有6至18個(gè)芳族環(huán)原子的非稠合芳族環(huán)系或 具有5至18個(gè)芳族環(huán)原子的非稠合雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2 取代，或具有8至12個(gè)芳族環(huán)原子的稠合芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被 一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，或這些基團(tuán)中的兩個(gè)或更多個(gè)的組合，此處的兩個(gè)或更多個(gè)取代 基R 1也可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族環(huán)系； R2在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是 H，D，F(xiàn)，N(R3)2, CN，Si(R3)3, B(OR3)2, P( = 0) (R3)2, P(R3)2, S( = 0)R3,具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有3 至40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一 個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 3取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的〇12基團(tuán)可被R3C = CR3、C = C、Si(R3)2、 Ge(R3)2、Sn(R3)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR3、P( = 0) 〇?3)、50、502、順3、0、5或0)順3代 替，并且其中一個(gè)或多個(gè)H原子可被D、F、Cl或CN代替，或具有6至18個(gè)芳族環(huán)原子的非 稠合芳族環(huán)系或具有5至18個(gè)芳族環(huán)原子的非稠合雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系中的每個(gè)可被一 個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，或具有8至12個(gè)芳族環(huán)原子的稠合芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在 每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 3取代，或這些基團(tuán)中的兩個(gè)或更多個(gè)的組合；此處的兩 個(gè)或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R2可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族環(huán)系； R3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或 硫代烷氧基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)， 具有6至18個(gè)芳族環(huán)原子的非稠合芳族環(huán)系或具有5至12個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系， 其中一個(gè)或多個(gè)H原子還可被F代替；此處的兩個(gè)或更多個(gè)取代基R 3也可彼此形成單環(huán)或 多環(huán)的脂族環(huán)系。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光器件，其特征在于Q優(yōu)選是X = X、NR 1或S。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于所述式（1) 或（2)的化合物是以下中的一種：
其中所用的符號(hào)具有以下含義： X在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地是CR1或N ; Y在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地是CR1、N、NR1、S或O ;其條件是每個(gè)5元環(huán)中的至少一個(gè)Y 是NR\S或O ; Z在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地是NR1、O或S ; 其中R1具有與權(quán)利要求2中所限定的相同的含義。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于所述式（1) 或（2)的化合物被用作發(fā)UV光的化合物。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于所述器件在 所述電極之間包含一個(gè)或多個(gè)另外的層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電致發(fā)光器件，其特征在于所述另外的層選自以下的層： (a) 包含具有3. 6eV或更高的帶隙的激子阻擋材料的激子阻擋層； (b) 包含具有高于-2. 2eV的LUMO的電子阻擋材料的電子阻擋層；和 (c) 包含具有低于-6. OeV的HOMO的空穴阻擋材料的空穴阻擋層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于所述器件發(fā) 射具有在280nm至380nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于所述式（1) 和（2)的化合物不含具有多于18個(gè)共軛π電子的取代基。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于所述器件是 如下的器件，其選自有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)、聚合物發(fā)光二極管（PLED)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué) 電池（OLEC、LEEC或LEC)、有機(jī)發(fā)光晶體管（O-LET)和有機(jī)發(fā)光電化學(xué)晶體管，優(yōu)選0LED、 PLED 和 OLEC0
11. 通式（216)的聚合物，
其中以下適用于所用的標(biāo)記和符號(hào)： Sp是單鍵或非共軛間隔基； W在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是如在前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)或多項(xiàng)中所限定的式（1) 或（2)的結(jié)構(gòu)單元，其中基團(tuán)Ar1或Ar2中的至少一個(gè)是5元芳族或雜芳族環(huán)，并且其中Sp 與所述式（1)或（2)的化合物之間的鍵合可發(fā)生在任何所希望的且化學(xué)上可行的位置處； X是0摩爾％至80摩爾％的數(shù)字； y是2摩爾％至100摩爾％的數(shù)字，其中x+y = 100摩爾％ ; η是0至5的整數(shù)；并且 R3是如權(quán)利要求2中的R 3-樣的進(jìn)行限定。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的聚合物，其特征在于W含有選自以下之一的結(jié)構(gòu)單元：
其中所用的符號(hào)具有以下含義： X在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地是CR1或N ; Y在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地是CR1、N、NR1、S或O ;其條件是每個(gè)5元環(huán)中的至少一個(gè)Y 是NR\S或O ; Z在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地是NR1、O或S ; 其中R1具有與權(quán)利要求2中所限定的相同的含義。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的聚合物，其特征在于所述聚合物的光致發(fā)光和/或電 致發(fā)光發(fā)射含有在280至380nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)。
14. 有機(jī)電致發(fā)光器件，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求11至13中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的 聚合物，其特征在于所述器件優(yōu)選是有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)、聚合物發(fā)光二極管（PLED)、 有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池（OLEC、LEEC或LEC)、有機(jī)發(fā)光晶體管（O-LET)和有機(jī)發(fā)光電化學(xué)晶 體管，優(yōu)選是OLED、PLED和OLEC。
15. -種組合物，其包含如前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所限定的至少一種式（1)或（2)的化 合物或至少一種式（216)聚合物，和至少一種有機(jī)材料或有機(jī)半導(dǎo)體，所述有機(jī)材料或有 機(jī)半導(dǎo)體選自發(fā)光體、主體材料、基質(zhì)材料、電子傳輸材料（ETM)、電子注入材料（EIM)、空 穴傳輸材料（HTM)、空穴注入材料（HIM)、電子阻擋材料（EBM)、空穴阻擋材料（HBM)和激子 阻擋材料（ExBM)。
16. -種制劑，其包含根據(jù)權(quán)利要求15所述的組合物和至少一種溶劑。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1至10和14中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的器件，其用于光療法的醫(yī)學(xué)中。
18. 用于治療皮膚的方法，所述方法通過(guò)使用根據(jù)權(quán)利要求1至10和14中的一項(xiàng)或多 項(xiàng)所述的器件進(jìn)行光療法來(lái)實(shí)施。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及包含具有兩個(gè)或三個(gè)稠環(huán)的芳族環(huán)系作為發(fā)光體材料的有機(jī)電致發(fā)光器件，以及其合適的用途。
【IPC分類(lèi)】H01L51-54, C08G61-04, C07D471-02
【公開(kāi)號(hào)】CN104871336
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380066038
【發(fā)明人】潘君友, 馬丁·恩格爾, 赫爾維?！げ己栈魻柎?
【申請(qǐng)人】默克專(zhuān)利有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2013年11月27日
【公告號(hào)】WO2014094965A2, WO2014094965A3