于像素電極層9上， 并具有暴露出部分像素電極層9的開口 101;所述有機(jī)發(fā)光層11設(shè)于所述像素電極層9上 的開口 101內(nèi)；所述金屬陰極層12設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層11與像素隔離層10上。
[0092] 所述柵極金屬防反層2的材料為二氧化硅，厚度為丨〇〇〇~3000A ￡
[0093] 所述蝕刻阻擋與源/漏極防反層6的材料為氧化硅，厚度為500~2000A。
[0094] 本發(fā)明的AM0LED顯示器件，由于設(shè)置了柵極防反層2與蝕刻阻擋與源/漏極防反 層6,二者粗糙的表面能夠?qū)τ赏獠凯h(huán)境進(jìn)入到AM0LED顯示器件內(nèi)的光進(jìn)行散射，防止柵 極3、源/漏極71、數(shù)據(jù)線72、像素電極層9與金屬陰極層12對(duì)外部環(huán)境光的反射，從而使 得AM0LED顯示器件具有較高的顯示亮度與使用壽命，厚度較小、制作成本較低。
[0095] 綜上所述，本發(fā)明的AM0LED顯示器件的制作方法，通過(guò)在制作柵極之前沉積一層 無(wú)機(jī)膜，并對(duì)該無(wú)機(jī)膜進(jìn)行等離子轟擊處理，使其表面粗糙化，形成柵極防反層，以及在制 作源/漏極與數(shù)據(jù)線之前沉積一層無(wú)機(jī)膜，并對(duì)該無(wú)機(jī)膜進(jìn)行等離子轟擊處理，使其表面 粗糙化，形成蝕刻阻擋與源/漏極防反層，能夠在不增加圓偏光片的前提下，使得AMOLED顯示器件具有良好的防止外部環(huán)境光反射的作用，提高AM0LED顯示器件的顯示亮度，延長(zhǎng) AMOLED顯示器件的使用壽命，降低AMOLED顯示器件的厚度和制作成本。本發(fā)明的AMOLED顯 示器件結(jié)構(gòu)，其陣列基板在柵極下設(shè)置表面粗糙的柵極金屬防反層，在源/漏極與數(shù)據(jù)線 下設(shè)有表面粗糙的蝕刻阻擋與源/漏極防反層，具有良好的防止外部環(huán)境光反射的作用， 具有較高的顯示亮度與使用壽命，厚度較小、制作成本較低。
[0096] 以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的 保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，包括： 在制作柵極（3)之前沉積一層無(wú)機(jī)膜，并對(duì)該無(wú)機(jī)膜進(jìn)行等離子轟擊處理，使其表面 粗糙化，形成柵極防反層（2)的步驟； 以及在制作源/漏極（71)與數(shù)據(jù)線（72)之前沉積一層無(wú)機(jī)膜，并對(duì)該無(wú)機(jī)膜進(jìn)行等 離子轟擊處理，使其表面粗糙化，形成蝕刻阻擋與源/漏極防反層（6)的步驟。2. 如權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供一基板（1)，在所述基板（1)上沉積一層無(wú)機(jī)膜，并對(duì)該無(wú)機(jī)膜進(jìn)行等離子 轟擊處理，使其表面粗糙化，形成柵極防反層（2); 步驟2、在所述柵極防反層（2)上沉積第一金屬層，并對(duì)該第一金屬層進(jìn)行圖案化處 理，形成柵極（3); 步驟3、在所述柵極（3)及柵極防反層（2)上沉積柵極絕緣層（4); 步驟4、在所述柵極絕緣層（4)上沉積半導(dǎo)體膜，并對(duì)該半導(dǎo)體膜進(jìn)行圖案化處理，形 成島狀有源層（5); 步驟5、在所述島狀有源層（5)與柵極絕緣層（4)上沉積一層無(wú)機(jī)膜，并對(duì)該無(wú)機(jī)膜進(jìn) 行等離子轟擊處理，使其表面粗糙化，形成蝕刻阻擋與源/漏極防反層（6)，再對(duì)所述蝕刻 阻擋與源/漏極防反層（6)進(jìn)行圖案化處理，制得分別暴露出所述島狀有源層（5)兩側(cè)的 第一過(guò)孔（61)與第二過(guò)孔（62); 步驟6、在所述蝕刻阻擋與源/漏極防反層（6)上沉積第二金屬層，并對(duì)該第二金屬層 進(jìn)行圖案化處理，形成源/漏極（71)與數(shù)據(jù)線（72)，所述源/漏極（71)分別通過(guò)第一過(guò)孔 (61)與第二過(guò)孔（62)接觸所述島狀有源層（5); 步驟7、在所述源/漏極（71)、數(shù)據(jù)線（72)及蝕刻阻擋與源/漏極防反層（6)上沉積 鈍化保護(hù)膜（8)，并對(duì)該鈍化保護(hù)膜（8)進(jìn)行圖案化處理，形成暴露出部分源/漏極（71)的 第三過(guò)孔（81); 步驟8、在所述鈍化保護(hù)膜（8)上沉積透明電極層，并對(duì)該透明電極層進(jìn)行圖案化處 理，形成像素電極層（9)，所述像素電極層（9)通過(guò)第三過(guò)孔（81)接觸部分源/漏極（71); 步驟9、在所述像素電極層（9)與鈍化保護(hù)膜（8)上沉積像素隔離層（10)，并對(duì)該像素 隔離層（10)進(jìn)行圖案化處理，形成暴露出部分像素電極層（9)的開口（101); 步驟10、采用蒸鍍工藝在所述開口（101)內(nèi)形成有機(jī)發(fā)光層（11); 步驟11、在所述有機(jī)發(fā)光層（11)與像素隔離層（10)上濺射一層金屬陰極層（12); 步驟12、使用封裝蓋板（13)進(jìn)行封裝。3. 如權(quán)利要求2所述的AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟1中的無(wú) 機(jī)膜的材料為二氧化硅，厚度為1000~3000A。4.如權(quán)利要求2所述的AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟5中的無(wú) 機(jī)膜的材料為氧化硅，厚度為500~2000A。