Amoled顯示器件的制作方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED顯示器件的制作方法及其結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管（OrganicLightEmittingDisplay，0LED)顯示器件具有自發(fā) 光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍 寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示 裝置。
[0003] 0LED顯示器件按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(PassiveMatrix0LED， PM0LED)和有源矩陣型OLED(ActiveMatrix0LED，AM0LED)兩大類。其中，AMOLED具有呈陣 列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
[0004] 主動有機(jī)發(fā)光顯示器（AMOLED)是一種利用直流電壓驅(qū)動的薄膜發(fā)光器件， AMOLED顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的LCD顯示方式不同，無需背光燈，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和 玻璃基板，當(dāng)有電流通過時，這些有機(jī)材料就會發(fā)光，而且AMOLED顯示器件可以做得更輕 薄，可視角度更大，并且能夠顯著節(jié)省電能。
[0005] 如圖1所示，現(xiàn)有的AMOLED顯示器件通常自下而上依次設(shè)置：玻璃基板100、薄膜 晶體管（TFT)陣列層200、像素電極層即陽極層300、有機(jī)發(fā)光層400、陰極層500、及封裝蓋 板600。其中，TFT陣列層200內(nèi)的柵極、數(shù)據(jù)線、與源/漏極均為金屬層，金屬的反光能力 較強(qiáng)，而且分別設(shè)于有機(jī)發(fā)光層400上、下兩側(cè)的陽極層300與陰極層500 -般都采用反 光或半反光材料，同時，AMOLED顯示器件內(nèi)與有機(jī)發(fā)光層400相對的區(qū)域均為開口區(qū)域，使 得外部環(huán)境光可以進(jìn)入AMOLED顯示器件并發(fā)生強(qiáng)烈的反射，影響AMOLED顯示器件的顯示 效果。目前，解決AMOLED顯示器件光反射的方法通常采用在玻璃基板100或封裝蓋板600 上貼合一片圓偏光片，如圖1示意出了將原偏光片700貼合在玻璃基板100下表面，利用圓 偏光片700起到防反作用。但貼合圓偏光片帶來的負(fù)面影響是：0LED顯示器件的顯示亮度 降低明顯，為實現(xiàn)0LED顯示器件與貼片前有同等的顯示亮度，則功耗會相應(yīng)增加，功耗的 增加又會帶來AMOLED顯示器件壽命的大幅縮短，整個AMOLED顯示器件的厚度也增加了約 160ym甚至更多，另外，增加圓偏光片也會拉高AMOLED顯示器件的制作成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種AMOLED顯示器件的制作方法，能夠在不增加圓偏光 片的前提下，使得AMOLED顯示器件具有良好的防止外部環(huán)境光反射的作用，提高AMOLED顯 示器件的顯示亮度，延長AMOLED顯示器件的使用壽命，降低AMOLED顯示器件的厚度和制作 成本。
[0007] 本發(fā)明的目的還在于提供一種MOLED顯示器件結(jié)構(gòu)，具有良好的防止外部環(huán)境光 反射的作用，具有較高的顯示亮度與使用壽命，厚度較小、制作成本較低。
[0008] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種AMOLED顯示器件的制作方法，包括：
[0009]在制作柵極之前沉積一層無機(jī)膜，并對該無機(jī)膜進(jìn)行等離子轟擊處理，使其表面 粗糙化，形成柵極防反層的步驟；
[0010] 以及在制作源/漏極與數(shù)據(jù)線之前沉積一層無機(jī)膜，并對該無機(jī)膜進(jìn)行等離子轟 擊處理，使其表面粗糙化，形成蝕刻阻擋與源/漏極防反層的步驟。
[0011] 所述AMOLED顯示器件的制作方法包括如下步驟：
[0012] 步驟1、提供一基板，在所述基板上沉積一層無機(jī)膜，并對該無機(jī)膜進(jìn)行等離子轟 擊處理，使其表面粗糙化，形成柵極防反層；
[0013] 步驟2、在所述柵極防反層上沉積第一金屬層，并對該第一金屬層進(jìn)行圖案化處 理，形成柵極；
[0014] 步驟3、在所述柵極及柵極防反層上沉積柵極絕緣層；
[0015] 步驟4、在所述柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜，并對該半導(dǎo)體膜進(jìn)行圖案化處理，形 成島狀有源層；
[0016] 步驟5、在所述島狀有源層與柵極絕緣層上沉積一層無機(jī)膜，并對該無機(jī)膜進(jìn)行等 離子轟擊處理，使其表面粗糙化，形成蝕刻阻擋與源/漏極防反層，再對所述蝕刻阻擋與源 /漏極防反層進(jìn)行圖案化處理，制得分別暴露出所述島狀有源層兩側(cè)的第一過孔與第二過 孔；
