顯示面板及應(yīng)用其的顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示面板及應(yīng)用其的顯示裝置，且特別是涉及一種頂端通道的氧化物半導(dǎo)體顯示面板，及應(yīng)用其的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]常用于顯示面板中的薄膜晶體管(Thin-Film Transistor, TFT)通道材料包括多晶娃(polysilicon)與非晶娃(amorphous silicon, a-Si)兩種，多晶娃TFT元件的載流子遷移率(mobility)較高OlOOVs/cm2)，但生產(chǎn)成本也偏高；非晶硅TFT元件雖然生產(chǎn)成本較低，但載流子遷移率也較低(〈IVs/cm2)。
[0003]如非晶氧化銦嫁鋒(amorphousindium gallium zinc oxide, a-1GZO)之類的氧化物半導(dǎo)體(oxide semiconductor)由于其優(yōu)異的電性條件,例如介于10_20Vs/cm2的載流子遷移率、臨界電壓變異與元件開關(guān)能力等，可作為電子通道層之用，而逐漸引起相當(dāng)多的注意。然而，例如下柵極式(bottom-gate)的后通道蝕刻(back channel etch, BCE)、通道保護(hù)(channel protect, CHP),或上柵極式(top-gate)的低溫多晶娃(low temperaturepolysilicon, LTPS)等現(xiàn)有的TFT設(shè)計，在形成通道層還需進(jìn)行化學(xué)氣相沉積成膜(chemical vapor deposit1n, CVD)或等離子體(plasma)之類額外的制作工藝,容易在氧化物半導(dǎo)體中造成氧缺陷，使啟動電壓Vgh漂移或次臨界擺幅(subthreshold swing, SS)過大，影響氧化物半導(dǎo)體電子通道的特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板及其顯示裝置，具有良好的電子通道層特性。
[0005]為達(dá)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種顯示面板。顯示面板包括薄膜晶體管基板、顯示介質(zhì)及對向基板。對向基板相對于薄膜晶體管基板設(shè)置。顯示介質(zhì)位于薄膜晶體管基板及對向基板之間。薄膜晶體管基板包括基板、第一電極層、像素電極層、第一絕緣層、第二電極層、第二絕緣層、通道層及保護(hù)層。第一電極層與像素電極層位于基板之上。第一絕緣層覆蓋第一電極層及像素電極層。第二電極層位于第一絕緣層之上。第二絕緣層覆蓋第二電極層。第一通孔及第二通孔貫穿第一絕緣層及第二絕緣層，以暴露第一電極層。通道層位于第二絕緣層層之上，并填入第一通孔及第二通孔，以與第一電極層電連接。保護(hù)層覆蓋通道層。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種顯示裝置，顯示裝置包括顯示面板及控制電路?？刂齐娐放c顯示面板耦接。顯示面板包括薄膜晶體管基板、顯示介質(zhì)及對向基板。對向基板相對于薄膜晶體管基板設(shè)置。顯示介質(zhì)位于薄膜晶體管基板及對向基板之間。薄膜晶體管基板包括基板、第一電極層、像素電極層、第一絕緣層、第二電極層、第二絕緣層、通道層及保護(hù)層。第一電極層與像素電極層位于基板之上。第一絕緣層覆蓋第一電極層及像素電極層。第二電極層位于第一絕緣層之上。第二絕緣層覆蓋第二電極層。第二絕緣層具有第一通孔及第二通孔。第一通孔及第二通孔貫穿第一絕緣層及第二絕緣層，以暴露第一電極層。通道層位于第二絕緣層之上，并填入第一通孔及第二通孔，以與第一電極層電連接。保護(hù)層覆蓋通道層。
[0007]通過將通道層設(shè)計在薄膜晶體管基板的頂部，本發(fā)明的顯示面板及顯示裝置能避免通道層的半導(dǎo)體特性遭到破壞，進(jìn)而維持良好的電性，提升顯示品質(zhì)。
[0008]為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明一實施例的顯示裝置的示意圖；
[0010]圖2A為本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管基板的剖視圖，圖2B繪示圖2A的薄膜晶體管基板的上視圖；
