出端子152和接地端子153可W由包括導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電糊形成。
[0123]導(dǎo)電金屬可W是媒（Ni)、銅（化）、錫（Sn)或它們的合金，但是本公開(kāi)不限于此。
[0124] 導(dǎo)電糊還可W包括絕緣材料，該里，絕緣材料可W是例如玻璃，但是本公開(kāi)不限于 此。
[0125] 形成輸入端子151、輸出端子152和接地端子153的方法沒(méi)有具體限制。目P，輸入 端子151、輸出端子152和接地端子153可W通過(guò)浸潰陶瓷主體或通過(guò)利用諸如鍛覆等的其 他方法來(lái)形成。
[0126] 圖6是在圖1中示出的復(fù)合電子組件的等效電路圖。
[0127] 參照?qǐng)D6,與相關(guān)技術(shù)不同，在根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的復(fù)合電子組件中，電 感器120和電容器110結(jié)合，使得電感器120和電容器110可W被設(shè)計(jì)成使它們之間的距 離最短，因此減小噪聲。
[0128] 此外，由于電感器120和電容器110結(jié)合，因此可W使功率管理單元中的安裝區(qū)域 最小化，從而有利地確保安裝空間。
[0129] 另外，可W降低安裝成本。
[0130] 同時(shí)，由于在電子裝置中設(shè)置了各種功能，因此設(shè)置在PMIC中的DC/DC轉(zhuǎn)換器的 數(shù)量增加，需要被設(shè)置在PMIC的功率輸入端子和功率輸出端子中的無(wú)源元件的數(shù)量也增 加。
[0131] 在該種情況下，不可避免地增大用于設(shè)置電子裝置的組件的區(qū)域，該對(duì)電子裝置 的小型化造成了障礙。
[013引此外，PMIC的布線圖案及其外圍電路產(chǎn)生大量的噪聲。
[0133] 為了解決上述問(wèn)題，已經(jīng)研究了上下結(jié)合電感器和電容器的復(fù)合電子組件，并且 已經(jīng)得到減小電子裝置的組件的布置區(qū)域和抑制噪聲生成的效果。
[0134] 然而，當(dāng)如上所述地上下設(shè)置電感器和電容器時(shí)，電感器產(chǎn)生的磁通量可能影響 電容器的內(nèi)電極而產(chǎn)生寄生電容，使自諧振頻率（SR巧朝著低頻移動(dòng)。
[0135] 在自諧振頻率（SR巧如上所述地朝著低頻移動(dòng)的情況下，在本公開(kāi)的示例性實(shí)施 例中電感器的可用頻率范圍可能會(huì)變窄。
[0136]目P，不能在比自諧振頻率（SR巧高的高頻率范圍內(nèi)執(zhí)行電感器的功能，因此，如果 SRF朝著低頻移動(dòng)，則可能限制可用的頻率范圍。
[0137] 然而，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，由于電容器110與電感器120的側(cè)面結(jié)合， 因此可W使由電感器產(chǎn)生的磁通量對(duì)電容器的內(nèi)電極的影響最小化，W防止自諧振頻率 (SR巧變化。
[013引目P，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，電感器120和電容器110可W被設(shè)計(jì)在最短的距 離內(nèi)，從而通過(guò)防止SRF改變來(lái)得到不限制可W在低頻中使用的電感器的范圍的效果和減 小噪聲的效果。
[0139] 同時(shí)，最小化的復(fù)合電子組件使防止電感器的磁場(chǎng)的內(nèi)磁層更薄，導(dǎo)致品質(zhì)因子 怕因子）劣化。
[0140] Q因子是指裝置損耗或效率的劣化，當(dāng)Q因子較高時(shí)，會(huì)意味著損耗小并且效率 商。
[0141]目P，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，由于電容器110結(jié)合到電感器120的側(cè)面，因此 可W使各個(gè)組件對(duì)彼此的影響最小化，因此防止組件的Q因子劣化。
[0142] 另外，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，磁片層121可W設(shè)置在電感器120和電容器 110之間。
[0143] 在形成復(fù)合主體130的步驟中，磁片層121可W設(shè)置在單獨(dú)制造的電容器110和 電感器120之間，粘附層121'可W形成在磁片層121的兩個(gè)側(cè)面上W使電容器110和電感 器120結(jié)合，但是本公開(kāi)不限于此。
[0144] 根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，電容器110可W與電感器120的側(cè)面結(jié)合，由于磁片 層121設(shè)置在電感器120和電容器110之間，因此外部端子的干擾會(huì)因屏蔽效應(yīng)而中斷，從 而防止復(fù)合電子組件的電特性的劣化。
