基板處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，為了對(duì)半導(dǎo)體晶片等基板進(jìn)行各種處理而使用了基板處理裝置。作為基板處理裝置的一個(gè)例子，列舉有用于進(jìn)行基板的研磨處理的CMP(Chemical MechanicalPolishing:化學(xué)機(jī)械拋光)裝置。
[0003]CMP裝置具備用于進(jìn)行基板的研磨處理的研磨單元、用于進(jìn)行基板的清洗處理以及干燥處理的清洗單元、向研磨單元交接基板并且接受通過清洗單元進(jìn)行了清洗處理以及干燥處理后的基板的加載/卸載單元等。另外，CMP裝置具備在研磨單元、清洗單元以及加載/卸載單元內(nèi)進(jìn)行基板的輸送的輸送單元。CMP裝置一邊通過輸送單元輸送基板，一邊依次進(jìn)行研磨、清洗以及干燥的各種處理。
[0004]然而，在CMP裝置的一部分單元產(chǎn)生了問題的情況下，難以繼續(xù)進(jìn)行一系列的處理。因此，基板在CMP裝置內(nèi)長時(shí)間待機(jī)，其結(jié)果是，可能對(duì)基板表面產(chǎn)生腐蝕等損傷。因?yàn)樵诨逄幚硌b置中成為處理對(duì)象的基板昂貴，所以優(yōu)選盡量以能夠再次使用的狀態(tài)回收基板。
[0005]在現(xiàn)有技術(shù)中，即使成為基板處理裝置的一部分發(fā)生故障而無法繼續(xù)進(jìn)行針對(duì)基板的一系列處理的狀態(tài)，也不使整個(gè)裝置停止地繼續(xù)進(jìn)行針對(duì)基板的一部分處理來快速回收基板。由此，已知在現(xiàn)有技術(shù)中，減少基板處理不良的風(fēng)險(xiǎn)。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-200476號(hào)公報(bào)
[0007]在現(xiàn)有技術(shù)中，未考慮有效地抑制對(duì)基板處理裝置內(nèi)的基板產(chǎn)生損傷。
[0008]S卩，在基板處理裝置的一部分單元產(chǎn)生了問題的情況下，預(yù)定通過產(chǎn)生了問題的單元的基板無法繼續(xù)進(jìn)行之后的處理而在基板處理裝置內(nèi)待機(jī)。然而，能夠允許基板處于待機(jī)狀態(tài)的時(shí)間并不統(tǒng)一，而根據(jù)針對(duì)基板的處理狀況各不相同。
[0009]例如，對(duì)于進(jìn)行研磨處理前的基板而言，即使由于產(chǎn)生待機(jī)時(shí)間而多少對(duì)基板的表面產(chǎn)生了腐蝕等損傷，也因?yàn)橹筮M(jìn)行研磨處理基板表面被削而比較難以成為問題。
[0010]另一方面，對(duì)于以研磨處理結(jié)束后進(jìn)入清洗處理前的狀態(tài)進(jìn)行待機(jī)的基板而言，因?yàn)橛捎诋a(chǎn)生待機(jī)時(shí)間而對(duì)基板的表面產(chǎn)生了腐蝕等損傷，所以不優(yōu)選。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]鑒于此，本申請(qǐng)發(fā)明的課題在于，有效地抑制對(duì)基板處理裝置內(nèi)的基板產(chǎn)生損傷。
[0012]本申請(qǐng)發(fā)明的基板處理裝置的一方式是鑒于上述課題而完成的，其特征在于，具備:研磨單元，其對(duì)基板進(jìn)行研磨；清洗單元，其對(duì)通過上述研磨單元進(jìn)行了研磨處理后的基板進(jìn)行清洗以及干燥；輸送單元，其在上述研磨單元以及上述清洗單元內(nèi)進(jìn)行基板的輸送；計(jì)測部，其按每一上述基板來計(jì)測在上述研磨單元、上述清洗單元以及上述輸送單元中的停留時(shí)間；以及判定部，其將由上述計(jì)測部計(jì)測出的停留時(shí)間與針對(duì)上述研磨單元、上述清洗單元以及上述輸送單元分別獨(dú)立地設(shè)定的設(shè)定時(shí)間進(jìn)行比較，并且如果上述停留時(shí)間超過了上述設(shè)定時(shí)間則判定為發(fā)生了錯(cuò)誤。
[0013]另外，能夠還具備加載/卸載單元,上述加載/卸載單元向上述研磨單元交接基板，并且接受通過上述清洗單元進(jìn)行了清洗以及干燥處理后的基板，上述輸送單元能夠在上述研磨單元、上述清洗單元以及上述加載/卸載單元內(nèi)進(jìn)行基板的輸送。
[0014]另外，能夠還具備錯(cuò)誤處理部，如果由上述判定部判定為發(fā)生了錯(cuò)誤，則上述錯(cuò)誤處理部在顯示界面上顯示模仿上述基板處理裝置的圖像，并且在模仿上述基板處理裝置的圖像上顯示確定出成為上述錯(cuò)誤對(duì)象的基板正停留的單元的圖像。
[0015]另外，如果由上述判定部判定為發(fā)生了錯(cuò)誤，則上述錯(cuò)誤處理部能夠從模仿上述基板處理裝置的圖像所包含的多個(gè)單元中確定出成為上述停留時(shí)間超過上述設(shè)定時(shí)間的原因的單元，并將該確定出的單元以能夠與其他單元識(shí)別的方式進(jìn)行顯示。
