氧化物薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種氧化物薄膜晶體管及其制作方法、一種 包括氧化物薄膜晶體管的陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜晶體管液晶顯不器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱 TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地 位。
[0003] 近年來TFT-LCD獲得了飛速的發(fā)展，尤其是液晶電視發(fā)展的更為迅速，其尺寸、和 分辨率不斷地提高，大尺寸、高分辨率的液晶電視成為TFT-LCD發(fā)展的一個(gè)主流。隨著液晶 顯示器尺寸不斷地增大，驅(qū)動(dòng)電路的頻率不斷地提高，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管迀移率很 難滿足，而金屬氧化物薄膜晶體管迀移率高，均一性好，透明，制作工藝簡(jiǎn)單，可以更好地滿 足大尺寸液晶顯示器和有源有機(jī)電致發(fā)光的需求，備受人們的關(guān)注。
[0004] 如圖1所示的現(xiàn)有的氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，保護(hù)層9覆蓋源極6、漏極 7以及有源層4的位于源極6和漏極7之間的部分，由于氮化硅會(huì)使得薄膜晶體管變成導(dǎo) 體，因此保護(hù)層9需要使用氧化硅。但是在形成氧化硅時(shí)，源極6、漏極7會(huì)暴漏在氧離子中 而被氧化，甚至發(fā)生脫落，且影響薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種氧化物薄膜晶體管及其制作方法、一種包括氧化物薄 膜晶體管的陣列基板，以防止氧化物薄膜晶體管發(fā)生的源極、漏極發(fā)生氧化。
[0006] 本發(fā)明提供一種氧化物薄膜晶體管，包括：有源層；設(shè)置在所述有源層上方的源 極和漏極以及設(shè)置在所述源極和漏極上方的保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述源極、所述漏極 和所述有源層上位于所述源極和所述漏極之間的部分，其中，所述源極和漏極的表面與所 述保護(hù)層之間設(shè)置有防氧化層，所述防氧化層用于防止用于形成所述保護(hù)層的等離子體與 所述源極和漏極接觸。
[0007] 優(yōu)選地，所述保護(hù)層的材料包括氧化物，所述防氧化層的材料包括硅的氮化物。
[0008] 優(yōu)選地，所述防氧化層的厚度在200~2000A之間。
[0009] 優(yōu)選地，所述氧化物薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述源極和漏極與所述有源層之間 的能夠?qū)щ姷淖钃鯇樱鲎钃鯇拥牟牧系幕顫娦孕∮谒鲈礃O和漏極的材料的活潑性。
[0010] 優(yōu)選地，所述阻擋層的材料包括鉬、鈦、鎢、鉬合金或鈦合金中的任意一者。
[0011] 優(yōu)選地，所述源極和漏極的材料包括銅。
[0012] 相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種氧化物薄膜晶體管的制作方法，包括：
[0013] 形成包括有源層的圖形；
[0014] 在所述有源層上方形成包括源極和漏極的圖形；
[0015] 在所述源極和漏極的表面上形成防氧化層；
[0016] 利用化學(xué)氣相沉積在所述防氧化層上方形成保護(hù)層，所述防氧化層用于防止用于 形成所述保護(hù)層的等離子體與所述源極和漏極接觸。
[0017] 優(yōu)選地，所述保護(hù)層的材料包括氧化物，所述防氧化層的材料包括硅的氮化物。
[0018] 優(yōu)選地，在所述有源層上方形成包括源極和漏極的圖形的步驟之前還包括：
[0019] 在所述有源層上方形成包括能夠?qū)щ姷淖钃鯇拥膱D形，所述阻擋層的材料的活潑 性小于所述源極和漏極的材料的活潑性。
[0020] 優(yōu)選地，在所述有源層上方形成包括阻擋層的圖形的步驟、在所述有源層上方形 成包括源極和漏極的圖形的步驟以及在所述源極和漏極的表面形成防氧化層的步驟同步 進(jìn)行，同步形成的步驟包括：
[0021] 在所述有源層上方依次形成阻擋材料層、源漏材料層、防氧化材料層和光刻膠 層；
