數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試方法和裝置、陣列基板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試方法和裝置、陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在陣列基板的制作過(guò)程中，需要測(cè)試所形成的數(shù)據(jù)線的線阻是否合格?，F(xiàn)有技術(shù)中的一種測(cè)試方法是，在制作陣列基板時(shí)，同時(shí)制作金屬測(cè)試線，該金屬測(cè)試線從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路處引出經(jīng)由面板中封框膠區(qū)域之外的邊緣區(qū)域延伸到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的對(duì)端，通過(guò)測(cè)量在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)端的金屬測(cè)試線末端的電壓確定金屬測(cè)試線的壓降，進(jìn)而可以模擬得到數(shù)據(jù)線的壓降，判斷數(shù)據(jù)線的線阻是否合格。由于環(huán)形公共電極圖形設(shè)置在封框膠區(qū)域的下方，需要在公共電極圖形遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的彎角處設(shè)置開(kāi)口，以使位于邊緣區(qū)域的金屬測(cè)試線能夠在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)端處引入到像素區(qū)域。如圖1所示為，為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板制作方法所制作的陣列基板在形成封框膠之前在其中一個(gè)面板處的結(jié)構(gòu)示意圖，包括像素區(qū)域A-A、環(huán)繞在像素區(qū)域之外的環(huán)形公共電極圖形1、形成在所述公共電極圖形I之外的金屬測(cè)試線2，所述公共電極圖形I 一個(gè)彎角處設(shè)置有開(kāi)口，金屬測(cè)試線2經(jīng)過(guò)開(kāi)口引入到像素區(qū)域A-A。
[0003]在對(duì)圖1中的陣列基板使用封框膠進(jìn)行時(shí)，需要對(duì)封框膠進(jìn)行激光照射固化。在開(kāi)口處，由于金屬測(cè)試線反射率高于開(kāi)口位置內(nèi)的其他區(qū)域，且金屬測(cè)試線的冷卻速率不同于封框膠，導(dǎo)致金屬測(cè)試線處的封框膠與不存在金屬測(cè)試線處的封框膠的固化速度和冷卻速度均不同，使得開(kāi)口位置的封框膠產(chǎn)生裂紋，導(dǎo)致封裝失效。另一方面，在完成封裝之后，需要將陣列基板切割得到各個(gè)獨(dú)立的面板。在進(jìn)行切割時(shí)，位于公共電極圖形I右側(cè)的金屬測(cè)試線2切割掉，這樣會(huì)使得切割線下方的金屬測(cè)試線暴露出來(lái)。在進(jìn)行后續(xù)的信賴性測(cè)試時(shí)，暴露出來(lái)的金屬測(cè)試線會(huì)發(fā)生電化學(xué)腐蝕，最終導(dǎo)致位于其上方的封框膠腐蝕，這樣也會(huì)導(dǎo)致封裝失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種新的測(cè)試方法，可以在不設(shè)置金屬測(cè)試線的情況下完成對(duì)數(shù)據(jù)線的合格性測(cè)試，能夠從根本上避免因設(shè)置金屬測(cè)試線導(dǎo)致的封裝失效的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試方法，包括:
[0006]根據(jù)第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓點(diǎn)亮距離數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路最近的第一像素，并根據(jù)第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓點(diǎn)亮距離數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路最遠(yuǎn)的第二像素；所述第一像素和所述第二像素對(duì)應(yīng)連接同一條被測(cè)數(shù)據(jù)線；
[0007]獲取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度；
[0008]判斷所述第一像素的亮度與所述第二像素的亮度的實(shí)際亮度差是否大于預(yù)設(shè)亮度差；并在所述實(shí)際亮度差大于預(yù)設(shè)亮度差時(shí)，判定被測(cè)數(shù)據(jù)線不符合要求。
[0009]進(jìn)一步的，所述第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓與所述第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓的大小相等。
[0010]進(jìn)一步的，包括利用上述任一項(xiàng)所述的數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試方法進(jìn)行數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試的步驟。
[0011]進(jìn)一步的，在進(jìn)行數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試之前，所述方法還包括:
[0012]形成環(huán)繞像素區(qū)域的環(huán)形公共電極圖形；所述環(huán)形公共電極圖形在遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的一側(cè)的各個(gè)彎角處封閉，且形成所述環(huán)形公共電極圖形時(shí)不在所述環(huán)形公共電極圖形的外圍形成金屬線。
[0013]進(jìn)一步的，所述形成環(huán)繞像素區(qū)域的環(huán)形公共電極圖形包括:在形成所述陣列基板的數(shù)據(jù)線圖形時(shí)，同層形成所述環(huán)形公共電極圖形。
[0014]進(jìn)一步的，所述在形成所述陣列基板的數(shù)據(jù)線圖形時(shí)，同層形成所述環(huán)形公共電極圖形包括:
[0015]沉積金屬電極層；
[0016]對(duì)所述金屬電極層進(jìn)行一次圖案化工藝形成數(shù)據(jù)線圖形和環(huán)形公共電極圖形。
[0017]進(jìn)一步的，所述對(duì)所述金屬電極層進(jìn)行一次圖案化工藝形成數(shù)據(jù)線圖形和環(huán)形公共電極圖形還包括:
