0之間的電信號路徑、用于將電力施加至半導體芯片200的供電路徑或者用于將地電壓施加至半導體芯片200的接地路徑。
[0055]參照圖4，半導體封裝件20可包括封裝基板1100和垂直堆疊在封裝基板1100上的半導體芯片1200。第一主光學收發(fā)器1401、第二主光學收發(fā)器1403、第三主光學收發(fā)器1405、第四主光學收發(fā)器1407可設(shè)置在封裝基板1100中，并且輔光學收發(fā)器1300可設(shè)置在半導體芯片1200中。因此，半導體芯片1200和封裝基板1100可利用光學信號彼此通信。在這種實施方式中，如果第一半導體芯片1201、第二半導體芯片1203、第三半導體芯片1205、第四半導體芯片1207具有相同的尺寸，則第一輔光學收發(fā)器1301、第二輔光學收發(fā)器1303、第三輔光學收發(fā)器1305、第四輔光學收發(fā)器1307在第一半導體芯片1201、第二半導體芯片1203、第三半導體芯片1205、第四半導體芯片1207中的對應(yīng)的一個中的設(shè)置位置可不同。因此，當?shù)谝话雽w芯片1201、第二半導體芯片1203、第三半導體芯片1205、第四半導體芯片1207的堆疊彼此垂直地對準時，第一輔光學收發(fā)器1301、第二輔光學收發(fā)器1303、第三輔光學收發(fā)器1305、第四輔光學收發(fā)器1307可錯開，使得它們彼此不垂直重疊，如圖4所示。因此，即使第一半導體芯片1201、第二半導體芯片1203、第三半導體芯片1205、第四半導體芯片1207的邊緣彼此垂直對準，第一半導體芯片1201、第二半導體芯片1203、第三半導體芯片1205、第四半導體芯片1207也可分別與封裝基板1100的第一主光學收發(fā)器1401、第二主光學收發(fā)器1403、第三主光學收發(fā)器1405、第四主光學收發(fā)器1407進行光學通信。
[0056]當利用IR線進行光學通信時，被存儲在半導體芯片1200中的數(shù)據(jù)或者旨在被存儲在半導體芯片1200中的數(shù)據(jù)信號可被轉(zhuǎn)換為光學信號，并且可通過光學信號路徑發(fā)送該光學信號。另外，用于控制半導體芯片1200的操作或用于選擇半導體芯片1200中的任一個的控制信號也可被轉(zhuǎn)換為光學信號，并且可通過光學信號路徑發(fā)送該光學信號。光學收發(fā)器1300和1400的每一個可包括用于接收IR線的光接收元件和用于產(chǎn)生IR線的光發(fā)射元件。IR線可具有約1200納米至約15000納米的波長。
[0057]IR線可穿過半導體芯片1200的半導體基板1210，以發(fā)送光學信號。因此，具有相對長的波長的IR線可用于光學通信中，以減少來自半導體基板1210的光學信號衰減。例如，波長為約1310納米、1383納米、1550納米、1610納米或1625納米的IR線可用作信號載體，以減少傳播損耗。具有這種波長的IR線廣泛用于利用諸如光纖的介質(zhì)的光學通信領(lǐng)域。
[0058]光學收發(fā)器1300和1400的每一個可包括光發(fā)射部分和光接收部分。光學收發(fā)器1300和1400的每一個還可包括控制光發(fā)射部分和光接收部分的操作并執(zhí)行數(shù)據(jù)處理操作的控制器。光發(fā)射部分可包括產(chǎn)生IR線的發(fā)光二極管(LED)或激光二極管，并且光接收部分可包括將IR線轉(zhuǎn)換為電信號的光電二極管。在一些實施方式中，光發(fā)射部分可包括產(chǎn)生具有不同波長的多個不同的IR線的多個光發(fā)射元件，并且光接收部分可包括接收具有不同波長的多個不同的IR線的多個光接收元件。在一些實施方式中，光接收元件的每一個可包括被構(gòu)造為去除不期望的波長的光學濾波器(未示出)。
[0059]半導體芯片1200和封裝基板1100可通過穿通電極1250彼此電連接，并且這些穿通電極1250可用作信號傳輸路徑、電力傳輸路徑或接地路徑。在當前實施方式中，上半導體芯片1200的穿通電極1250與下半導體芯片1200的穿通電極1250垂直對準并且電連接。
