被布置在不同高度。在一個示例中，第一半導體芯片ICl的第一面2001和第二半導體芯片IC2的第一面2041可被布置在不同高度上。在一個示例中，第一半導體芯片ICl的第二面2002和第二半導體芯片IC2的第一面2041可被布置在相同高度上。
[0056]裝置2000可包括材料層2070，第一半導體芯片ICl和第二半導體芯片IC2可至少部分被嵌入到材料層2070中。材料層2070可包括預浸材料、樹脂、層壓材料、環(huán)氧樹脂、填充環(huán)氧樹脂、玻璃纖維填充環(huán)氧樹脂、酰亞胺、熱固性塑料和熱塑性塑料聚合物或共混聚合物以及任何其它絕緣層中的至少一種。裝置2000可進一步包括圖案化導電層2072，圖案化導電層2072被布置在第一半導體芯片ICl的第二面2002之上并通過電鍍連接電耦合到第一半導體芯片ICl的第三接觸焊盤2013。圖案化導電層2072可被布置在第二半導體芯片IC2的第一面2041之上，并可通過通孔連接電耦合到第二半導體芯片IC2的第一接觸焊盤2051。
[0057]裝置2000可包括第二圖案化導電層2073，第二圖案化導電層2073可被布置在第一半導體芯片ICl的第一面2001之上，并可通過通孔連接電耦合到第一半導體芯片ICl的第一和/或第二接觸焊盤2011、2012。第二圖案化導電層2073可被布置在第二半導體芯片IC2的第二面2042之上，并可通過電鍍連接電耦合到第二半導體芯片IC2的第三接觸焊盤2053。裝置2000可包括被布置在裝置2000的頂表面之上的絕緣層2974。在一個示例中，絕緣層2074可將裝置2000與頂側面完全隔離。在一個示例中，凸起2075可被附著到圖案化導電層2072上，以提供裝置2000的外部接觸。在一個示例中，凸起2075可僅與裝置2000的底側面接觸，使得裝置2000可僅外部地與底側面接觸。在一個示例中，另外的通孔2076可被布置以使圖案化導電層2072和第二圖案化導電層2073耦合。
[0058]裝置2000可選地可包括第三半導體芯片IC3，第三半導體芯片IC3被布置在第一半導體芯片ICl輪廓的橫向外側以及第二半導體芯片IC2輪廓的橫向外側。第三半導體芯片IC3可具有不同于第一半導體ICl的第一厚度和第二半導體芯片IC2的第二厚度的第三厚度。
[0059]第三半導體芯片IC3的第一接觸焊盤2031可被布置在第三半導體芯片IC3的第一面2021之上。第三半導體芯片IC3的第二接觸焊盤2032可被布置在第三半導體芯片IC3的第一面2021之上。第三半導體芯片IC3的第三接觸焊盤2033可被布置在第三半導體芯片IC3的第二面2022之上，第三半導體芯片IC3的第二面2022與第三半導體芯片IC3的第一面2021相反。
[0060]在一個示例中，第三半導體芯片IC3的第一面2021可被定位在第一高度2081上，而第二半導體芯片IC2的第一面2041可被定位在不同于第一高度2081的第二高度2082上。
[0061]在一個示例中，第二半導體芯片IC2的第一面2041可被定位在第二高度2082上，第二高度2082位于第三半導體芯片IC3的第一面2021的第一高度2081和第三半導體芯片IC3的第二面2922的高度之間。在一個示例中，第二半導體芯片IC2的第一面2041可被定位在第二高度2082上，第二高度2082位于第一半導體芯片ICl的第二面2002的高度和第一半導體芯片ICl的第一面2001的高度之間。在一個示例中，第一半導體芯片ICl的第一面2001可被定位在可位于第三半導體芯片IC3的第一面2021的第一高度2081和第三半導體芯片IC3的第二面2022的高度之間的高度上。
[0062]在一個示例中，裝置2000可包括第一半導體芯片ICl和第二半導體芯片IC2，這兩者可以具有大約相同的厚度。裝置2000可通過使用如關于圖1到9描述的工藝進行制造。裝置2000可以可選地包括具有不同厚度(例如，比ICl和IC2更厚)的第三半導體芯片IC3。包括第三半導體芯片IC3的裝置2000可通過附加地使用如關于圖10到19描述的工藝進行制造。
[0063]在進一步的示例中，裝置2000可包括第一半導體芯片ICl和具有不同厚度(例如比第一半導體芯片ICl更厚)的第三半導體芯片IC3。裝置2000可通過使用如關于圖1到19描述的工藝進行制造。裝置2000可以可選地包括第二半導體芯片IC2。
