支承體構(gòu)造及處理裝置的制造方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】支承體構(gòu)造及處理裝置
[0001]本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2011年6月17日、申請(qǐng)?zhí)枮?01110168452.7、發(fā)明名稱(chēng)為“支承體構(gòu)造及處理裝置”的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及用于支承半導(dǎo)體晶圓等被處理體的支承體構(gòu)造及處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]通常，為了制造半導(dǎo)體集成電路，對(duì)由硅基板等構(gòu)成的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行成膜處理、蝕刻處理、氧化處理、擴(kuò)散處理、改性處理、自然氧化膜的除去處理等各種處理。這些處理利用逐張?zhí)幚砭A的單片式的處理裝置、一次處理多張晶圓的分批式的處理裝置來(lái)進(jìn)行。例如在利用專(zhuān)利文獻(xiàn)I等公開(kāi)的立式的、所謂的分批式的處理裝置進(jìn)行這些處理的情況下，首先，將半導(dǎo)體晶圓從能夠收容多張、例如25張半導(dǎo)體晶圓的晶圓盒移載到立式的晶圓舟皿，并呈多層地將晶圓支承在該晶圓舟皿中。
[0004]該晶圓舟皿例如也取決于晶圓規(guī)格，但能夠載置30?150張左右的晶圓。在將上述晶圓舟皿從能夠排氣的處理容器的下方搬入(加載)到該處理容器內(nèi)之后，將處理容器內(nèi)維持為氣密狀態(tài)。然后，控制處理氣體的流量、工藝壓力、工藝溫度等各種工藝條件來(lái)實(shí)施規(guī)定的熱處理。在該熱處理中，例如以成膜處理為例，作為成膜處理的方法，公知有CVD (Chemical Vapor Deposit1n)法(專(zhuān)利文獻(xiàn) 2)、ALD (Atomic Layer Deposit1n)法。
[0005]而且，出于提高電路元件的特性的目的，期望也降低半導(dǎo)體集成電路的制造工序中的熱過(guò)程，因此，即使不將晶圓暴露于那么高的溫度下，也能夠進(jìn)行目標(biāo)處理，因此，也傾向于使用一邊間斷地供給原料氣體等一邊以原子級(jí)每I層?幾層地或者以分子級(jí)每I層?幾層地反復(fù)成膜的ALD法(專(zhuān)利文獻(xiàn)3、4等)。
[0006]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平6 - 275608號(hào)公報(bào)
[0007]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2004 - 006551號(hào)公報(bào)
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)平6 - 45256號(hào)公報(bào)
[0009]專(zhuān)利文獻(xiàn)4:日本特開(kāi)平11 - 87341號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供能夠提高被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性的支承體構(gòu)造和處理裝置。
[0011]本發(fā)明是一種支承體構(gòu)造，該支承體構(gòu)造配置在供處理氣體從下端朝向上端或者從上端朝向下端流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)，用于支承多張被處理體，其特征在于，該支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部，支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)的間距被設(shè)定得大于支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)的間距。
[0012]這樣，由于將用于支持被處理體的支承支柱的支承部的間距設(shè)定為在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)大于在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)，因此，處理氣體易于蔓延到處理氣體的下游側(cè)的被處理體之間，能夠提高載置在支承體構(gòu)造的氣流的下游側(cè)的被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性。
[0013]本發(fā)明是一種支承體構(gòu)造，該支承體構(gòu)造配置在供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)地沿水平方向流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)，用于支承多張被處理體，其特征在于，該支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部，位于上部側(cè)的支承部的間距和位于下部側(cè)的支承部的間距大于位于中央側(cè)的支承部的間距。
[0014]這樣，在供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)地水平流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)支承要處理的多個(gè)被處理體的支承體構(gòu)造中，對(duì)于支承被處理體的支承部，將位于上部側(cè)的上述支承部的間距和位于下部側(cè)的上述支承部的間距設(shè)定為大于位于中央部的上述支承部的間距，因此，能夠提高載置在支承體構(gòu)造的上端部側(cè)和下端部側(cè)的被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性。
