一種晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于晶圓鍵合制程的對準(zhǔn)標(biāo)記。
【背景技術(shù)】
[0002]在3D-1C技術(shù)中，晶圓和晶圓之間的鍵合工藝是非常關(guān)鍵的技術(shù)，兩片晶圓鍵合制程的好壞，決定著整個(gè)工藝的成功與否，其中，用于鍵合制程中的對準(zhǔn)標(biāo)記扮演著至關(guān)重要的角色。
[0003]當(dāng)前在晶圓和晶圓之間的鍵合技術(shù)中，應(yīng)用于晶圓鍵合制程的對準(zhǔn)標(biāo)記普遍采用水平放置的設(shè)計(jì)，并放置于晶圓兩個(gè)切割道的交叉處，當(dāng)切割道寬度變小，鍵合對準(zhǔn)標(biāo)記便無法放入切割道中，必須占用芯片有效區(qū)域或者減小鍵合對準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸，占用芯片有效區(qū)域會減小芯片的有效面積，進(jìn)而造成資源的浪費(fèi)，而減小鍵合對準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸會影響晶圓的鍵合精度，這些都是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不愿看到的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述存在的問題，本發(fā)明公開一種晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，應(yīng)用于晶圓的鍵合工藝中，其中，所述晶圓上設(shè)置有相互交叉的切割道，且在所述切割道交叉的區(qū)域上設(shè)置具有尖端圖形的對準(zhǔn)標(biāo)記，且所述尖端圖形延伸至所述切割道的非交叉區(qū)域中。
[0005]上述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述切割道包括相互垂直的水平切割道和豎直切割道。
[0006]上述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述對準(zhǔn)標(biāo)記與所述水平切割道所成的角度不為
0° O
[0007]上述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述對準(zhǔn)標(biāo)記與所述水平切割道所成的角度為30?60。。
[0008]上述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其中，每條所述切割道的寬度均為60?80 μπι。
[0009]上述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述對準(zhǔn)標(biāo)記的形狀為正方形。
[0010]上述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述正方形的邊長大于每條所述切割道的寬度。
[0011]上述發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)或者有益效果:
[0012]本發(fā)明公開的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，應(yīng)用于晶圓的鍵合工藝中，該對準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置在晶圓切割道交叉的區(qū)域上，且該對準(zhǔn)標(biāo)記的尖端圖形延伸至切割道的非交叉區(qū)域中，從而可以在不減小對準(zhǔn)標(biāo)記尺寸，不影響晶圓鍵合精度的情況下，適應(yīng)更小尺寸的切割道，以獲得更大的芯片有效面積。
【附圖說明】
[0013]參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構(gòu)成對本發(fā)明范圍的限制。
[0014]圖1是本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)中位于尺寸相對較大的切割道中的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2是本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)中位于尺寸相對較小的切割道中的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3是本發(fā)明實(shí)施例中位于尺寸相對較小的切割道中的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明，但是不作為本發(fā)明的限定。
[0018]本發(fā)明公開一種晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，該對準(zhǔn)標(biāo)記可應(yīng)用于晶圓的鍵合工藝中，該晶圓上設(shè)置有相互交叉的切割道，且在切割道交叉的區(qū)域上設(shè)置具有尖端圖形的對準(zhǔn)標(biāo)記，且該尖端圖形延伸至切割道的非交叉區(qū)域中。
[0019]在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述切割道可包括相互垂直的水平切割道和豎直切割道。
[0020]在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步的，上述對準(zhǔn)標(biāo)記與水平切割道所成的角度不為0°，優(yōu)選的，對準(zhǔn)標(biāo)記與水平切割道所成的角度的取值范圍為30° -60° (例如30°、45°、50°或者60。等)。
[0021]在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述每條切割道的取值范圍為60-80 ym(例如60 μ m、65 μ m、70 μ m 或 80 μ m 等)。
[0022]在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述對準(zhǔn)標(biāo)記的形狀為正方形。
[0023]在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步的，上述正方形的邊長大于上述每條切割道的寬度。
