一種顯示基板制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示基板制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]石墨烯(Graphene)是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一個(gè)碳原子厚度的二維材料，厚度僅有0.335nm，是目前世上最薄卻也是最堅(jiān)硬的納米材料。它幾乎是完全透明的，吸光率僅為2.3%，且導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300W/m.Κ。石墨烯的電子導(dǎo)電性良好，常溫下其電子迀移率高于15000cm2/V.s，而電阻率僅為10_6Ω.cm,是一種高透光率、高導(dǎo)電性、高柔韌性，高機(jī)械強(qiáng)度，高導(dǎo)熱性的優(yōu)異的透明導(dǎo)電薄膜?，F(xiàn)有技術(shù)中，顯示基板中采用石墨烯作為觸控電極以及觸控傳感器已成為顯示技術(shù)發(fā)展的重要研宄方向。
[0003]目前，顯示基板制備過程中通過構(gòu)圖工藝形成石墨烯觸控傳感器的圖案時(shí)多采用光刻膠技術(shù)，在石墨烯層上直接涂覆光刻膠，然后通過曝光顯影、刻蝕、剝離等工藝形成石墨烯圖形。
[0004]光刻膠等直接接觸石墨烯層時(shí)會(huì)造成石墨烯的脫落和污染，從而導(dǎo)致石墨烯的導(dǎo)電性能變差，最終導(dǎo)致顯示基板的產(chǎn)品性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種顯示基板制備方法，該顯示基板制備方法中對形成石墨烯圖形時(shí)對石墨烯的導(dǎo)電性等性能影響較小，進(jìn)而能夠提高得到的顯示基板的產(chǎn)品質(zhì)量。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0007]一種顯示基板制備方法，包括:
[0008]在金屬催化基底上形成石墨稀層；
[0009]通過一次構(gòu)圖工藝將金屬催化基底形成掩膜圖形；
[0010]以金屬催化基底形成的掩膜圖形作為掩模對石墨烯層進(jìn)行刻蝕以形成石墨烯圖形；
[0011]去除殘余金屬催化基底。
[0012]上述顯示基板制備方法中在形成石墨烯圖形時(shí)光刻膠等不與石墨烯接觸，而是利用石墨烯生成時(shí)的金屬催化基底作為掩模對石墨烯層進(jìn)行構(gòu)圖，進(jìn)而能夠防止光刻膠與石墨烯層的直接接觸，進(jìn)而減小了石墨烯層在構(gòu)圖時(shí)受到的污染，提高石墨烯層構(gòu)圖之后的導(dǎo)電性，進(jìn)而提尚顯不基板的廣品質(zhì)量。
[0013]優(yōu)選地，所述在金屬催化基底上形成石墨烯層，具體包括:
[0014]采用化學(xué)氣相沉積法在金屬催化基底上生長形成石墨烯層。
[0015]優(yōu)選地，所述通過一次構(gòu)圖工藝將金屬催化基底形成掩模圖形，具體包括:
[0016]在金屬催化基底背離石墨烯層一側(cè)的表面涂覆光刻膠；
[0017]固化所述光刻膠；
[0018]對光刻膠進(jìn)行曝光顯影；
[0019]對曝光顯影后的光刻膠進(jìn)行硬固化；
[0020]采用濕法刻蝕工藝對金屬催化基底進(jìn)行刻蝕，形成掩模圖形。
[0021]優(yōu)選地，所述以金屬催化基底形成的掩膜圖形作為掩模對石墨烯層進(jìn)行刻蝕以形成石墨烯圖形，具體包括:
[0022]以金屬催化基底形成的掩膜圖形作為掩模，采用等離子體干刻工藝對石墨烯層進(jìn)行構(gòu)圖，形成石墨烯圖形。
[0023]優(yōu)選地，所述去除殘余金屬催化基底，具體包括:
[0024]剝離金屬催化基底上殘余的光刻膠；
