另一端連接于開關(guān)元件SW3與開關(guān)元件SW4的連接點。在發(fā)送電力線圈Lt中流過的電流受開關(guān)元件SWl?4的開閉控制。
[0058]將由接收電力線圈Lr接收的電力提供給負載的接收電力電路由橋式二極管Dr和電容器Co構(gòu)成。在接收電力線圈Lr的一端連接有電容器Crl的一端，在另一端連接有電容器Cr2的一端。電容器Crl的另一端連接于橋式二極管Dr的一個輸入，電容器Cr2的另一端連接于橋式二極管Dr的另一個輸入。在橋式二極管Dr的輸出端子之間，連接有電容器Co ο在接收電力線圈Lr中流過的電流被橋式二極管Dr全波整流，并且提供給電容器Co。
[0059]接著，說明開關(guān)元件SWl?4的開關(guān)動作。例如，開關(guān)元件SWl和開關(guān)元件SW4閉合且開關(guān)元件SW2和開關(guān)元件SW3斷開期間，與開關(guān)元件SWl和開關(guān)元件SW4斷開且開關(guān)元件SW2和開關(guān)元件SW3閉合的期間交替地重復(fù)。開關(guān)元件SWl和開關(guān)元件SW2的連接點與開關(guān)元件SW3和開關(guān)元件SW4的連接點之間的電壓Vdr (以開關(guān)元件SW3與開關(guān)元件SM的連接點側(cè)為基準的電壓)基于開關(guān)元件SWl?4的開閉而變化。在開關(guān)元件SWl和開關(guān)元件SW4閉合且開關(guān)元件SW2和開關(guān)元件SW3斷開時，電壓Vdr成為絕對值與輸入電壓Vin大致相等的正電壓值。另一方面，在開關(guān)元件SWl和開關(guān)元件SW4斷開且開關(guān)元件SW2和開關(guān)元件SW3閉合時，電壓Vdr成為絕對值與輸入電壓Vin大致相等的負電壓值。
[0060]基于該交流電壓Vdr的交流電流在發(fā)送電力線圈Lt中流過，由此發(fā)送電力線圈Lt產(chǎn)生磁場。這時，在接收電力線圈Lr中流過基于發(fā)送電力線圈Lt所產(chǎn)生的磁場的交流電流，該電流被橋式二極管Dr全波整流，并且提供給電容器Co。
[0061]接著，參照圖8和圖9說明將本發(fā)明所涉及的多層結(jié)構(gòu)的線圈作為圖7所示的發(fā)送電力線圈Lt或者作為接收電力線圈Lr來使用的情況下的例子。圖8和圖9表示相對配置的發(fā)送線圈和接收線圈的截面圖。在圖8中，發(fā)送電力線圈Lt和接收電力線圈Lr均由I個線圈構(gòu)成，在圖9中，發(fā)送電力線圈Lt和接收電力線圈Lr均由2個線圈構(gòu)成。
[0062]在圖8的例中，使用雙層結(jié)構(gòu)的線圈11構(gòu)成發(fā)送電力線圈10，使用雙層結(jié)構(gòu)的線圈21構(gòu)成接收電力線圈20。發(fā)送電力線圈10由線圈11、磁性構(gòu)件12以及金屬平板13構(gòu)成。磁性構(gòu)件12和金屬平板13在線圈11的與線圈21相對的側(cè)的相反側(cè)依次配置。接收電力線圈20由線圈21、磁性構(gòu)件22以及金屬平板23構(gòu)成。磁性構(gòu)件22和金屬平板23在線圈21的與線圈11相對的側(cè)的相反側(cè)依次配置。這些金屬平板13，23由鋁板或銅板構(gòu)成。
[0063]如果在用該結(jié)構(gòu)進行非接觸電力傳輸?shù)那闆r下線圈的寄生電容的平衡性差，則有時金屬平板13的對地電壓或金屬平板23的對地電壓會變高。但是，本發(fā)明所涉及的多層結(jié)構(gòu)的線圈由于寄生電容的平衡性良好，因此能夠抑制金屬平板13的對地電壓或金屬平板23的對地電壓變高。
[0064]在圖9的例中，使用雙層結(jié)構(gòu)的線圈31a，31b構(gòu)成發(fā)送電力線圈30，使用雙層結(jié)構(gòu)的線圈41a、41b構(gòu)成接收電力線圈40。發(fā)送電力線圈30由線圈31a, 31b、磁性構(gòu)件32以及金屬平板33構(gòu)成。磁性構(gòu)件32和金屬平板33在線圈31a，31b的與線圈41a、41b相對的側(cè)的相反側(cè)依次配置。接收電力線圈40由線圈41a，41b、磁性構(gòu)件42以及金屬平板43構(gòu)成。磁性構(gòu)件42和金屬平板43在線圈41a，41b的與線圈31a、31b相對的側(cè)的相反側(cè)依次配置。還有，線圈41a所產(chǎn)生的磁場的方向和線圈41b所產(chǎn)生的磁場的方向以相互反方向的方式設(shè)定。還有，這些金屬平板33，43由鋁板或銅板構(gòu)成。
