包括透明的耦合輸出元件的光電子器件的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】包括透明的輔合輸出元件的光電子器件
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉參引
[0002] 本專(zhuān)利申請(qǐng)要求德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)10 2012 108 939.6的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)參 引結(jié)合于此。
【背景技術(shù)】
[0003] 光電子器件例如發(fā)光二極管（LED)通常具有透明的禪合輸出元件譬如由聚合物 材料構(gòu)成的囊封件。所述聚合物材料通常展現(xiàn)出由于暴露于光和熱而引起的快速老化。由 于所述材料的快速老化和與其相關(guān)的亮度損失，光電子器件的壽命受到限制。尤其，在高功 率范圍中的LED、即電功率一瓦W上的LED中在常規(guī)的聚合物材料的情況下只能實(shí)現(xiàn)非常 短的LED使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 因此，本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方式的目的是，提供一種具有透明的禪合輸出元件 的光電子器件，其特征在于提高的對(duì)光和熱的穩(wěn)定性。
[0005] 所述目的通過(guò)具有權(quán)利要求1的特征的光電子器件實(shí)現(xiàn)。
[0006] 本發(fā)明的有利的實(shí)施方案W及改進(jìn)方案在相應(yīng)的從屬權(quán)利要求中給出。
[0007] 提出一種光電子器件。光電子器件包括；具有有源層的層序列，所述有源層發(fā)射電 磁初級(jí)福射；和至少一個(gè)透明的禪合輸出元件，所述禪合輸出元件設(shè)置在電磁初級(jí)福射的 光路中。所述至少一個(gè)透明的禪合輸出元件包括雜化材料或由雜化材料制成，所述雜化材 料具有下述結(jié)構(gòu)：
[000引
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種光電子器件（I)，所述光電子器件包括： -具有有源層的層序列（2)，所述有源層發(fā)射電磁初級(jí)輻射； -至少一個(gè)透明的耦合輸出元件（3,4,9)，所述耦合輸出元件設(shè)置在所述電磁初級(jí)輻 射的光路中，
其中所述至少一個(gè)透明的耦合輸出元件（3,4,9)包括雜化材料或由雜化材料制成，所 述雜化材料具有下述結(jié)構(gòu)： 其中 -RU Rl'、R2、R2'和R5能夠相同地或不同地選擇并且選自包括下述材料的組：H，飽和 的和不飽和的烷基殘基，完全地或部分地取代的、飽和的和不飽和的烷基殘基，芳烴，完全 地或部分地取代的芳烴，雜環(huán)化合物和完全地或部分地取代的雜環(huán)化合物， -R3、R3'、R4和R4'能夠相同地或不同地選擇并且選自包括下述材料的組：H，飽和的和 不飽和的烷基殘基，完全地或部分地取代的、飽和的和不飽和的烷基殘基，烷氧基，芳氧基， 胺基，酰胺，酯，芳烴，完全地或部分地取代的芳烴，雜環(huán)化合物和完全地或部分地取代的雜 環(huán)化合物， -X選自包括0、S和N-R6的組， -R6選自與R1、R1'、R2、R2'和R5相同的組， -M和M'能夠相同地或不同地選擇并且選自包括8、八1、51-1?7、66-1?7'和11-1?7"的組， -Y選自包括〇、S、N-R5'和鍵合物的組， -尺5'能夠選自與1?1、1?1'、1?2、1?2'、和1?5相同的組并且1?5'能夠與1?1、1?1'、1?2、1?2'和 R5相同地或不同地選擇， -尺7、1?7'和1?7"能夠相同地或不同地選擇并且選自與1?3、1?3'、1?4和1?4'相同的組，并 且 -n、m能夠相同地或不同地選擇并且I < n，m < 10000。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件（1)， 其中所述至少一個(gè)耦合輸出元件（3,4,9)包括雜化材料或由雜化材料制成，所述雜化 材料包括下述結(jié)構(gòu)：
3. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的器件（1)， 其中所述至少一個(gè)耦合輸出元件（3,4,9)包括雜化材料或由雜化材料制成，所述雜化 材料具有下述結(jié)構(gòu)： 其中
-R31、R31'、R41和R41'能夠相同地或不同地選擇并且選自包括下述材料的組：H，飽和 的和不飽和的烷基殘基，完全地或部分地取代的、飽和的和不飽和的烷基殘基，芳烴，完全 地或部分地取代的芳烴，縮合的芳烴，完全地或部分地取代的、縮合的芳烴，雜環(huán)化合物，完 全地或部分地取代的雜環(huán)化合物，縮合的雜環(huán)化合物和完全地或部分地取代的、縮合的雜 環(huán)化合物， -]?'選自包括8、六1、5卜(《71、66-(?71'和11-(?71"的組， -M 選自包括 8、六1、5卜01?72、66-(?72'和11-(?72"的組， -R71、R7 Γ和R71"能夠相同地或不同地選擇并且選自與R31、R3 Γ、R41和R4 Γ相同 的組，并且 -R72、R72'和R72"能夠相同地或不同地選擇并且選自與R31、R31'、R41和R41'相同 的組。
4. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的器件（1)，其中X = 0。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的器件（1)， 其中所述至少一個(gè)耦合輸出元件（3,4,9)包括雜化材料或由雜化材料制成，所述雜化 材料包括下述結(jié)構(gòu)：