[014引具體地，由于磁片層121設(shè)置在電感器120和電容器110之間，因此得到防止由電 感器產(chǎn)生的磁通量對(duì)電容器的外部端子和內(nèi)電極的屏蔽效應(yīng)，從而防止復(fù)合電子組件的電 特性的劣化。
[0146]目P，可W使由電感器產(chǎn)生的磁通量對(duì)電容器的內(nèi)電極的影響最小化，W得到防止 自諧振頻率（SR巧改變的優(yōu)異效果。
[0147] 此外，可W防止由于電感器的外部端子被設(shè)置為靠近于電容器的外部端子和內(nèi)電 極而可能產(chǎn)生的電特性的劣化，W使各個(gè)組件對(duì)彼此的影響最小化，從而進(jìn)一步可靠地防 止組件的Q因子的劣化。
[014引圖7是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的復(fù)合電子組件的透視圖。
[0149]圖8是示出可用在多層陶瓷電容器中的內(nèi)電極的平面圖，多層陶瓷電容器被包括 在圖7中示出的復(fù)合電子組件中。
[0150] 圖9是在圖7中示出的復(fù)合電子組件的等效電路圖。
[0151] 參照?qǐng)D7至圖9,根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的復(fù)合電子組件可W包括；復(fù)合 主體230,包括由陶瓷主體形成的第一電容器210a、第二電容器21化和由包括線圈單元的 磁性主體形成的電感器220的結(jié)合體，其中，多個(gè)介電層211、第一內(nèi)電極231和第二內(nèi)電 極232層疊在第一電容器210a中，第一內(nèi)電極231和第二內(nèi)電極232設(shè)置成彼此面對(duì)并 且使介電層211設(shè)置在第一內(nèi)電極231和第二內(nèi)電極232之間，多個(gè)介電層211、第H內(nèi)電 極233和第四內(nèi)電極234層疊在第二電容器21化中，第H內(nèi)電極233和第四內(nèi)電極234設(shè) 置成彼此面對(duì)并且使介電層211設(shè)置在第H內(nèi)電極233和第四內(nèi)電極234之間；輸入端子 251，包括形成在復(fù)合主體230的第一端表面上并連接到電感器220的線圈單元的第一輸入 端子251a和形成在復(fù)合主體230的第一端表面上并連接到第一電容器210a的第一內(nèi)電極 231的第二輸入端子25化；輸出端子252,包括形成在復(fù)合主體230的第二端表面上并連接 到電感器220的線圈單元的第一輸出端子252a和形成在復(fù)合主體230的第一端表面上并 連接到第二電容器21化的第H內(nèi)電極233的第二輸出端子25化；接地端子253,包括形成 在復(fù)合主體230的第二端表面上并連接到第一電容器210a的第二內(nèi)電極232的第一接地 端子253a和形成在復(fù)合主體230的第二端表面上并連接到第二電容器21化的第四內(nèi)電極 234的第二接地端子253b，其中，第一電容器210a和第二電容器21化與電感器220的兩個(gè) 側(cè)面結(jié)合，磁片層221可W設(shè)置在電感器220和第一電容器210a之間W及電感器220和第 二電容器21化之間。
[0152] 可W通過(guò)層疊多個(gè)其上分別具有導(dǎo)電圖案的磁層來(lái)構(gòu)造磁性主體。
[0153] 電感器220可W是磁性主體包括絕緣基底和形成在絕緣基底的至少一個(gè)表面上 的線圈的薄膜型電感器。
[0154] 磁性主體可W包括鐵芯和圍繞鐵芯卷繞的卷繞線圈。
[0巧5] 磁片層221可W包括從由鐵素體顆粒和金屬磁性粉末組成的組中選擇的一種或 更多種類(lèi)型的磁性粉末，其中，鐵素體顆粒具有15ym或更小的平均粒徑。
[0156] 粘附層221'可W進(jìn)一步形成在磁片層221的兩側(cè)上。
[0157] 參照?qǐng)D9,根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例，第一電容器210a可W是形成在電池 和功率管理單元（或PMIC)的連接端子與地之間的電容器。
[015引電容器210a可W減小包括在第一功率中的噪聲。
[015引另外，電容器210a可W充有電荷。在功率管理單元（或PMIC)瞬時(shí)消耗大量電流 的情況下，電容器210a可W釋放帶電的電荷W抑制功率管理單元中的電壓波動(dòng)。
[0160] 同時(shí)，與如上所述的根據(jù)前面的示例性實(shí)施例的復(fù)合電子組件的電容器110相 似，第二電容器21化可W是形成在功率管理單元（或PMIC)和輸出端子Vdd的連接端子與 地之間的電容器。
[016。 第二電容器21化可W減小包括在從功率管理單元（或PMIC)輸出的第二功率中 的噪聲。