[0011]圖3A-圖8B為圖2A的薄膜晶體管基板的一制造實施例,其中標(biāo)示為A的附圖為剖視圖，標(biāo)示于B的附圖為上視圖；
[0012]圖9A為本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管基板的剖視圖，圖9B繪示圖9A的薄膜晶體管基板的上視圖。
[0013]符號說明
[0014]1:顯示裝置
[0015]2:顯示面板
[0016]10、11:薄膜晶體管基板
[0017]20:顯示介質(zhì)
[0018]30:對向基板
[0019]40:背光模塊
[0020]50:控制電路
[0021]100:基板
[0022]110:第一源/漏極
[0023]120:第二源/漏極
[0024]121:開口
[0025]130:像素電極層
[0026]140:第一絕緣層
[0027]150:第二電極層
[0028]160:第二絕緣層
[0029]161:第一通孔
[0030]162:第二通孔
[0031]170:通道層
[0032]180:保護(hù)層
【具體實施方式】
[0033]請參照圖1，其繪示依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示裝置。顯示裝置I可以是一般的平面顯示器，由顯示面板2及控制電路50組成，控制電路50耦接于顯示面板2，用以傳送顯示信號及調(diào)整電流輸出。顯示面板I有很多種類，可根據(jù)成像需不需要外加光源而分為自發(fā)光式(例如OLED)或背光式(例如IXD)。當(dāng)選用背光式的顯示面板I時，顯示裝置I可包括背光模塊40，用以提供所需光源。
[0034]顯示面板2為顯示裝置I的主要元件，包括了薄膜晶體管基板10、顯示介質(zhì)20以及對向基板30。薄膜晶體管基板20耦接于控制電路50，根據(jù)接受到的顯示信號調(diào)整各個像素。顯示介質(zhì)20根據(jù)顯示面板的種類而改變。舉例來說，當(dāng)顯示面板2為IXD面板時，顯不介質(zhì)便為液晶層；當(dāng)顯不面板2為OLED面板時,顯不面板便為有機發(fā)光層。對向基板30可為一般的透明基板或彩色濾光片基板(color filter)，其與薄膜晶體管基板10相對，并將顯示介質(zhì)20夾于兩者之間。一實施例中，當(dāng)對向基板30為透明基板時，彩色濾光片可形成在薄膜晶體管基板10上，或顯示介質(zhì)20可具有彩色顯示的功能。
[0035]圖2A繪示一實施例的薄膜晶體管基板的剖視圖，圖2B繪示圖2A的薄膜晶體管基板的上視圖，其中圖2A為圖2B的薄膜晶體管基板10于虛線A-A’處的剖面。為使附圖更加清楚，圖2B的上視圖中忽略部分元件。薄膜晶體管基板10包括基板100、第一電極層(第一源/漏極110及第二源/漏極120)、像素電極層130、第一絕緣層140、柵極層150、第二絕緣層160、通道層170及保護(hù)層180。
[0036]以下用圖3A至圖SB說明圖2A的薄膜晶體管基板的一制造實施例，其中標(biāo)號為A的附圖為剖視圖，標(biāo)號為B的附圖為上視圖。
[0037]請參照圖3A及圖3B，提供基板100 (圖3B中忽略)，并在基板100上形成圖案化的第一電極層。注意圖3A的剖面沿著圖3B的L形虛線A-A’裁切而成，并非一直線。第一電極層至少包括第一源/漏極110及第二源/漏極120，兩者互相分開，此處第一源/漏極110圍出一 C字形的凹口，而第二源/漏極120便設(shè)置在此凹口中，也就是第一源/漏極110繞過第二源/漏極120。第一源/漏極110在之后可作為數(shù)據(jù)線使用。第一電極層的材料可包括Al、Al-Nd、Moff, Cu、Cr、Au、Mo、ΜοΑΙΜο，但并不限制于此，一般用于半導(dǎo)體裝置電極的材料皆可使用。
[0038]接著，如圖4A及圖4B所示，形成像素電極層130。像素電極層130與第一電極層的第二源/漏極120相連接。此外，定義開口 121貫穿像素電極層130，以暴露源極120。像素電極層為透明電極，材料可包括ITO、IZO或ZnO，但并不限制于此。
[0039]再來，如圖5A及圖5B所示，沉積第一絕緣層140 (圖5B中忽略)覆蓋薄膜晶體管基板(覆蓋基板110、第一源/漏極110、第二源/漏極120及像素電極層130)，再形成第二電極層150。第二電極層150可為一柵極線，設(shè)置在第一絕緣層上，以及第一源/漏極110與第二源/漏極120之間(圖5A)。第二電極層150的延伸方向與第一源/漏極110的延伸方向垂直(圖5B)，其跨越第一源/漏極110與第二源/漏極120