[0016]另外，如果由上述判定部判定為發(fā)生了錯(cuò)誤，則上述錯(cuò)誤處理部能夠在上述顯示界面上顯示成為上述錯(cuò)誤對(duì)象的基板的輸送路徑。
[0017]根據(jù)這樣的本申請(qǐng)發(fā)明，能夠有效地抑制對(duì)基板處理裝置內(nèi)的基板產(chǎn)生損傷。
【附圖說明】
[0018]圖1是表示本實(shí)施方式的基板處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0019]圖2是示意性地表示研磨單元的立體圖。
[0020]圖3是表示在基板處理裝置內(nèi)的晶片W的輸送路徑的一個(gè)例子的圖。
[0021]圖4是表示晶片W的輸送延遲了的情況的圖。
[0022]圖5是表示基板處理裝置的功能塊的圖。
[0023]圖6是表示晶片的在各單元中的停留時(shí)間的一個(gè)例子的圖。
[0024]圖7是表示停留時(shí)間限制DB5C的一個(gè)例子的圖。
[0025]圖8是表示基板處理裝置的處理流程的圖。
[0026]附圖標(biāo)記說明:2...加載/卸載單元；3...研磨單元；4...清洗單元；5...控制部；5A...計(jì)測部；5B...判定部；5C...停留時(shí)間限制DB ；5D...錯(cuò)誤處理部；22...輸送機(jī)器人；43...RBl ；46...RB2 ；50...升降機(jī)；51...LTPl ；52...LTP2 ；53...LTP3 ；54...LTP4 ；55...LTP5 ；56...LTP6 ；57...LTP7 ；58...STP。
【具體實(shí)施方式】
[0027]以下，基于附圖對(duì)本申請(qǐng)發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置進(jìn)行說明。在以下，作為基板處理裝置的一個(gè)例子，對(duì)CMP裝置進(jìn)行說明，但并不局限于此。另外，在以下，對(duì)具備加載/卸載單元2、研磨單元3以及清洗單元4的基板處理裝置進(jìn)行說明，但并不局限于此。
[0028](基板處理裝置)
[0029]圖1是表示本申請(qǐng)發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖1所示，基板處理裝置具備加載/卸載單元(RBD) 2、研磨單元3以及清洗單元4。加載/卸載單元2、研磨單元3以及清洗單元4被分別獨(dú)立組裝、獨(dú)立廢棄。另外，清洗單元4具有控制基板處理動(dòng)作的控制部(HMI) 5。在控制部5中包含有單元控制盤(電源盤)。另外，在研磨單元3、清洗單元4以及加載/卸載單元2內(nèi)，包含有進(jìn)行基板的輸送的輸送單兀(輸送機(jī)器人、輸送機(jī)構(gòu))。
[0030](加載/卸載單元)
[0031]在加載/卸載單元2中設(shè)置有用于輸送晶片的輸送機(jī)器人(裝載機(jī)、輸送機(jī)構(gòu))22。輸送機(jī)器人22將投入至晶片盒的晶片向研磨單元3輸送，并且將被清洗單元4處理后的晶片向晶片盒輸送。輸送機(jī)器人22在上下具備2個(gè)手部。輸送機(jī)器人22在將處理后的晶片返回至晶片盒時(shí)使用上側(cè)的手部，在將處理前的晶片從晶片盒取出時(shí)使用下側(cè)的手部。由此，輸送機(jī)器人22能夠分開使用上下手部。并且，輸送機(jī)器人22的下側(cè)的手部構(gòu)成為通過繞其軸心旋轉(zhuǎn)能夠使晶片反轉(zhuǎn)。
[0032]加載/卸載單元2是最需要保持干凈的狀態(tài)的區(qū)域。因此，加載/卸載單元2的內(nèi)部總是維持在比基板處理裝置外部、研磨單元3以及清洗單元4中的任一個(gè)都高的壓力。研磨單元3因使用漿料作為研磨液而是最臟的區(qū)域。因此，在研磨區(qū)域3的內(nèi)部形成負(fù)壓，該壓力維持為比清洗單元4的內(nèi)部壓力低。在加載/卸載單元2設(shè)置有具有HEPA過濾器、ULPA過濾器或者化學(xué)過濾器等清潔空氣過濾器的風(fēng)機(jī)過濾單元(filter fan unit)(未圖示)。除去了顆粒、有毒蒸氣、有毒氣體的清潔空氣總是從風(fēng)機(jī)過濾單元吹出。
[0033](研磨單元)
[0034]研磨單元3是進(jìn)行晶片的研磨(平坦化)的區(qū)域。研磨單元3具備第I研磨單元(PL-A) 3A、第2研磨單元(PL-B) 3B、第3研磨單元(PL-C) 3C、第4研磨單元(PL_D)3D。如圖1所示，第I研磨單元3A、第2研磨單元3B、第3研磨單元3C以及第4研磨單元3D沿基板處理裝置的長邊方向排列。
[0035]第I研磨單元3A具備安裝有具有研磨面的研磨墊的研磨臺(tái)30A以及用于保持晶片并且一邊將晶片按壓到研磨臺(tái)30A上的研磨墊一邊進(jìn)行研磨的頂環(huán)31A。
[0036]相同地，第2研磨單元3B具備安裝有研磨墊的研磨臺(tái)30B以及頂環(huán)31B。第3研磨單元3C具備安裝有研磨墊的研磨臺(tái)30C以及頂環(huán)31C。第4研磨單元3D具備安裝有研磨墊的研磨臺(tái)30D以及頂環(huán)31D。