陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、以及包括該陣 列基板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示屏的分辨率越來(lái)越高，單個(gè)像素的尺寸逐漸減小，像素之間的間距也逐 漸變窄。對(duì)于頂層電極充當(dāng)像素電極的產(chǎn)品，如圖1所示，由于像素電極1在邊緣處的電場(chǎng) 最強(qiáng)，液晶偏轉(zhuǎn)最明顯，因此為了提高透過(guò)率，通常將像素電極1設(shè)計(jì)成具有兩條分電極的 分立圖形結(jié)構(gòu)，如圖2所示。
[0003] 與單條像素電極的設(shè)計(jì)方案相比，分立像素電極的透過(guò)率明顯提高。并且，在具有 分立圖形結(jié)構(gòu)的像素電極中，兩條分電極之間的間隙越小，產(chǎn)品的整體透過(guò)率越高。
[0004] 然而，分立像素電極在設(shè)計(jì)上不同于公共電極，兩條分電極的間隙處不允許有電 極材料殘留。因此當(dāng)顯示屏的分辨率繼續(xù)提高時(shí)，具有分立結(jié)構(gòu)的像素電極在尺寸設(shè)計(jì)上 會(huì)受到曝光機(jī)分辨率的限制，過(guò)于精細(xì)的間隙將無(wú)法實(shí)現(xiàn)，而只能采用單條像素電極的結(jié) 構(gòu)，這會(huì)使透過(guò)率大大降低，不利于產(chǎn)品特性的提升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以解決具有分立 結(jié)構(gòu)的像素電極在尺寸設(shè)計(jì)和制作過(guò)程中受到曝光機(jī)分辨率限制的技術(shù)問(wèn)題。
[0006] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，作為本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種陣列基板，所述陣列基 板包括像素電極和薄膜晶體管，所述像素電極包括第一分電極、與該第一分電極一體形成 的第一連接部、第二分電極和與該第二分電極一體形成的第二連接部，所述第一分電極和 所述第二分電極絕緣分層設(shè)置，所述第一連接部和所述第二連接部均與所述薄膜晶體管的 漏極電連接。
[0007] 優(yōu)選地，所述第一分電極和所述第二分電極之間設(shè)置有第一鈍化層，所述第一分 電極和所述第二分電極通過(guò)所述第一鈍化層絕緣設(shè)置。
[0008] 優(yōu)選地，所述第一鈍化層的厚度在300A-500A之間。
[0009]優(yōu)選地，制作所述第一鈍化層的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的任意一種 或幾種。
[0010] 優(yōu)選地，所述第一分電極包括第一條形部和與所述第一條形部連接的第一彎折 部，所述第一彎折部與所述第一連接部分別位于所述第一條形部的兩端，所述第二分電極 包括第二條形部和與所述第二條形部連接的第二彎折部，所述第二彎折部與所述第二連接 部分別位于所述第二條形部的兩端，所述第一彎折部在所述陣列基板上的正投影和所述第 二彎折部在所述陣列基板上的正投影至少部分重疊。
[0011] 優(yōu)選地，所述第一分電極和所述第二分電極中位于下層的一者的寬度大于或者等 于位于上層的一者的寬度。
[0012] 優(yōu)選地，所述陣列基板還包括襯底和依次設(shè)置在所述襯底上的柵極、柵絕緣層、有 源層、源極和漏極、平坦化層、公共電極、以及第二鈍化層，所述像素電極形成在所述第二鈍 化層上。
[0013] 優(yōu)選地，所述第二鈍化層上設(shè)置有第二過(guò)孔，所述第一連接部穿過(guò)所述第二過(guò)孔 與所述漏極電連接，所述第一分電極和所述第二分電極之間設(shè)置有第一鈍化層，所述第一 鈍化層上設(shè)置有第一過(guò)孔，所述第二連接部穿過(guò)所述第一過(guò)孔與所述漏極電連接，所述第 一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔同軸設(shè)置。
[0014] 作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括本發(fā)明所提 供的上述陣列基板。
[0015] 作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，還提供一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟：
[0016] 形成第一分電極和與該第一分電極連接為一體的第一連接部；
[0017] 形成與所述第一分電極絕緣分層設(shè)置的第二分電極、以及與該第二分電極連接為 一體的第二連接部；