[0022] 利用掩膜板進(jìn)行對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光并顯影，其中，所述掩膜板為半色調(diào)掩膜板 或灰色調(diào)掩膜板，所述掩膜板的不透光區(qū)域?qū)?yīng)于源極和漏極，所述掩膜板的半透光區(qū)域 對(duì)應(yīng)于源極和漏極之間的中間區(qū)域，所述掩膜板的透光區(qū)域?qū)?yīng)于所述源極、所述漏極和 所述中間區(qū)域以外的區(qū)域，使得顯影后半透光區(qū)域?qū)?yīng)光刻膠層的厚度小于不透光區(qū)域?qū)?應(yīng)的光刻膠層的厚度，透光區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠被去除；
[0023] 進(jìn)行第一次刻蝕，以刻蝕掉所述掩膜板的不透光區(qū)域所對(duì)應(yīng)區(qū)域的阻擋材料層、 源漏材料層和防氧化材料層；
[0024] 對(duì)光刻膠層進(jìn)行灰化，去除所述中間區(qū)域的光刻膠；
[0025] 進(jìn)行第二次刻蝕，以刻蝕掉所述中間區(qū)域的阻擋材料層、源漏材料層和防氧化材 料層，形成包括源極、漏極的圖形和包括阻擋層的圖形以及包括防氧化層的圖形。
[0026] 優(yōu)選地，所述阻擋層的材料包括鉬、鈦、鎢、鉬合金或鈦合金中的任意一者。
[0027] 優(yōu)選地，所述源極和漏極的材料包括銅。
[0028] 優(yōu)選地，在所述防氧化層上方形成保護(hù)層的步驟之前還包括：通入能夠產(chǎn)生氧等 離子的氣體，以對(duì)所述有源層上位于源極和漏極之間的部分進(jìn)行滲氧處理。
[0029] 優(yōu)選地，所述能夠產(chǎn)生氧等離子的氣體包括等離子化的氧氣或笑氣。
[0030] 相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種陣列基板，該陣列基板包括本發(fā)明提供的上述氧化物 薄膜晶體管。
[0031] 在本發(fā)明中，由于氧化物薄膜晶體管中源極和漏極上方設(shè)置有防氧化層，因此在 形成氧化物的保護(hù)層時(shí)，源極和漏極在防氧化層的間隔下不會(huì)與等離子體發(fā)生接觸，從而 避免了源極和漏極被氧化的現(xiàn)象的發(fā)生，提高了氧化物薄膜晶體管的良率。
【附圖說明】
[0032] 附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具 體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：
[0033] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034] 圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式所提供的氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 圖3是本發(fā)明中制作氧化物薄膜晶體管時(shí)形成柵極的示意圖；
[0036] 圖4是在柵極上形成柵極絕緣層的示意圖；
[0037] 圖5是形成有源層后的示意圖；
[0038] 圖6是形成阻擋材料層、源漏材料層、防氧化材料層和光刻膠層后的示意圖；
[0039] 圖7是對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影后的示意圖；
[0040] 圖8是對(duì)阻擋材料層、源漏材料層、防氧化材料層進(jìn)行第一次刻蝕后的示意圖；
[0041] 圖9是對(duì)光刻膠層進(jìn)行灰化后的示意圖；
[0042] 圖10是對(duì)阻擋材料層、源漏材料層、防氧化材料層進(jìn)行第二次刻蝕后的示意圖；
[0043] 圖11是在保護(hù)層上形成過孔后的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式中提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044] 其中，附圖標(biāo)記為：1、基底；2、柵極；3、柵極絕緣層；4、有源層；5、阻擋層；5a、阻 擋材料層；6、源極；6a、源漏材料層；7、漏極；8、防氧化層；8a、防氧化材料層；9、保護(hù)層； 10、像素電極；11、光刻膠層；12、過孔。
【具體實(shí)施方式】
[0045] 以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描 述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0046] 作為本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種氧化物薄膜晶體管，如圖2所示，包括：有源 層4 ;設(shè)置在有源層4上方的源極6和漏極7以及設(shè)置在源極6和漏極7上方的保護(hù)層9， 保護(hù)層9覆蓋源極6、漏極7和有源層4上位于源極6和漏極7之間的部