5. 如權(quán)利要求2所述的AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟1與步驟 5中進(jìn)行等離子轟擊處理所使用的氣體為氮?dú)狻⒀鯕?、或二氧化氮?. 如權(quán)利要求2所述的AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟2中的第 一金屬層的材料為鉻、鉬、鋁、銅中的一種或多種的組合，厚度為1000~6000 A; 所述步驟3中的柵極絕緣層⑷的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合，厚度為2000~5000 人； 所述步驟4中半導(dǎo)體膜的材料為鋅氧化物、銦鋅氧化物、鋅錫氧化物、銦鎵鋅氧化物、 銦鋯鋅氧化物中的一種，厚度為200~2000 A; 所述步驟6中第二金屬層的材料為鉻、鉬、鋁、銅中的一種或多種的組合，厚度為 1000~6000 A; 所述步驟7中鈍化保護(hù)膜（8)的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合，厚度為2000 ~4000 A; 所述步驟8中透明電極層的材料為氧化銦錫、或氧化銦鋅，厚度為100~1000 A; 所述步驟9中的像素隔離層（10)的材料為氧化硅，厚度為500~2000A; 所述步驟10有機(jī)發(fā)光層（11)包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層 和電子注入層。7. -種AM0LED顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括陣列基板、及自下而上依次設(shè)于所述 陣列基板上的鈍化保護(hù)膜（8)、像素電極層（9)、像素隔離層（10)、有機(jī)發(fā)光層（11)、金屬陰 極層（12)、及封裝蓋板（13); 所述陣列基板在柵極（3)下設(shè)有表面粗糙的柵極金屬防反層（2)，在源/漏極（71)與 數(shù)據(jù)線（72)下設(shè)有表面粗糙的蝕刻阻擋與源/漏極防反層（6)。8. 如權(quán)利要求7所述的AM0LED顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陣列基板包括基板 (1)、設(shè)于所述基板（1)上的柵極防反層（2)、設(shè)于所述柵極防反層（2)上的柵極（3)、設(shè)于 所述柵極（3)及柵極防反層（2)上的柵極絕緣層（4)、于所述柵極（3)上方設(shè)于所述柵極絕 緣層（4)上的島狀有源層（5)、設(shè)于所述島狀有源層（5)與柵極絕緣層（4)上的蝕刻阻擋與 源/漏極防反層（6)、及設(shè)于所述蝕刻阻擋與源/漏極防反層（6)上的源/漏極（71)與數(shù) 據(jù)線（72);所述蝕刻阻擋與源/漏極防反層（6)具有分別暴露出所述島狀有源層（5)兩側(cè) 的第一過(guò)孔（61)與第二過(guò)孔（62);所述源/漏極（71)分別通過(guò)第一過(guò)孔（61)與第二過(guò) 孔（62)接觸所述島狀有源層（5); 所述鈍化保護(hù)膜（8)設(shè)于源/漏極（71)、數(shù)據(jù)線（72)及蝕刻阻擋與源/漏極防反層 (6)上，并具有暴露出部分源/漏極（71)的第三過(guò)孔（81); 所述像素電極層（9)設(shè)于所述鈍化保護(hù)膜（8)上，并通過(guò)第三過(guò)孔（81)接觸部分源/ 漏極（71); 所述像素隔離層（10)設(shè)于像素電極層（9)上，并具有暴露出部分像素電極層（9)的開 口 （101); 所述有機(jī)發(fā)光層（11)設(shè)于所述像素電極層（9)上的開口（101)內(nèi)； 所述金屬陰極層（12)設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層（11)與像素隔離層（10)上。9. 如權(quán)利要求8所述的AM0LED顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極金屬防反層（2) 的材料為二氧化娃，厚度為丨〇〇〇~3000A。10. 如權(quán)利要求8所述的AM0LED顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述蝕刻阻擋與源/漏極
【專利摘要】本發(fā)明提供一種AMOLED顯示器件的制作方法及其結(jié)構(gòu)。該AMOLED顯示器件的制作方法通過(guò)在制作柵極(3)之前沉積一層無(wú)機(jī)膜，并進(jìn)行等離子轟擊處理，形成柵極防反層(2)，以及在制作源/漏極(71)與數(shù)據(jù)線(72)之前沉積一層無(wú)機(jī)膜，并進(jìn)行等離子轟擊處理，形成蝕刻阻擋與源/漏極防反層(6)，能夠使得AMOLED顯示器件具有良好的防止外部環(huán)境光反射的作用，提高AMOLED顯示器件的顯示亮度，延長(zhǎng)AMOLED顯示器件的使用壽命，降低AMOLED顯示器件的厚度和制作成本。該AMOLED顯示器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)設(shè)置柵極金屬防反層(2)與蝕刻阻擋與源/漏極防反層(6)，具有良好的防止外部環(huán)境光反射的作用，具有較高的顯示亮度與使用壽命，厚度較小、制作成本較低。
【IPC分類】H01L27/32, H01L21/77
【公開號(hào)】CN104952791
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510366825
【發(fā)明人】徐向陽(yáng)
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2015年6月26日