發(fā)光二極管封裝元件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝元 件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管（Li曲t血ittingDiode,LED)是一種可將電流轉(zhuǎn)換成特定波長范圍 的光電半導(dǎo)體元件。發(fā)光二極管W其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅(qū)動 簡單、壽命長等優(yōu)點，從而可作為光源而廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。
[0003] 現(xiàn)有的發(fā)光二極管一般在封裝成型后通過切割制程形成單個的封裝元件。成型的 封裝結(jié)構(gòu)包括相互間隔的兩金屬電極，設(shè)置于電極上的發(fā)光二極管芯片及覆蓋所述發(fā)光二 極管元件的樹脂封裝層。為減小后續(xù)切割制程中的阻力，所述電極被預(yù)先蝕刻形成一導(dǎo)電 片及與該導(dǎo)電片連接的若干連接條，所述連接條之間的寬度小于該導(dǎo)電片的寬度。切割時 只需切除部分連接條從而形成單個封裝元件。
[0004] 然而，由于金屬材質(zhì)的連接條和樹脂材料的封裝層之間的材料差異較大，在切割 制程中切割產(chǎn)生的拉力容易引起封裝層與連接條之間剝裂分離而產(chǎn)生縫隙，導(dǎo)致形成的單 個發(fā)光二極管封裝元件穩(wěn)固性較差，進而影響發(fā)光二極管封裝元件的使用壽命。故，需進一 步改進。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，有必要提供一種穩(wěn)固性較強的發(fā)光二極管封裝元件及該發(fā)光二極管封 裝元件的制造方法。
[0006] 一種發(fā)光二極管封裝元件，其包括相互間隔的兩電極、夾設(shè)于該兩電極之間的絕 緣層、設(shè)置在所述兩電極上并電性連接所述兩電極的發(fā)光二極管芯片、及覆蓋所述發(fā)光二 極管芯片的封裝層，每一電極包括一導(dǎo)電片及與該導(dǎo)電片連接的至少一連接條，所述連接 條的寬度小于所述導(dǎo)電片的寬度，所述連接條的厚度小于所述導(dǎo)電片的厚度，所述連接條 的上表面與所述導(dǎo)電片的上表面齊平，該發(fā)光二極管封裝元件還包括一包覆層包覆所述連 接條，所述連接條的上表面與封裝層之間夾設(shè)部分所述包覆層。
[0007] -種發(fā)光二極管封裝元件的制造方法，包括步驟；預(yù)成型相互間隔的兩電極，每 一電極包括一導(dǎo)電片及與該導(dǎo)電片連接的至少一連接條，每一連接條的厚度與所述導(dǎo)電片 的厚度相等，每一連接條的寬度小于所述導(dǎo)電片的寬度，所述兩電極的兩導(dǎo)電片相互間隔 形成一間隙；利用模具成型一絕緣層加熱與所述兩電極之間的空隙中；利用模具成型一包 覆層包覆所述連接條，所述包覆層位于連接條上表面的部分延伸至對應(yīng)的導(dǎo)電片；在所述 兩電極上設(shè)置一發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片與所述兩電極形成電性連接；設(shè)置 一封裝層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，所述連接條的上表面與封裝層之間夾設(shè)部分所述包覆 層；W及沿所述連接條的位置縱向切割部分封裝層、包覆層及連接條形成單個的發(fā)光二極 管封裝元件。
[000引與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝元件的連接條與封裝層之間夾設(shè) 有包覆層，所述包覆層促使包覆層和封裝層之間的密合度、及包覆層與連接條之間的密合 度均得到增強，因此在切割形成單個的發(fā)光二極管元件時，切割產(chǎn)生的拉力不足W剝裂分 離封裝層和包覆層、包覆層和連接條，從而增強發(fā)光二極管封裝元件元件的穩(wěn)固性，進而延 長發(fā)光二極管封裝元件的使用壽命。
【附圖說明】
[0009] 圖1為本發(fā)明一實施方式提供的預(yù)成型的兩電極的俯視圖。
[0010] 圖2為由圖1所示兩電極制成的發(fā)光二極管封裝元件的剖面示意圖。
[0011] 圖3為圖2所述發(fā)光二極管封裝元件的俯視圖。
[0012] 圖4至圖9為圖2所述發(fā)光二極管封裝元件的制造步驟示意圖。
[0013] 主要元件符號說明
【主權(quán)項】
1. 一種發(fā)光二極管封裝元件，其包括相互間隔的兩電極、夾設(shè)于該兩電極之間的絕緣 層、設(shè)置在所述兩電極上并電性連接所述兩電極的發(fā)光二極管芯片，及覆蓋所述發(fā)光二極 管芯片的封裝層，每一電極包括一導(dǎo)電片及與該導(dǎo)電片連接的至少一連接條，所述連接條 的寬度小于所述導(dǎo)電片的寬度，其特征在于：所述連接條的厚度小于所述導(dǎo)電片的厚度，所 述連接條的上表面與所述導(dǎo)電片的上表面齊平，該發(fā)光二極管封裝元件還包括一包覆層包 覆所述連接條，所述連接條的上表面與封裝層之間夾設(shè)部分所述包覆層。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝元件，其特征在于：所述包覆層與所述封裝層 材質(zhì)不同。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝元件，其特征在于：所述封裝層由透明膠體制 成，所述包覆層由熱性環(huán)氧樹脂或者塑膠材料制成，所述絕緣層與所述包覆層一體成型，且 材質(zhì)相同。
4. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝元件，其特征在于：所述連接條自所述導(dǎo)電片 的外側(cè)面一體延伸形成，所述包覆層的上表面高于所述導(dǎo)電片的上表面。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝元件，其特征在于：所述連接條的下表面高于 所述導(dǎo)電片的底面，所述包覆層的下表面與所述導(dǎo)電片的下表面齊平。
6. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝元件，其特征在于：所述連接條的厚度為所述 導(dǎo)電片厚度的一半，所述包覆層填充慢所述連接條與導(dǎo)電片之間的區(qū)域，所述封裝層的堅 直端面與所述包覆層的堅直端面齊平。
7. -種發(fā)光二極管封裝元件的制造方法，包括步驟： 預(yù)成型相互間隔的兩電極，每一電極包括一導(dǎo)電片及與該導(dǎo)電片連接的至少一連接 條，每一連接條的厚度與所述導(dǎo)電片的厚度相等，每一連接條的寬度小于所述導(dǎo)電片的寬 度，所述兩電極的兩導(dǎo)電片相互間隔形成一間隙； 利用模具成型一絕緣層加熱與所述兩電極之間的空隙中； 利用模具成型一包覆層包覆所述連接條，所述包覆層位于連接條上表面的部分延伸至 對應(yīng)的導(dǎo)電片； 在所述兩電極上設(shè)置一發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片與所述兩電極形成電性 連接； 設(shè)置一封裝層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，所述連接條的上表面與封裝層之間夾設(shè)部分 所述包覆層；以及 沿所述連接條的位置縱向切割部分封裝層、包覆層及連接條形成單個的發(fā)光二極管封 裝元件。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝元件的制造方法，其特征在于：所述包覆層與 所述封裝層材質(zhì)不同，所述封裝層由透明膠體制成，所述包覆層由熱性環(huán)氧樹脂或者塑膠 材料制成，所述絕緣層與所述包覆層一體成型，且材質(zhì)相同。
9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝元件的制造方法，其特征在于：所述包覆層的 上表面高于所述導(dǎo)電片的上表面，還包括蝕刻所述連接條下表面的步驟，使得所述連接條 的下表面高于所述導(dǎo)電片的底面，所述包覆層的下表面與所述導(dǎo)電片的下表面齊平，所述 連接條的厚度為所述導(dǎo)電片厚度的一半，所述包覆層填充慢所述連接條與導(dǎo)電片之間的區(qū) 域，所述封裝層的堅直端面與所述包覆層的堅直端面齊平。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝元件的制造方法，其特征在于：所述絕緣層的 上表面與所述導(dǎo)電片的上表面齊平，所述絕緣層的的下表面與所述導(dǎo)電片的下表面齊平， 所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在其中一電極的導(dǎo)電片上并位于靠近另一電極導(dǎo)電片的一端。
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝元件，其包括相互間隔的兩電極、夾設(shè)于該兩電極之間的絕緣層、設(shè)置在兩電極上的發(fā)光二極管芯片、及覆蓋該發(fā)光二極管芯片的封裝層，每一電極包括一導(dǎo)電片及與該導(dǎo)電片連接的至少一連接條，該連接條的厚度小于所述導(dǎo)電片的厚度，該連接條的上表面與該導(dǎo)電片的上表面齊平，還包括一包覆層包覆該連接條，該連接條的上表面與封裝層之間夾設(shè)部分包覆層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝元件的連接條與封裝層之間夾設(shè)有包覆層，該包覆層促使包覆層和封裝層之間的密合度、及包覆層與連接條之間的密合度均得到增強，增強發(fā)光二極管封裝元件的穩(wěn)固性。本發(fā)明還提供一種該發(fā)光二極管封裝元件的制造方法。
【IPC分類】H01L33-48, H01L33-00
【公開號】CN104701436
【申請?zhí)枴緾N201310660321
【發(fā)明人】張耀祖, 陳濱全, 陳隆欣, 曾文良, 黃郁良
【申請人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2013年12月10日
【公告號】US20150162498