[0024]下面結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以具體的實(shí)施例來對本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述:
[0025]圖1是本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)中位于尺寸相對較大的切割道中的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1中水平切割道21和豎直切割道22的寬度均為80 μm，晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記I水平設(shè)置于該水平切割道21和豎直切割道22的交叉區(qū)域，即對準(zhǔn)標(biāo)記I與水平切割道21所成的角度為0°，對準(zhǔn)標(biāo)記I的尖端圖形均位于該交叉區(qū)域內(nèi)，顯而易見的，該晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記I未占用了芯片的有效區(qū)域。
[0026]圖2是本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)中位于尺寸相對較小的切割道中的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2中水平切割道21和豎直切割道22的寬度均為60 μ m，與圖1中相同尺寸和形狀的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記I仍水平設(shè)置于該兩條切割道2的交叉區(qū)域，即對準(zhǔn)標(biāo)記I與水平切割道21所成的角度仍為0°，對準(zhǔn)標(biāo)記I的尖端圖形仍位于該交叉區(qū)域內(nèi)，顯而易見的，該晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記I占用了芯片的有效區(qū)域，從而減小了芯片的有效面積，造成了資源的浪費(fèi)，而如果將該晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記I的尺寸變小，則會影響晶圓的鍵合精度。
[0027]圖3是本發(fā)明實(shí)施例中位于尺寸相對較小的切割道中的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3中水平切割道21和豎直切割道22的寬度與圖2中相同，即水平切割道21和豎直切割道22的寬度均為60 μπι，與圖1中相同尺寸和形狀的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記I設(shè)置于該水平切割道21和豎直切割道22的交叉區(qū)域，且該晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記I與水平切割道成45°夾角，該晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記I的尖端圖形位于水平切割道21和垂直切割道22的非交叉區(qū)域；顯而易見的，該晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記I未占用芯片的有效區(qū)域，且可以將切割道2的尺寸變小，從而可以獲得更大的芯片有效面積，同時(shí)不會影響到晶圓的鍵合精度。
[0028]綜上，本發(fā)明在現(xiàn)有晶圓鍵合機(jī)臺和制程條件的基礎(chǔ)上，通過于晶圓的切割道的交叉區(qū)域設(shè)置對準(zhǔn)標(biāo)記，且該對準(zhǔn)標(biāo)記的尖端圖形位于切割道的非交叉區(qū)域，從而可以在不減小對準(zhǔn)標(biāo)記尺寸的情況下，適應(yīng)更小尺寸的切割道，獲得更大的芯片有效面積，進(jìn)而提高了晶圓的鍵合精度。
[0029]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。
[0030]以上對本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，應(yīng)用于晶圓的鍵合工藝中，其特征在于，所述晶圓上設(shè)置有相互交叉的切割道，且在所述切割道交叉的區(qū)域上設(shè)置具有尖端圖形的對準(zhǔn)標(biāo)記； 其中，所述尖端圖形延伸至所述切割道的非交叉區(qū)域中。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述切割道包括相互垂直的水平切割道和豎直切割道。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記具有矩形的外框，所述外框的任意一邊的延長線均與所述水平切割道或所述豎直切割道交叉。
4.如權(quán)利要求3所述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述外框臨近所述水平切割道一側(cè)的邊的延長線與所述水平切割道交叉成30?60°的夾角。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述切割道的寬度均為60?80 μ m0
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記的形狀為正方形。
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓對準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述正方形的邊長大于每條所述切割道的寬度。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于晶圓鍵合工藝中的對準(zhǔn)標(biāo)記；該對準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置在晶圓切割道交叉的區(qū)域上，且該對準(zhǔn)標(biāo)記的尖端圖形延伸至切割道的非交叉區(qū)域中，從而可以在不減小對準(zhǔn)標(biāo)記尺寸，不影響晶圓鍵合精度的情況下，適應(yīng)更小尺寸的切割道，以獲得更大的芯片有效面積。
【IPC分類】H01L23-544
【公開號】CN104701301
【申請?zhí)枴緾N201510107095
【發(fā)明人】王佳, 劉天建, 陳海平, 胡杏
【申請人】武漢新芯集成電路制造有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2015年3月10日