻擋層，并通過(guò)一道光刻制程在該刻蝕阻擋層上分別形成第一通孔與第二通孔，分別用于暴露第一源極接觸區(qū)與第二漏極接觸區(qū)；
[0017]步驟5、在所述刻蝕阻擋層上沉積第二金屬層，并通過(guò)一道光刻制程圖案化該第二金屬層，形成間隔設(shè)置的第一源極、及第二漏極；
[0018]所述第一源極通過(guò)第一通孔與第一源極接觸區(qū)相接觸；所述第二漏極通過(guò)第二通孔與第二漏極接觸區(qū)相接觸；
[0019]步驟6、在所述第一源極、第二漏極、及刻蝕阻擋層上沉積一鈍化層，并通過(guò)一道光刻制程在該鈍化層和刻蝕阻擋層上分別形成第三通孔與第四通孔，用于暴露第一漏極接觸區(qū)與第二源極接觸區(qū)；
[0020]步驟7、在所述鈍化層上沉積第三金屬層，并通過(guò)一道光刻制程圖案化該第三金屬層，形成間隔設(shè)置的第一頂柵極、連接電極、及第二頂柵極；
[0021]所述連接電極分別通過(guò)第三通孔、及第四通孔與第一漏極接觸區(qū)、及第二源極接觸區(qū)相接觸。
[0022]所述步驟I采用物理氣相沉積法沉積所述第一金屬層，所述第一金屬層的材料為銅、鋁、或鉬，所述步驟I中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程；所述步驟2采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積所述柵極絕緣層，所述柵極絕緣層的材料為氧化硅或氮化硅。
[0023]所述步驟3采用物理氣相沉積法沉積所述該金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料為銦鎵鋅氧化物；所述步驟3中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程。
[0024]所述步驟4采用化學(xué)氣相沉積法沉積所述刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層的材料為氧化硅或氮化硅，所述步驟4中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、干蝕刻、及去光阻制程；所述步驟5采用物理氣相沉積法沉積所述第二金屬層，所述第二金屬層的材料為銅、鋁、或鉬，所述步驟5中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程。
[0025]所述步驟6采用化學(xué)氣相沉積法沉積所述鈍化層，所述鈍化層的材料為氧化硅或氮化硅，所述步驟6中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、干蝕刻、及去光阻制程；所述步驟7采用物理氣相沉積法沉積所述第三金屬層，所述第三金屬層的材料為銅、鋁、或鉬，所述步驟7中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程。
[0026]本發(fā)明還提供一種TFT基板結(jié)構(gòu)，其包括從下到上依次設(shè)置的:基板、第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋層、第二金屬層、鈍化層、及第三金屬層；所述第一金屬層包括間隔設(shè)置的第一底柵極、及第二底柵極；所述半導(dǎo)體層包括間隔設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、及第二半導(dǎo)體層；所述第二金屬層包括間隔設(shè)置的第一源極、及第二漏極；所述第三金屬層包括間隔設(shè)置的第一頂柵極、連接電極、及第二頂柵極；
[0027]所述刻蝕阻擋層上形成有第一通孔與第二通孔；所述鈍化層和刻蝕阻擋層上形成有第三通孔、及第四通孔；所述第一源極通過(guò)第一通孔與第一半導(dǎo)體層的一端相接觸，所述連接電極通過(guò)第三通孔與第一半導(dǎo)體層的另外一端相接觸，同時(shí)通過(guò)第四通孔與第二半導(dǎo)體層的一端相接觸；所述第二漏極通過(guò)第二通孔與所述第二半導(dǎo)體層的另外一端相接觸；
[0028]所述第一底柵極、第一半導(dǎo)體層、第一源極、連接電極、及第一頂柵極構(gòu)成第一雙柵極TFT ;所述第二底柵極、第二半導(dǎo)體層、連接電極、第二漏極、及第二頂柵極構(gòu)成第二雙柵極TFT ;所述連接電極同時(shí)充當(dāng)?shù)谝浑p柵極TFT的第一漏極、及第二雙柵極TFT的第二源極，從而將第一雙柵極TFT與第二雙柵極TFT串聯(lián)起來(lái)。
[0029]所述第一半導(dǎo)體層包括第一溝道區(qū)、及分別位于該第一溝道區(qū)兩側(cè)的第一源極接觸區(qū)與第一漏極接觸區(qū)；所述第二半導(dǎo)體層包括第二溝道區(qū)、及分別位于該第二溝道區(qū)兩側(cè)的第二源極接觸區(qū)與第二漏極接觸區(qū)。
[0030]所述第一通孔、第三通孔、第四通孔、及第二通孔分別用于暴露第一源極接觸區(qū)、第一漏極接觸區(qū)、第二源極接觸區(qū)、及第二漏極接觸區(qū)。
[0031]所述第一源極通過(guò)第一通孔與第一源極