多層陶瓷電子組件和具有該多層陶瓷電子組件的組裝板的制作方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求于2014年3月7日在韓國知識產權局提交的第10-2014-0027323號 韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用包含于此。
技術領域
[0002] 本公開涉及一種多層陶瓷電子組件、該多層陶瓷電子組件的制造方法及其上安裝 有該多層陶瓷電子組件的板。
【背景技術】
[0003] 通常，諸如電容器、電感器、壓電元件、變阻器、熱敏電阻等的部分地由陶瓷材料形 成的電子組件包括由陶瓷材料形成的陶瓷主體、形成在陶瓷主體內的內電極和安裝在陶瓷 主體的至少一個表面上W連接到內電極的外電極。
[0004] 在陶瓷電子組件之中，多層陶瓷電容器可W包括多個堆疊的介電層、使至少一個 介電層置于其間的設置為彼此面對的內電極和電連接到內電極的外電極。
[0005] 多層陶瓷電容器可W安裝在板上。多層陶瓷電容器可W通過焊接電連接到電路板 上的安裝焊盤，安裝焊盤可W通過電路板的布線圖案或導電通路連接到其他外部電路。

【發(fā)明內容】

[0006] 本公開的一方面可W提供一種多層陶瓷電容器和用于安裝該多層陶瓷電容器的 板。
[0007] 根據本公開的一方面，提供了一種多層陶瓷電子組件。該組件包括：陶瓷主體，包 括沿寬度方向堆疊的多個介電層和多個內電極；外電極；體積增大部，設置在陶瓷主體的 沿厚度方向的下部中，W允許陶瓷主體的下邊緣部分的體積比陶瓷主體的上邊緣部分的體 積大。
[0008] 體積增大部可W由虛設電極圖案部形成，其中，虛設電極圖案部包括沿厚度方向 設置在陶瓷主體的有效部內的內電極之下的虛設電極圖案部和設置在陶瓷主體的覆蓋部 的沿厚度方向的下部中的虛設電極圖案部中的至少一個。
[0009] 根據本公開的另一方面，提供了一種多層陶瓷電子組件。該組件包括：陶瓷主體， 包括沿寬度方向堆疊的多個介電層和多個內電極；外電極；虛設電極圖案部，設置在陶瓷 主體的沿厚度方向的下部中，W允許陶瓷主體的重也位于陶瓷主體的沿厚度方向的中也之 下。
[0010] 根據本公開的又一方面，提供了一種具有多層陶瓷電子組件的組裝板。該板包括： 印刷電路板，第一電極焊盤和第二電極焊盤形成在印刷電路板上；多層陶瓷電子組件，安裝 在印刷電路板上。體積增大部設置在多層陶瓷電子組件中的陶瓷主體的下部中，W允許陶 瓷主體的下邊緣部分的體積比陶瓷主體的上邊緣部分的體積大。
【附圖說明】
[0011] 通過結合附圖進行下面的詳細描述，本公開的W上和其他方面、特征和其他優(yōu)點 將被更清楚地理解，在附圖中：
[0012] 圖1是示意性地示出根據本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件的局部剖 開透視圖；
[0013] 圖2是示意性地示出根據本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件的陶瓷主 體的透視圖；
[0014] 圖3是示意性地示出根據本公開的第一示例性實施例的多層陶瓷電子組件的局 部剖開透視圖；
[0015] 圖4是示意性地示出根據本公開的第一示例性實施例的多層陶瓷電子組件的陶 瓷主體的透視圖；
[0016] 圖5A是沿圖3的線A-A'截取的剖視圖；
[0017] 圖5B是根據本公開的第一示例性實施例的多層陶瓷電子組件的沿長度-厚度方 向的剖視圖；
[001引圖6A、圖7A、圖8A和圖9A是根據本公開的第一示例性實施例的多層陶瓷電子組 件的沿寬度-厚度方向的剖視圖，它們示出了設置在有效部中的虛設電極圖案的改進示 例；
[0019] 圖她、圖7B、圖8B和圖9B是根據本公開的第一示例性實施例的多層陶瓷電子組 件的沿長度-厚度方向的剖視圖，它們示出了設置在有效部中的虛設電極圖案的改進示 例；
[0020] 圖10是示出根據本公開的第二示例性實施例的多層陶瓷電子組件的透視圖；
[0021] 圖11A是沿圖10的線B-B'截取的剖視圖；
[0022] 圖11B是根據本公開的第二示例性實施例的多層陶瓷電子組件的沿長度-厚度方 向的剖視圖；
[0023] 圖12是示出根據本公開的第H示例性實施例的多層陶瓷電子組件的透視圖；
[0024] 圖13是沿圖12的線C-C'截取的剖視圖；
[0025] 圖14至圖16是示出根據本公開的第四示例性實施例的其上安裝有多層陶瓷電子 組件的板的透視圖。
【具體實施方式】
[0026] 現在將參照附圖詳細描述本公開的示例性實施例。
[0027] 然而，本公開可很多不同的形式來舉例說明，并不應該被解釋為限制于在此 闡述的特定實施例。相反，提供該些實施例使得本公開將是徹底的和完整的，該些實施例將 把本公開的范圍充分地傳達給本領域技術人員。
[002引在附圖中，為了清晰起見，可W夸大元件的形狀和尺寸，并將始終使用相同的附圖 標記來指示相同或相似的元件。
[0029] 《房陶瓷由子紐件
[0030] 圖1是示意性地示出根據本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件的局部剖 開透視圖。