[0025]采用濕法刻蝕工藝去除殘余金屬催化基底。
[0026]優(yōu)選地，在所述在金屬催化基底上形成石墨烯層之后、且在所述通過一次構(gòu)圖工藝將金屬催化基底形成掩膜圖形之前，還包括:
[0027]在石墨烯層背離金屬催化基底的一側(cè)表面形成基材。
[0028]優(yōu)選地，所述在石墨烯層背離金屬催化基底的一側(cè)表面形成基材，具體包括:
[0029]在石墨烯層背離金屬催化基底的一側(cè)涂覆PI溶液并熱固化形成所述基材。
[0030]優(yōu)選地，所述基材的厚度小于等于20 μ m。
[0031]優(yōu)選地，在所述在石墨烯層背離金屬催化基底的一側(cè)表面形成基材之后、且在所述通過一次構(gòu)圖工藝將金屬催化基底形成掩膜圖形之前，還包括:
[0032]在基材背離石墨烯層的一側(cè)表面形成基材保護(hù)涂層，且所述基材保護(hù)涂層的折射率小于等于基材的折射率。
[0033]優(yōu)選地，所述基材保護(hù)層的厚度大于等于Inm且小于等于lOOnm。
[0034]優(yōu)選地，所述去除殘余金屬催化基底之后，還包括:
[0035]在石墨烯層背離基材的一側(cè)表面涂覆光學(xué)保護(hù)層以對石墨烯層進(jìn)行封裝保護(hù)。
[0036]優(yōu)選地，所述光學(xué)保護(hù)層的厚度大于等于Inm且小于等于lOOnm。
[0037]優(yōu)選地，所述石墨稀層的厚度小于等于2nm。
【附圖說明】
[0038]圖1為本發(fā)明提供的顯示基板制備方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040]請參考圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板制備方法，包括:
[0041]步驟S101，在金屬催化基底上形成石墨稀層；
[0042]步驟S102，通過一次構(gòu)圖工藝將金屬催化基底形成掩膜圖形；
[0043]步驟S103，以金屬催化基底形成的掩膜圖形作為掩模對石墨烯層進(jìn)行刻蝕以形成石墨稀圖形；
[0044]步驟S104，去除殘余金屬催化基底。
[0045]上述顯示基板制備方法中，通過步驟SlOl在金屬催化基底上形成石墨烯層，然后通過步驟S102對上述金屬催化基底進(jìn)行構(gòu)圖，最終形成掩模圖形；然后通過步驟S103以形成掩膜圖形的金屬催化基底作為掩模對石墨烯層進(jìn)行刻蝕以形成石墨烯圖形，因此，在步驟S103中是利用石墨烯層生成時(shí)的金屬催化基底作為掩模對石墨烯層進(jìn)行構(gòu)圖，光刻膠不會(huì)與石墨烯層直接接觸，進(jìn)而減小了石墨烯層在構(gòu)圖時(shí)受到的污染，提高石墨烯層構(gòu)圖之后的導(dǎo)電性，進(jìn)而提尚顯不基板的廣品質(zhì)量。
[0046]具體地，上述步驟SlOl中，在金屬催化基底上形成石墨稀層時(shí)，可以具體通過采用化學(xué)氣相沉積法在金屬催化基底上生長形成石墨烯層。
[0047]一種優(yōu)選實(shí)施方式中，上述步驟S102中，通過一次構(gòu)圖工藝將金屬催化基底形成掩模圖形，可以具體包括:
[0048]在金屬催化基底背離石墨烯層一側(cè)的表面涂覆光刻膠；
[0049]固化光刻膠；
[0050]對光刻膠進(jìn)行曝光顯影；
[0051]對曝光顯影后的光刻膠進(jìn)行硬固化；
[0052]采用濕法刻蝕工藝對金屬催化基底進(jìn)行刻蝕，形成掩模圖形。
[0053]因此，對金屬催化基底進(jìn)行構(gòu)圖后，形成掩膜圖形的金屬基底背離石墨烯層的一側(cè)保留的光刻膠可以與金屬基底配合共同用于對石墨烯層構(gòu)圖時(shí)的掩模結(jié)構(gòu)，光刻膠、顯影液、剝離液等不與石墨烯層接觸，不會(huì)污染石墨烯層。
[0054]一種優(yōu)選實(shí)施方式中，上述步驟S103中，