[0065]線圈41a和線圈41b由從最外周側(cè)的繞組引出的端部彼此相互連接。在這樣連接的情況下，即使使線圈41a與線圈41b的最外周側(cè)的繞組彼此接近，由于兩者間的電壓差小，因此也不需要實施特別的耐壓保護等對策。另外，與發(fā)送電力線圈10和接收電力線圈20的情況同樣地，也能夠抑制金屬平板33的對地電壓或金屬平板43的對地電壓變高。
[0066]以上，說明了本發(fā)明所涉及的多層結(jié)構(gòu)的線圈的實施方式，但本發(fā)明不限定于上述說明的實施方式，可以在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)加以各種各樣的變更。例如，就多層結(jié)構(gòu)的層數(shù)、各層的繞組部的圈數(shù)而言，可以以各種各樣的組合構(gòu)成線圈。但是，優(yōu)選各層的繞組部的圈數(shù)比多層結(jié)構(gòu)的層數(shù)大。另外，就導(dǎo)線而言，也可以使用絞合線以外的線材。
【主權(quán)項】
1.一種線圈，其特征在于， 是在各層具備由平面狀卷繞多次的導(dǎo)線構(gòu)成的繞組部的層疊結(jié)構(gòu)的線圈， 各層的所述繞組部由對于各層實施從最下層朝向最上層往相同卷繞方向單次卷繞的第I卷繞部分、以及對于各層實施從最上層朝向最下層往相同卷繞方向單次卷繞的第2卷繞部分構(gòu)成，第I卷繞部分與第2卷繞部分的卷繞方向彼此相同，并且第I卷繞部分與第2卷繞部分在最上層或者最下層連結(jié)。
2.如權(quán)利要求1所述的線圈，其特征在于， 相鄰的上層和下層的所述繞組部經(jīng)由絕緣構(gòu)件而相對。
3.如權(quán)利要求2所述的線圈，其特征在于， 所述絕緣構(gòu)件是設(shè)置有狹縫的平板狀的構(gòu)件， 相鄰的上層和下層的所述繞組部的導(dǎo)線經(jīng)由所述狹縫而連結(jié)。
4.一種線圈，其特征在于， 是層疊結(jié)構(gòu)的線圈， 具備: 骨架，其具有將各層的導(dǎo)線收納部分隔的平板部；以及 繞組部，其具有平面狀卷繞多次的導(dǎo)線，收納于各層的所述導(dǎo)線收納部， 所述繞組部由對于各層實施從所述導(dǎo)線收納部的最下層朝向最上層往相同卷繞方向單次卷繞的第I卷繞部分、以及對于各層實施從所述導(dǎo)線收納部的最上層朝向最下層往相同卷繞方向單次卷繞的第2卷繞部分構(gòu)成，第I卷繞部分與第2卷繞部分的卷繞方向彼此相同，并且第I卷繞部分與第2卷繞部分在所述導(dǎo)線收納部的最上層或最下層連結(jié)。
5.如權(quán)利要求4所述的線圈，其特征在于， 所述平板部具有狹縫， 相鄰的上層和下層的收納于所述導(dǎo)線收納部的所述繞組部的導(dǎo)線經(jīng)由所述狹縫而連結(jié)。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種維持寄生電容的平衡性并且具有能夠進行多層結(jié)構(gòu)化的線圈構(gòu)造的線圈。其是在各層具備由平面狀卷繞多次的導(dǎo)線構(gòu)成的繞組部(2a,2b)的層疊結(jié)構(gòu)的線圈(11)，各層的繞組部(2a,2b)由對于各層實施從最下層朝向最上層往相同卷繞方向單次卷繞的第1卷繞部分、以及對于各層實施從最上層朝向最下層往相同卷繞方向單次卷繞的第2卷繞部分構(gòu)成，第1卷繞部分與第2卷繞部分的卷繞方向彼此相同，并且第1卷繞部分與第2卷繞部分在最上層或最下層連結(jié)。
【IPC分類】H01F38-14, H02J17-00
【公開號】CN104681258
【申請?zhí)枴緾N201410709982
【發(fā)明人】鈴木滿成, 鴨野武志, 寺崎泰弘, 千代憲隆
【申請人】Tdk株式會社
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2014年11月28日
【公告號】US20150145630