用于有源裝置的嵌入式管芯再分布層的制作方法
【專利說明】用于有源裝置的嵌入式管芯再分布層
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求享有2014年2月21日提交的題為“EMBEDDED DIE REDISTRIBUT1NLAYERS FOR ACTIVE DEVICE”的美國臨時申請N0.61/942，845的權(quán)益。美國臨時申請N0.61/942，845以其整體通過引用被包含在本文中。
【背景技術(shù)】
[0003]消費性電子裝置，特別是諸如智能手機、平板電腦等移動電子裝置越來越多地采用更小、更緊湊的部件來為其使用者提供所需的特征。這些裝置通常采用三維集成電路裝置(3D 1C)。三維集成電路裝置是采用兩層或更多層有源電子部件的半導(dǎo)體裝置。穿透基板的過孔(through-substrate via，TSV)將裝置的不同層(例如，不同基板)上的電子部件互連，從而允許裝置被豎直和水平地集成。因此，三維集成電路裝置可以在比傳統(tǒng)二維集成電路裝置更小、更緊湊的占用區(qū)域內(nèi)提供增加的功能。
[0004]半導(dǎo)體裝置的制造中使用的傳統(tǒng)制造方法采用顯微光刻法將集成電路圖案化到由諸如硅、砷化鎵等半導(dǎo)體形成的圓晶片上。通常，圖案化的晶片被分割成單獨的集成電路芯片或管芯，以將各集成電路彼此分開。各單獨的集成電路芯片使用多種封裝技術(shù)被組裝或封裝，以形成可以安裝到印刷電路板或其它基板上的半導(dǎo)體裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]描述了采用一個或多個基板再分布層(RDL)來布局電極節(jié)點和/或用于電流再分布的嵌入式管芯封裝件。在一或多個實現(xiàn)方式中，集成電路管芯被嵌入到基板中?；錜DL為下述至少之一:與嵌入式集成電路管芯的表面接觸、或間接結(jié)合到嵌入式集成電路管芯的表面上，其中至少一個過孔(例如，熱過孔)與基板RDL接觸以提供電互連。附加的基板RDL或WLP RDL可以被包含到封裝件中以在嵌入式管芯和外部觸頭之間提供變化的電流分布。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種嵌入式集成電路封裝件，其包括:基板組件；嵌入在所述基板組件內(nèi)的集成電路管芯；至少一個基板再分布層，其為下述至少之一:與所述嵌入式集成電路管芯的表面接觸、或間接結(jié)合到所述嵌入式集成電路管芯的表面上；和與所述基板再分布層接觸的過孔。
[0007]可選地，所述基板組件包括銅基板。
[0008]可選地，所述至少一個基板再分布層與所述嵌入式集成電路管芯的表面接觸。
[0009]可選地，所述嵌入式集成電路封裝件不含焊料球互連件。
[0010]可選地，所述嵌入式集成電路封裝件還包括:結(jié)合到所述嵌入式集成電路管芯的表面上的晶片級封裝再分布層，其中所述至少一個基板再分布層通過至少一個過孔被間接地結(jié)合到所述嵌入式集成電路管芯的表面上。
[0011]可選地，所述晶片級封裝再分布層比所述至少一個基板再分布層薄。
[0012]可選地，所述至少一個基板再分布層包括與所述嵌入式集成電路管芯的表面接觸的第一基板再分布層，并包括通過至少一個過孔可操作地結(jié)合到所述第一基板再分布層上的第二基板再分布層。
[0013]可選地，所述嵌入式集成電路封裝件，還包括:結(jié)合到所述基板組件上的散熱器組件。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種電子裝置，其包括:印刷電路板；和結(jié)合到所述印刷電路板上的嵌入式集成電路封裝件，所述嵌入式集成電路封裝件包括:
[0015]基板組件；嵌入在所述基板組件內(nèi)的集成電路管芯；至少一個基板再分布層，其為下述至少之一:與所述嵌入式集成電路管芯的表面接觸、或間接結(jié)合到所述嵌入式集成電路管芯的表面上；和與所述基板再分布層接觸的過孔。
[0016]可選地，所述基板組件包括銅基板。
[0017]可選地，所述至少一個基板再分布層與所述嵌入式集成電路管芯的表面接觸。
[0018]可選地，所述嵌入式集成電路封裝件不含焊料球互連件。