[0018] 其中，所述第一連接部和所述第二連接部均與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0019] 優(yōu)選地，形成與所述第一分電極絕緣分層設(shè)置的第二分電極、以及與該第二分電 極連接為一體的第二連接部的步驟包括：
[0020] 在所述第一分電極和與該第一分電極連接為一體的第一連接部上形成第一鈍化 層；
[0021] 在所述第一鈍化層上形成所述第二分電極和所述第二連接部。
[0022] 優(yōu)選地，所述制作方法還包括在形成所述第一分電極之前進(jìn)行的：
[0023] 提供襯底；
[0024] 在所述襯底上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極、平坦化層、公共電 極、以及第二鈍化層；
[0025] 在所述第二鈍化層上形成第二過(guò)孔，所述第二過(guò)孔貫穿所述第二鈍化層到達(dá)所述 漏極；
[0026] 其中，所述第一分電極和所述第一連接部形成在所述第二鈍化層上，所述第一連 接部穿過(guò)所述第二過(guò)孔與所述漏極電連接。
[0027] 優(yōu)選地，所述制作方法還包括在形成所述第二分電極之前進(jìn)行的：
[0028] 在所述第一鈍化層上形成第一過(guò)孔，所述第一過(guò)孔貫穿所述第一鈍化層到達(dá)所述 漏極；
[0029] 其中，所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔同軸設(shè)置，所述第二連接部穿過(guò)所述第一過(guò) 孔與所述漏極電連接。
[0030] 優(yōu)選地，所述第一分電極包括第一條形部和與所述第一條形部連接的第一彎折 部，所述第一彎折部與所述第一連接部分別位于所述第一條形部的兩端，所述第二分電極 包括第二條形部和與所述第二條形部連接的第二彎折部，所述第二彎折部與所述第二連接 部分別位于所述第二條形部的兩端，所述第一彎折部在所述陣列基板上的正投影和所述第 二彎折部在所述陣列基板上的正投影至少部分重疊。
[0031] 本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)低于曝光機(jī)分辨率的窄間隙分立像素電極的制作，解決了現(xiàn)有曝 光機(jī)對(duì)于單層分立像素電極無(wú)法解析的問(wèn)題。由于在具有分立圖形結(jié)構(gòu)的像素電極中，兩 條分電極之間的間隙越小，產(chǎn)品的整體透過(guò)率越高，因此本發(fā)明能夠有效提高產(chǎn)品的整體 透過(guò)率。
【附圖說(shuō)明】
[0032] 附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與下面的具 體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。
[0033] 圖1是現(xiàn)有陣列基板的示意圖；
[0034] 圖2是像素電極的俯視圖；
[0035] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的示意圖；
[0036] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例中像素電極形成過(guò)程中的俯視圖。
[0037] 在附圖中，1、2_像素電極；201-第一分電極；202-第二分電極；201a-第一條形 部；201b-第一彎折部；202a-第二條形部；202b-第二彎折部；203-第一連接部；204-第二 連接部；3-第一鈍化層；4-襯底；5-柵極；6-柵絕緣層；7-有源層；8-源極；9-漏極；10-平 坦化層；11-公共電極；12-第二鈍化層；13-同軸過(guò)孔。
【具體實(shí)施方式】
[0038] 以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描 述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0039] 本發(fā)明首先提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括像素電極和薄膜晶體管，如 圖3所不，所述像素電極包括第一分電極201、與該第一分電極201 -體形成的第一連接部 203、第二分電極202和與該第二分電極202 -體形成的第二連接部204,第一分電極201和 第二分電極202絕緣分層設(shè)置，第一連接部203和第二連接部204均與所述薄膜晶體管的 漏極9電連接。
[0040] 如上所述，像素電極在邊緣處的電場(chǎng)最強(qiáng)，液晶偏轉(zhuǎn)最明顯，因此為了提尚顯不廣 品的透過(guò)率，通常將像素電極設(shè)計(jì)成分立圖形結(jié)構(gòu)。然而，隨