[0015]本發(fā)明是一種處理裝置，該處理裝置用于對(duì)多張被處理體實(shí)施規(guī)定的處理，其特征在于，該處理裝置包括:縱長(zhǎng)的處理容器構(gòu)造，其下端部開(kāi)口，具有能夠容納多張被處理體的大?。簧w部，其用于堵塞處理容器構(gòu)造的下端部開(kāi)口 ；支承體構(gòu)造，其用于支承多張被處理體，并能夠插入到處理容器構(gòu)造內(nèi)或從處理容器構(gòu)造內(nèi)拔出；氣體導(dǎo)入部件，其具有用于向處理容器構(gòu)造內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體噴嘴；排氣部件，其用于對(duì)處理容器構(gòu)造體內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣；加熱部件，其用于加熱被處理體；處理容器構(gòu)造供處理氣體從下端朝向上端或者從上端朝向下端地流動(dòng)，支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部，支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)的間距被設(shè)定得大于支承支柱的在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)的間距。
[0016]本發(fā)明是一種處理裝置，該處理裝置用于對(duì)多張被處理體實(shí)施規(guī)定的處理，其特征在于，該處理裝置包括:縱長(zhǎng)的處理容器構(gòu)造，其下端部開(kāi)口，具有能夠容納多張被處理體的大??；蓋部，其用于堵塞處理容器構(gòu)造的下端部開(kāi)口 ；支承體構(gòu)造，其用于支承多張被處理體，并能夠插入到處理容器構(gòu)造內(nèi)或從處理容器構(gòu)造內(nèi)拔出；氣體導(dǎo)入部件，其具有用于向處理容器構(gòu)造內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體噴嘴；排氣部件，其用于對(duì)處理容器構(gòu)造體內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣；加熱部件，其用于加熱被處理體；處理容器構(gòu)造供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)地沿水平方向流動(dòng)，支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部，位于上部側(cè)的支承部的間距和位于下部側(cè)的支承部的間距大于位于中央側(cè)的支承部的間距。
[0017]采用本發(fā)明的支承體構(gòu)造和處理裝置，能夠發(fā)揮如下的優(yōu)良的作用效果。
[0018]采用本發(fā)明，由于將用于支持被處理體的支承支柱的支承部的間距設(shè)定為在處理氣體的流動(dòng)方向的下游側(cè)大于在處理氣體的流動(dòng)方向的上游側(cè)，因此，處理氣體易于蔓延到處理氣體的下游側(cè)的被處理體之間，能夠提高載置在支承體構(gòu)造的氣流的下游側(cè)的被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性。
[0019]采用本發(fā)明，在供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)地水平流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)支承要處理的多個(gè)被處理體的支承體構(gòu)造中，對(duì)于用于支承被處理體的支承部，將位于上部側(cè)的上述支承部的間距和位于下部側(cè)的上述支承部的間距設(shè)定為大于位于中央部的上述支承部的間距，因此，能夠提高載置在支承體構(gòu)造的上端部側(cè)和下端部側(cè)的被處理體的膜厚的面內(nèi)均勻性。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是表示具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第I實(shí)施例的處理裝置的內(nèi)剖視結(jié)構(gòu)圖。
[0021]圖2是圖1所示的支承體構(gòu)造的剖視圖。
[0022]圖3是表示圖1所示的支承體構(gòu)造的間距形態(tài)的主視圖。
[0023]圖4用曲線(xiàn)圖表示膜厚的面內(nèi)均勻性的結(jié)果。
[0024]圖5是表示具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第2實(shí)施例的處理裝置的剖視結(jié)構(gòu)圖。
[0025]圖6是圖5所示的支承體構(gòu)造的剖視圖。
[0026]圖7是表示圖5所示的支承體構(gòu)造的間距形態(tài)的主視圖。
[0027]圖8用曲線(xiàn)圖表示階梯覆蓋率(Step Coverage)的結(jié)果。
[0028]圖9是表示比較例的分批式處理裝置的一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖。
[0029]圖10是表示比較例的分批式處理裝置的另一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面，根據(jù)附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的支承體構(gòu)造及處理裝置的一實(shí)施例。
[0031]第I實(shí)施例
[0032]圖1是表示具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第I實(shí)施例的處理裝置的內(nèi)剖視結(jié)構(gòu)圖，圖2是圖1所示的支承體構(gòu)造的剖視圖，圖3是表示圖1所示的支承體構(gòu)造的間距形態(tài)的主視圖。在此，作為處理的一個(gè)例子，以進(jìn)行成膜處理的情況為例來(lái)說(shuō)明。如圖所示，該處理裝置40作為處理容器構(gòu)造42具有立式的處理容器44，該處理容器44為圓筒體狀，其下端開(kāi)放，在上下方向上具有規(guī)定的長(zhǎng)度。該處理容器44例如可以采用耐熱性較高的石英。
[0033]呈多層載置并支承多張作為被處理體的半導(dǎo)體晶圓W的作為支承體構(gòu)造的晶圓舟皿46能夠升降地自由地自該處理容器44的下方插入到該處理容器44內(nèi)或從該處理容器44內(nèi)拔出。該晶圓舟皿46整體例如由石英構(gòu)成，具體地講，該晶圓舟皿46包括配置在上部的頂板部48、配置在下部的底部50和連接在該頂板部48