[0162] 當(dāng)復(fù)合主體230安裝在板上時(shí)，連接到第一電容器210a的第二內(nèi)電極的第一接地 端子253a和形成在復(fù)合主體230的第二端表面上并連接到第二電容器21化的第四內(nèi)電極 的第二接地端子253b可W連接到電極焊盤(pán)，從而如下文中所描述的沿一個(gè)方向接地。
[0163] 本示例性實(shí)施例的其他特征與根據(jù)前面的示例性實(shí)施例的復(fù)合電子組件的特征 相同，因此將省略對(duì)其的描述W避免兀余。
[0164] 圖10是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的復(fù)合電子組件的透視 圖。
[0165] 圖11是示出可用在多層陶瓷電容器中的內(nèi)電極的平面圖，多層陶瓷電容器被包 括在圖10中示出的復(fù)合電子組件中。
[0166] 圖12是在圖9中示出的復(fù)合電子組件的等效電路圖。
[0167] 參照?qǐng)D10至圖12,根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的復(fù)合電子組件可W包括；復(fù) 合主體330,包括由陶瓷主體形成的電容器310和由包括線圈單元的磁性主體形成的電感 器320的結(jié)合體，其中，多個(gè)介電層311與第一內(nèi)電極331、第二內(nèi)電極332和第H內(nèi)電極 333層疊在電容器310中，第一內(nèi)電極331、第二內(nèi)電極332和第H內(nèi)電極333被設(shè)置為彼 此面對(duì)并使介電層311設(shè)置在它們之間；輸入端子351，包括形成在復(fù)合主體330的第一端 表面上并連接到電感器320的線圈單元的第一輸入端子351a和形成在復(fù)合主體330的第 一端表面上并連接到電容器310的第一內(nèi)電極331的第二輸入端子35化；輸出端子352， 包括形成在復(fù)合主體330的第二端表面上并連接到電感器320的線圈單元的第一輸出端子 352a和形成在復(fù)合主體330的第二端表面上并連接到電容器310的第H內(nèi)電極的第二輸出 端子35化；W及接地端子353,形成在復(fù)合主體的電容器310的上表面、下表面和第一側(cè)表 面中的一個(gè)或更多個(gè)表面上并連接到電容器310的第二內(nèi)電極332,其中，電容器310可W 與電感器320的側(cè)面結(jié)合，磁片層321可W設(shè)置在電感器320和電容器310之間。
[016引可W通過(guò)層疊多個(gè)其上分別形成有導(dǎo)電圖案的磁層來(lái)構(gòu)造磁性主體，導(dǎo)電圖案可W構(gòu)成線圈單元。
[0169] 電感器可W是磁性主體包括絕緣基底和形成在絕緣基底的至少一個(gè)表面上的線 圈的薄膜型電感器。
[0170] 磁性主體可W包括鐵芯和圍繞鐵芯卷繞的卷繞線圈。
[0171] 磁片層321可W包括從由鐵素體顆粒和金屬磁性粉末組成的組中選擇的一種或 更多種類(lèi)型的磁性粉末，其中，鐵素體顆粒具有15ym或更小的平均粒徑。
[0172] 粘附層321'可W進(jìn)一步形成在磁片層321的兩側(cè)上。
[0173] 參照?qǐng)D11，第一內(nèi)電極331可W具有暴露于復(fù)合主體330的第一端表面的引出部 331a，第二內(nèi)電極332可W具有暴露于復(fù)合主體330的第一側(cè)表面的引出部332a，第H內(nèi)電 極333可W具有暴露于復(fù)合主體330的第二端表面的引出部333a。
[0174] 參照?qǐng)D11，根據(jù)本示例性實(shí)施例，在電容器310中，第一內(nèi)電極331和第二內(nèi)電極 332可W形成第一電容器單元，如在下文中所描述的，第一電容器單元可W是形成在電池和 功率管理單元（或PMIC)的連接端子與地之間的電容器。
[0175]目P，第一電容器單元可W減小包括在第一功率中的噪聲。
[0176] 另外，第一電容器單元可充有電荷。在功率管理單元（或PfflC)瞬時(shí)消耗大量電 流的情況下，第一電容器單元可W釋放帶電的電荷W抑制功率管理單元中的電壓波動(dòng)。
[0177] 同時(shí)，在電容器310中，第二內(nèi)電極332和第H內(nèi)電極333可W形成第二電容器單 元，該里，與根據(jù)如上所述的前面的示例性實(shí)施例的復(fù)合電子組件的電容器110相同，第二 電容器單元可W是形成在輸出端子Vdd和功率管理單元（或PfflC)的連接端子與地之間的 電容器。
[0178] 第二電容器單元可W減小包括在從功率管理單元（或PfflC)輸出的第二功率中的 噪聲。
[0179] 第二內(nèi)電極332可W分別構(gòu)成第一電容器單元和第二電容器單元，并且可W連接 到形成在復(fù)合主體330的第一側(cè)表面上的接地端子353,從而沿一個(gè)方向接地。
[0180] 本示例性實(shí)施例的其他特征與根據(jù)前面的示例性實(shí)施例的復(fù)合電子組件的特征 相同，因此將省略對(duì)其的描述W避免兀余。
[0181] 圖13是示意性地