[0018]在同一次圖案化工藝中，刻蝕掉所述環(huán)形公共電極圖形外圍的金屬電極層。
[0019]本發(fā)明還提供了一種數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試裝置，包括:
[0020]點(diǎn)亮模塊，用于根據(jù)第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓點(diǎn)亮距離數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路最近的第一像素，并根據(jù)第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓點(diǎn)亮距離數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路最遠(yuǎn)的第二像素；所述第一像素和所述第二像素對(duì)應(yīng)連接同一條被測(cè)數(shù)據(jù)線；
[0021]獲取模塊，用于獲取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度；
[0022]判斷模塊，用于判斷所述第一像素的亮度與所述第二像素的亮度的實(shí)際亮度差是否大于預(yù)設(shè)亮度差；并在所述實(shí)際亮度差大于預(yù)設(shè)亮度差時(shí)，判定被測(cè)數(shù)據(jù)線不符合要求。
[0023]進(jìn)一步的，所述第一預(yù)設(shè)電壓與所述第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓的大小相等。
[0024]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，所述陣列基板由如上述任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法制作。
[0025]本發(fā)明提供的數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試方法，可以不借助于金屬測(cè)試線完成對(duì)數(shù)據(jù)線的合格性測(cè)試，能夠從根本上避免因設(shè)置金屬測(cè)試線導(dǎo)致的封裝失效的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明提供的一種數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試方法的流程示意圖；
[0028]圖3為利用本發(fā)明提供的制作方法所制作的陣列基板的示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明提供的一種數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他的實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0031]本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種數(shù)據(jù)線合格性測(cè)試方法，如圖2所示，該方法可以包括如下流程:
[0032]步驟SI，根據(jù)第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓點(diǎn)亮距離數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路最近的第一像素，并根據(jù)第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓點(diǎn)亮距離數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路最遠(yuǎn)的第二像素；所述第一像素和所述第二像素對(duì)應(yīng)連接同一條被測(cè)數(shù)據(jù)線；
[0033]步驟S2，獲取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度；
[0034]步驟S3，判斷所述第一像素的亮度與所述第二像素的亮度的實(shí)際亮度差是否大于預(yù)設(shè)亮度差；并在所述實(shí)際亮度差大于預(yù)設(shè)亮度差時(shí)，判定被測(cè)數(shù)據(jù)線不符合要求。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例中，分別使用第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓和第二數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)點(diǎn)亮連接距離數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路最近和最遠(yuǎn)且連接同一被測(cè)數(shù)據(jù)線的兩個(gè)像素，如果這樣兩個(gè)像素的亮度差大于預(yù)設(shè)值，則說(shuō)明數(shù)據(jù)線的線阻過(guò)大，不符合要求。通過(guò)本發(fā)明提供的方法，可以不借助于金屬測(cè)試線完成對(duì)數(shù)據(jù)線的合格性測(cè)試，能夠從根本上避免因設(shè)置金屬測(cè)試線導(dǎo)致的封裝失效的問(wèn)題。
[0036]另外，在上述的步驟S3中，如果判斷兩個(gè)像素的亮度差小于預(yù)設(shè)值，則說(shuō)明數(shù)據(jù)線的線阻基本能夠滿足顯示面板均勻發(fā)光，此時(shí)判定被測(cè)數(shù)據(jù)線符合要求。
[0037]在具體實(shí)施時(shí)，上述的步驟SI中的第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓和第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓可以根據(jù)需要設(shè)置，相應(yīng)的，所述預(yù)設(shè)的亮度差應(yīng)于所選擇的第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)電壓和第二數(shù)據(jù)電壓相對(duì)應(yīng)。作為一種可選的方式，可以將第一預(yù)設(shè)電壓和第二預(yù)設(shè)電壓均設(shè)置為一個(gè)較大的數(shù)據(jù)電壓，這樣能夠使第一像素和第二像素顯示較大的亮度，以便于檢測(cè)和判斷。
[0038]在具體實(shí)施時(shí)，可以設(shè)置第一預(yù)設(shè)電壓和第二預(yù)設(shè)電壓的值相等。這樣能夠降低設(shè)置預(yù)設(shè)亮度差的復(fù)雜度。
[0039]不難理解的是，這里的第一像素可以