其中R31、R31'、R41、R41'、R71和R72能夠相同地或不同地選擇并且選自包括下述材 料的組：H，飽和的烷基殘基，完全地或部分地取代的、飽和的烷基殘基，芳烴，完全地或部分 地取代的芳烴，雜環(huán)化合物和完全地或部分地取代的雜環(huán)化合物。
6. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的器件（1)， 其中1?1、1?1'、1?2、1?2'和1?5或1?1、1?1'、1?2、1?2'、1?5和1?5'=!1。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的器件（1)， 其中所述至少一個(gè)親合輸出元件（3,4,9)包括納米顆粒。
8. 根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件（1)， 其中納米顆粒包括能導(dǎo)熱的材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件（1)， 其中所述納米顆粒包括填充材料，所述填充材料在23°C下具有大于或等于2的折射率 nD0
10. 根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件（I)， 其中所述填充材料選自包括下述材料的組：Zr02、Ti02、Nb20 5、Ta2O5和由其構(gòu)成的組合 物。
11. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的器件（1)， 其中所述至少一個(gè)耦合輸出元件（3,4,9)包括轉(zhuǎn)換顆粒，其中所述轉(zhuǎn)換顆粒分布在所 述耦合輸出元件（3,4,9)中并且其中所述轉(zhuǎn)換顆粒至少部分地將所述電磁初級(jí)輻射轉(zhuǎn)換 為電磁次級(jí)輻射。
12. 根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件（1)， 其中所述轉(zhuǎn)換顆粒均勻地分布在所述耦合輸出元件（3,4,9)中。
13. 根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件（1)， 其中所述至少一個(gè)耦合輸出元件（3,4,9)由所述雜化材料制成并且所述轉(zhuǎn)換顆粒通 過(guò)化學(xué)鍵與所述雜化材料鍵合。
14. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的器件（1)， 其中所述至少一個(gè)耦合輸出元件（3,4,9)以安置在所述層序列（2)之上的方式構(gòu)成為 囊封件⑷、透鏡（9)和/或薄板（3)。
15. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的器件（1)， 所述器件具有帶有凹部的殼體（8)，其中 -具有所述有源層的所述層序列（2)設(shè)置在所述殼體（8)的所述凹部中，并且 -所述殼體（8)由雜化材料制成，所述雜化材料具有下述結(jié)構(gòu)： 其中
-RU Rl'、R2、R2'和R5能夠相同地或不同地選擇并且選自包括下述材料的組：H，飽和 的和不飽和的烷基殘基，完全地或部分地取代的、飽和的和不飽和的烷基殘基，芳烴，完全 地或部分地取代的芳烴，雜環(huán)化合物和完全地或部分地取代的雜環(huán)化合物， -R3、R3'、R4和R4'能夠相同地或不同地選擇并且選自包括下述材料的組：H，飽和的和 不飽和的烷基殘基，完全地或部分地取代的、飽和的和不飽和的烷基殘基，烷氧基，芳氧基， 胺基，酰胺，酯，芳烴，完全地或部分地取代的芳烴，雜環(huán)化合物和完全地或部分地取代的雜 環(huán)化合物， -X選自包括0、S和N-R6的組， -R6選自與R1、R1'、R2、R2'和R5相同的組， -M和M'能夠相同地或不同地選擇并且選自包括8、八1、51-1?7、66-1?7'和11-1?7"的組， -Y選自包括〇、S、N-R5'和鍵合物的組， -尺5'能夠選自與1?1、1?1'、1?2、1?2'和1?5相同的組并且與1?1、1?1'、1?2、1?2'相同地或不 同地選擇， -尺7、1?7'和1?7"能夠相同地或不同地選擇并且選自與1?3、1?3'、1?4和1?4'相同的組，并 且 -n、m能夠相同地或不同地選擇并且I < n，m < 10000。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件（I)，其中所述殼體（8)由雜化材料制成，所述雜化材 料具有下述結(jié)構(gòu)：
其中R31、R31'、R41、R41、R71和R71'能夠相同地或不同地選擇并且選自包括下述材 料的組：具有位于末端的C = C雙鍵的不飽和的烷基殘基和具有位于末端的C = C雙鍵的 部分取代的不飽和的烷基殘基。
【專(zhuān)利摘要】提出一種光電子器件，所述光電子器件包括具有有源層的層序列，所述有源層發(fā)射電磁初級(jí)輻射；和至少一個(gè)透明的耦合輸出元件，所述耦合輸出元件設(shè)置在電磁初級(jí)輻射的光路中。至少一個(gè)透明的耦合輸出元件包括雜化材料或由雜化材料制成。
【IPC分類(lèi)】H01L33-56, H01L33-50
【公開(kāi)號(hào)】CN104662681
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380049400
【發(fā)明人】格奧爾格·迪舍爾
【申請(qǐng)人】歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2013年9月20日
【公告號(hào)】DE102012108939A1, DE112013004622A5, US20150214447, WO2014044813A2, WO2014044813A3