[0031] 圖2是示意性地示出根據本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件的陶瓷主 體的透視圖。
[0032] 參照圖1和圖2,根據本公開的該示例性實施例的多層陶瓷電子組件100可W包 括：陶瓷主體110，包括多個介電層111，具有沿厚度方向彼此相對的上表面St和下表面苗、 沿寬度方向彼此相對的第一側表面1和第二側表面2W及沿長度方向彼此相對的第一端表 面3和第二端表面4,并且具有比其寬度大的厚度；第一內電極121和第二內電極122,沿寬 度方向堆疊在陶瓷主體內，具有設置在第一內電極121和第二內電極122之間的至少一個 介電層；體積增大部，設置在陶瓷主體的沿厚度方向的下部中，W允許陶瓷主體的下邊緣部 分118的體積比陶瓷主體的上邊緣部分117的體積大。
[0033] 根據本公開的示例性實施例，體積增大部可W由虛設電極圖案部140形成。
[0034] 在體積增大部由虛設電極圖案部140形成的情況下，虛設電極圖案可W設置在介 電層上并且沿寬度方向堆疊在陶瓷主體內。與虛設電極圖案沒有設置在陶瓷主體內的情況 相比，陶瓷主體的下邊緣部分的體積可W通過設置在陶瓷主體的下部中的虛設電極圖案而 增大。
[00巧]參照圖1和圖2,在虛設電極圖案部140沒有設置在陶瓷主體的上部和下部中或者 虛設電極圖案部140設置在陶瓷主體的上部和下部二者中的情況下，陶瓷主體的重也近似 設置在穿過陶瓷主體的沿厚度方向的中也的直線Li上。然而，在如本公開的示例性實施例 中的虛設電極圖案部140僅設置在陶瓷主體的下部中的情況下，陶瓷主體的重也0可W設 置在位于陶瓷主體的沿厚度方向的中也下面的直線L,上。
[0036] 由于重也0設置為更靠近陶瓷主體的安裝表面，因此在安裝陶瓷主體時可W減少 芯片傾倒現象，從而可W保證安裝穩(wěn)定性。
[0037] 根據本公開的示例性實施例，虛設電極圖案部140設置在陶瓷主體的下部中，使 得陶瓷主體110的下邊緣部分118的體積可W大于陶瓷主體110的上邊緣部分117的體積。 [003引根據本公開的示例性實施例，虛設電極圖案部140設置在陶瓷主體110的下部中， 使得陶瓷主體的在其處陶瓷主體110的下表面Sb與陶瓷主體110的端表面3或4相遇的邊 緣可W比陶瓷主體110的在其處陶瓷主體110的上表面St與陶瓷主體110的端表面3或4 相遇的邊緣長。
[0039] 另外，陶瓷主體110的下表面Sb(安裝表面）的面積可W比陶瓷主體的上表面St 的面積大。
[0040] 在下文中，將詳細地描述根據本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件。多層 陶瓷電容器將作為寬范圍的電子組件的代表，并且本公開不限于此。
[0041] 圖3是示意性地示出根據本公開的第一示例性實施例的多層陶瓷電子組件的局 部剖開透視圖，圖4是示意性地示出根據本公開的第一示例性實施例的多層陶瓷電子組件 的陶瓷主體的透視圖。
[0042] 參照圖3,根據本示例性實施例的多層陶瓷電子組件可W包括陶瓷主體110W及 第一外電極131和第二外電極132。
[0043] 參照圖4,陶瓷主體110可W具有沿厚度方向彼此相對的上表面St和下表面苗、設 置在上表面和下表面之間同時沿寬度方向彼此相對的第一側表面1和第二側表面2W及設 置在上表面和下表面之間同時沿長度方向彼此相對的第一端表面3和第二端表面4。
[0044] 陶瓷主體110的形狀不受具體限制，然而，陶瓷主體110可W具有大體上六面體形 狀。
[0045] 盡管下面進行詳細描述，但是陶瓷主體的沿厚度方向的下邊緣部分118的寬度可 W比陶瓷主體的沿厚度方向的上邊緣部分117的寬度寬。
[0046] 此外，陶瓷主體的下表面Sb的面積可W比陶瓷主體的上表面St的面積大。
[0047] 陶瓷主體110可W通過堆疊多個介電層111來形成。如圖3中所示，陶瓷主體可 W包括形成在介電層111上的內電極121和122,并且可W通過堆疊其上形成有內電極的多 個介電層來形成。
[0048] 陶瓷主體可W包括設置在陶瓷主體的沿厚度方向的下部中的虛設電極圖案部 140。
[0049] 內電極可W包括第一內電極121和第二內電極122,其中，第一內電極和第二內電 極可W交替地設置在介電層上，使至少一個介電層設置在第一內電極和第二內電極之間， 從而堆疊在陶瓷主體的寬度方向上。
[0050] 第一內電極121和第二內電極122可W沿陶瓷主體的寬度方向堆疊，W交替地暴 露到陶瓷主體的第一端表面3和第二端表面4。
[0051] 另外，為了保護內電極不受外部沖擊，陶瓷主體110可W包括設置在最外面的內 電極外面的覆蓋部112和113。
[0052] 陶瓷主體110可W包括有效部115W及堆疊在有效部的兩側上W設置在陶瓷主體 的沿寬度方向的側部中的覆蓋部112和113。有效部可W包括其中內電極和介電層交替地 堆疊從而有助于電容形成的電容形成部分W及設置在電容形成部分的上側和下側中的內 電極沒有形成在其中的上邊緣部分和下邊緣部分的部分。有效部可W包括設置在有效部的 下邊緣部分中的虛設電極。