[0017] 步驟6、在所述蝕刻阻擋與源/漏極防反層上沉積第二金屬層，并對該第二金屬層 進(jìn)行圖案化處理，形成源/漏極與數(shù)據(jù)線，所述源/漏極分別通過第一過孔與第二過孔接觸 所述島狀有源層；
[0018] 步驟7、在所述源/漏極、數(shù)據(jù)線及蝕刻阻擋與源/漏極防反層上沉積鈍化保護(hù)膜， 并對該鈍化保護(hù)膜進(jìn)行圖案化處理，形成暴露出部分源/漏極的第三過孔；
[0019] 步驟8、在所述鈍化保護(hù)膜上沉積透明電極層，并對該透明電極層進(jìn)行圖案化處 理，形成像素電極層，所述像素電極層通過第三過孔接觸部分源/漏極；
[0020] 步驟9、在所述像素電極層與鈍化保護(hù)膜上沉積像素隔離層，并對該像素隔離層進(jìn) 行圖案化處理，形成暴露出部分像素電極層的開口；
[0021] 步驟10、采用蒸鍍工藝在所述開口內(nèi)形成有機(jī)發(fā)光層；
[0022] 步驟11、在所述有機(jī)發(fā)光層與像素隔離層上濺射一層金屬陰極層；
[0023] 步驟12、使用封裝蓋板進(jìn)行封裝。
[0024]所述步驟1中的無機(jī)膜的材料為二氧化硅，厚度為丨000~3000A;
[0025]所述步驟2中的第一金屬層的材料為鉻、鉬、鋁、銅中的一種或多種的組合，厚度 為1000~6000A;
[0026] 所述步驟3中的柵極絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合，厚度為 2000 ~5000 人；
[0027]所述步驟4中半導(dǎo)體膜的材料為鋅氧化物、銦鋅氧化物、鋅錫氧化物、銦鎵鋅氧化 物、銦鋯鋅氧化物中的一種，厚度為200~2000入；
[0028]所述步驟5中的無機(jī)膜的材料為氧化娃，厚度為500~2000A;
[0029]所述步驟1與步驟5中進(jìn)行等離子轟擊處理所使用的氣體為氮?dú)狻⒀鯕?、或二氧?氮；
[0030] 所述步驟6中第二金屬層的材料為鉻、鉬、鋁、銅中的一種或多種的組合，厚度為 1000 ~6000A;
[0031] 所述步驟7中鈍化保護(hù)膜的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合，厚度為 2000~4000人；
[0032] 所述步驟8中透明電極層的材料為氧化銦錫、或氧化銦鋅，厚度為100~ 1000 A；
[0033] 所述步驟9中的像素隔離層的材料為氧化娃，厚度為500~2000A;
[0034]所述步驟10有機(jī)發(fā)光層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層 和電子注入層。
[0035] 本發(fā)明還提供了一種AM0LED顯示器件結(jié)構(gòu)，包括陣列基板、及自下而上依次設(shè)于 所述陣列基板上的鈍化保護(hù)膜、像素電極層、像素隔離層、有機(jī)發(fā)光層、金屬陰極層、及封裝 蓋板；
[0036] 所述陣列基板在柵極下設(shè)有表面粗糙的柵極金屬防反層，在源/漏極與數(shù)據(jù)線下 設(shè)有表面粗糙的蝕刻阻擋與源/漏極防反層。
[0037] 所述陣列基板包括基板、設(shè)于所述基板上的柵極防反層、設(shè)于所述柵極防反層上 的柵極、設(shè)于所述柵極及柵極防反層上的柵極絕緣層、于所述柵極上方設(shè)于所述柵極絕緣 層上的島狀有源層、設(shè)于所述島狀有源層與柵極絕緣層上的蝕刻阻擋與源/漏極防反層、 及設(shè)于所述蝕刻阻擋與源/漏極防反層上的源/漏極與數(shù)據(jù)線；所述蝕刻阻擋與源/漏極 防反層具有分別暴露出所述島狀有源層兩側(cè)的第一過孔與第二過孔；所述源/漏極分別通 過第一過孔與第二過孔接觸所述島狀有源層；
[0038] 所述鈍化保護(hù)膜設(shè)于源/漏極、數(shù)據(jù)線及蝕刻阻擋與源/漏極防反層上，并具有暴 露出部分源/漏極的第三過孔；
[0039] 所述像素電極層設(shè)于所述鈍化保護(hù)膜上，并通過第三過孔接觸部分源/漏極；
[0040] 所述像素隔離層設(shè)于像素電極層上，并具有暴露出部分像素電極層的開口；
[0041] 所述有機(jī)發(fā)光層設(shè)于所述像素電極層上的開口內(nèi)；
[0042] 所述金屬陰極層設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層與像素隔離層上。
[0043] 所述柵極金屬防反層的材料為二氧化硅，厚度為1000~3000A。
[0044] 所述蝕刻阻擋與源/漏極防反層的材料為氧化娃，厚度為500~2000人。
[0045] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種AM0LED顯示器件的制作方法，通過在制作 柵極之前沉積一層無機(jī)膜，并對該無機(jī)膜進(jìn)行等離子轟擊處理，使其表面粗糙化，形成柵極 防反層，以及在制作源/漏極與數(shù)據(jù)線之前沉積一層無機(jī)膜，并對該無機(jī)膜進(jìn)行等離子轟 擊處理，使其表面粗糙化，形成蝕刻阻擋與源/漏極防反層，能夠在不增加圓偏光片的前提 下，使得AM0LED顯示器件具有良好的防止外部環(huán)境光反射的作用，提高