[0060]互連層1230可設(shè)置在各個半導體基板1210的第一表面1212上。諸如連接凸塊的第一連接部1251可設(shè)置在穿通電極1250的鄰近第一表面1212的下端上，并且諸如連接凸塊的第二連接部1253可設(shè)置在穿通電極1250的鄰近第二表面1214的上端上。窗口 1330(例如，第一窗口 1331、第二窗口 1333、第三窗口 1335、第四窗口 1337)可設(shè)置在互連層1230中，以露出第一輔光學收發(fā)器1301、第二輔光學收發(fā)器1303、第三輔光學收發(fā)器1305、第四輔光學收發(fā)器1307。在一些實施方式中，互連層可不具有窗口。在一些實施方式中，包括金屬圖案的內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)可形成為不與光學收發(fā)器重疊。
[0061]參照圖5，半導體封裝件30可包括封裝基板2100和垂直堆疊在封裝基板2100上的半導體芯片2200。主光學收發(fā)器2400 (例如第一主光學收發(fā)器2401、第二主光學收發(fā)器2403、第三主光學收發(fā)器2405、第四主光學收發(fā)器2407)可設(shè)置在封裝基板2100中。另外，輔光學收發(fā)器2300 (例如第一輔光學收發(fā)器2301、第二輔光學收發(fā)器2303、第三輔光學收發(fā)器2305、第四輔光學收發(fā)器2307)可設(shè)置在第一半導體芯片2201、第二半導體芯片2203、第三半導體芯片2205、第四半導體芯片2207的每一個中。因此，半導體芯片2200和封裝基板2100可利用光學信號彼此通信。在當前實施方式中，半導體封裝件具有四個半導體芯片，并且所述半導體芯片的每一個具有四個輔光學收發(fā)器，但這不旨在限制。半導體封裝件可具有兩個、三個、五個或多于五個半導體芯片。半導體芯片可具有兩個、三個、五個或多于五個輔光學收發(fā)器，并且封裝基板可具有兩個、三個、五個或多于五個主光學收發(fā)器。
[0062]在當前實施方式中，第二半導體芯片2203堆疊在第一半導體芯片2201上，使得第二半導體芯片2203中的第一輔光學收發(fā)器2301、第二輔光學收發(fā)器2303、第三輔光學收發(fā)器2305、第四輔光學收發(fā)器2307分別與第一半導體芯片2201中的第一輔光學收發(fā)器2301、第二輔光學收發(fā)器2303、第三輔光學收發(fā)器2305、第四輔光學收發(fā)器2307垂直對準，并且第三半導體芯片2205堆疊在第二半導體芯片2203上，使得第三半導體芯片2205中的第一輔光學收發(fā)器2301、第二輔光學收發(fā)器2303、第三輔光學收發(fā)器2305、第四輔光學收發(fā)器2307分別與第二半導體芯片2203中的第一輔光學收發(fā)器2301、第二輔光學收發(fā)器2303、第三輔光學收發(fā)器2305、第四輔光學收發(fā)器2307垂直對準。類似地，第四半導體芯片2207可堆疊在第三半導體芯片2205上，使得第四半導體芯片2207中的第一輔光學收發(fā)器2301、第二輔光學收發(fā)器2303、第三輔光學收發(fā)器2305、第四輔光學收發(fā)器2307與第三半導體芯片2205中的第一輔光學收發(fā)器2301、第二輔光學收發(fā)器2303、第三輔光學收發(fā)器2305、第四輔光學收發(fā)器2307垂直對準。因此,一半導體芯片中的輔光學收發(fā)器2301、2303,2305和2307的每一個與另一半導體芯片中的輔光學收發(fā)器2301、2303、2305和2307的每一個垂直重疊。
[0063]當利用IR線進行光學通信時，被存儲在半導體芯片2200中的數(shù)據(jù)或旨在被存儲在半導體芯片2200中的數(shù)據(jù)信號可轉(zhuǎn)換為光學信號，并且可通過光學信號路徑發(fā)送該光學信號。另外，用于控制半導體芯片2200的操作或用于選擇半導體芯片2200中的任一個的控制信號也可被轉(zhuǎn)換為光學信號，并且可通過光學信號路徑發(fā)送該光學信號。光學收發(fā)器2300和2400的每一個可包括用于接收IR線的光接收元件和用于產(chǎn)生IR線的光發(fā)射元件。IR線可具有約1200納米至約15000納米的波長。IR線可穿過構(gòu)成半導體芯片2200的半導體基板2210，以發(fā)送光學信號。因此，具有相對長的波長的IR線可用于光學通信中，以減少來自半導體基板2210的傳播損耗。例如，波長為約1310納米、1383納米、1550納米、1610納米或1625納米的IR線可用作光學信號的載體，以減少傳播損耗。具有這種波長的IR線廣泛用于使用諸如光纖的介質(zhì)的光學通信領(lǐng)域。
[0064]光學收發(fā)器2300和2400的每一個可包括光發(fā)射部分和光接收部分。光學收發(fā)器2300和2400的每一個還可包括控制光發(fā)射部分和光接收部分的