[0019]可選地，所述嵌入式集成電路封裝件還包括:結(jié)合到所述嵌入式集成電路管芯的表面上的晶片級封裝再分布層，其中所述至少一個基板再分布層通過至少一個過孔被間接地結(jié)合到所述嵌入式集成電路管芯的表面上。
[0020]可選地，所述晶片級封裝再分布層比所述至少一個基板再分布層薄。
[0021]可選地，所述至少一個基板再分布層包括與所述嵌入式集成電路管芯的表面接觸的第一基板再分布層，并包括通過至少一個過孔可操作地結(jié)合到所述第一基板再分布層上的第二基板再分布層。
[0022]可選地，所述電子裝置還包括:結(jié)合到所述基板組件上的散熱器組件。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，一種嵌入式集成電路封裝件，其包括:第一再分布層，其形成多個伸出部，所述多個伸出部中的每個包括一個或多個嵌入式電路封裝件，所述一個或多個嵌入式電路封裝件具有與嵌入式管芯可操作地結(jié)合的一個或多個過孔；第二再分布層，其形成第二多個伸出部，所述第二多個伸出部中的每個包括一個或多個嵌入式電路封裝件，所述一個或多個嵌入式電路封裝件具有與嵌入式管芯可操作地結(jié)合的一個或多個過孔；其中第一再分布層的所述多個伸出部中的一個或多個被定位成鄰近所述第二多個伸出部的相應(yīng)部分中的一個或多個。
[0024]可選地，所述嵌入式集成電路封裝件還包括:一個或多個長條過孔，其被定位在所述第一再分布層和所述第二再分布層中的一個或多個的表面上，所述一個或多個長條過孔中的每個連接所述一個或多個過孔中的至少兩個。
[0025]可選地，所述多個伸出部的各部分相對于所述第二多個伸出部的各部分以交錯構(gòu)造進行布置。
[0026]可選地，所述第一再分布層和所述第二再分布層中的一個或多個包括外露的焊墊部分，所述外露的焊墊部分露出到所述封裝件的外部。
[0027]本
【發(fā)明內(nèi)容】
被提供以便以簡化形式介紹下文在【具體實施方式】中進一步描述的概念的精選者。本
【發(fā)明內(nèi)容】
并不打算用來標識所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不打算用來幫助確定所要求保護的主題的范圍。
【附圖說明】
[0028]詳細說明將參照附圖進行描述。說明書和附圖的不同實例中可以使用相同的附圖標記表示相似或相同的項目。
[0029]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有基板再分布層的嵌入式集成電路封裝件的示意剖視圖。
[0030]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有基板再分布層和晶片級封裝再分布層的嵌入式集成電路封裝件的示意剖視圖。
[0031]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有基板再分布層的多個層的嵌入式集成電路封裝件的示意剖視圖。
[0032]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的結(jié)合到外部散熱器的圖1的嵌入式集成電路封裝件的示意剖視圖。
[0033]圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式集成電路封裝件的布局構(gòu)造的示意俯視圖。
[0034]圖6是圖5的布局構(gòu)造的示意俯視圖，具有分布在根據(jù)本發(fā)明實施例的封裝件的表面上的長條過孔。
【具體實施方式】
[0035]概沭
[0036]封裝技術(shù)，例如包含引線框封裝的封裝技術(shù)，被用來將電路裝置與封裝件集成，以便于該集成電路與外部電觸頭(例如，印刷電路板(PCB)的電觸頭)相接。例如，晶片級封裝(WLP)可以與晶片凸點技術(shù)一起利用來提供IC裝置，由此IC裝置的取向被翻轉(zhuǎn)到引線框或基板上來產(chǎn)生封裝件。在封裝件組裝期間，焊料連接件(例如，焊料球或凸塊)可用來使IC裝置的電連接器和引線框或基板匹配。然而，這樣的構(gòu)造可能由于使用焊料合金作為互連件而引起電迀移有關(guān)的故障，可能引起靈活性和可布局的設(shè)計能力問題，可能引起板級可靠性問題，并且可能需要相對厚的外形因子，從而增加了產(chǎn)品封裝件的整體尺寸。
[0037]因此，描述了