[0064]圖21圖示了提供封裝的方法2100的示意圖，該封裝包括第一半導體芯片(例如圖20中描繪的半導體芯片ICl)和第二半導體芯片(例如圖20中描繪的半導體芯片IC3)，其中這兩個半導體芯片具有不同的厚度。
[0065]方法2100可包括提供具有第一厚度并含有第一面的第一半導體芯片的動作2101，其中第一接觸焊盤被布置在第一面之上。方法2100可進一步包括提供具有與第一厚度不同的第二厚度并含有第一面的第二半導體芯片的動作2103，其中第一接觸焊盤被布置在第一面之上。方法2100進一步可包括布置第一半導體芯片和第二半導體芯片的動作2105，使得第一半導體芯片的第一面面向第一方向而第二半導體芯片的第一面面向與第一方向相反的第二方向，并且第一半導體芯片位于第二半導體芯片輪廓的橫向外側。
[0066]在一個不例中，方法2100可包括布置第一半導體芯片和第二半導體芯片的動作，使得第一半導體芯片的第一面和與第二半導體芯片的第一面相反的第二半導體的第二面被布置在不同高度上。
[0067]在一個示例中，方法2100可包括將第一半導體芯片嵌入材料層中的動作，材料層例如是如上面關于圖20描述的材料層2070。在一個示例中，材料層可包括層壓材料、環(huán)氧樹脂、填充環(huán)氧樹脂、玻璃纖維填充環(huán)氧樹脂酰亞胺、熱塑性塑料和熱固性塑料聚合物或共混聚合物中的至少一種。在一個示例中，方法2100可包括在材料層中提供開口的動作，其中開口被布置在第一半導體芯片輪廓的橫向外側，以及將第二半導體芯片布置在材料層的開口內的進一步動作。在一個示例中，方法2100進一步可包括:提供至少一個電絕緣層的動作，在至少一個電絕緣層內形成開口的動作，在材料層之上布置至少一個電絕緣層以使得至少一個電絕緣層的開口與材料層的開口對準的動作，以及將第二半導體芯片布置在材料層開口內以及在至少一個電絕緣層開口內的動作。在一個示例中，方法2100可包括至少一個電絕緣層的厚度可類似于嵌入在材料層中的第一半導體芯片的接頭和第二半導體芯片之間的高度差。在一個示例中，方法2100可包括至少一個電絕緣層的厚度可補償嵌入在材料層中的第一半導體芯片的接頭和第二半導體芯片之間的高度差。
[0068]在一個示例中，方法2100可包括如關于圖1到19描述的工藝步驟中的一個或多個。
[0069]圖22圖示了提供封裝的方法2200的示意圖，封裝例如是如上面關于圖1到9描述的核心層封裝，其包括半導體芯片，例如，如圖20或具有電鍍接觸焊盤的圖1到9中描繪的半導體芯片IC1。方法2200可包括提供半導體芯片的動作2201，半導體芯片包括第一面和與第一面相反的第二面，其中第一接觸焊盤(例如，源或柵接觸焊盤)可被布置在第一面之上，并且第二接觸焊盤(例如，漏接觸焊盤)可被布置在第二面上。方法2200可進一步包括將半導體芯片附著到第一導電層以使得半導體芯片的第二面可面向第一導電層的動作2203。方法2200可進一步包括將半導體芯片層壓到材料層中的動作2205。方法2200可進一步包括去除在半導體芯片的第二接觸焊盤的至少一個部分之上的第一導電層以使得在第二接觸焊盤之上可形成開口的動作2207。方法2201可包括在第二接觸焊盤和第一導電層之上電鍍第二導電層以使得第二導電層可將第二接觸焊盤與第一導電層電耦合的動作2209。
[0070]在一個示例中，方法2200可包括第一導電層含有銅箔，以及第二導電層含有金屬層。在一個示例中，方法2200可包括執(zhí)行電鍍第二導電層以使得電鍍的第二導電層可保護開口的外形。在一個示例中，方法2200可包括在電絕緣層中形成開口，在第一導電層和第三導電層之間布置電絕緣層，以使得半導體芯片的第一面可面向第三導電層以及在電絕緣層中的開口可被對準到半導體芯片的輪廓，以及將電絕緣層與第一導電層和第三導電層層壓以便可形成嵌入半導體芯片的層。
[0071 ] 在一個示例中，在第二接觸焊盤之上電鍍第二導電層可以是這樣使得第二接觸焊盤可以非常接近于第二導電層。這可通過使用薄第一導電層來實現(xiàn)。在一個示例中，方法2200可包括第一導電層的厚度在于約Iym(微米)到約18 μπι(微米)之間的范圍內或在約18μπι(微米)到約105μπι(微米)之間的范圍內。在一個示例中，方法2200可包括第一導電層的厚度在于約3μπι(微米)到約12μπι(微米)之間的范圍內。第一導電層可以是銅箔103，例如，如關于圖1到9描述的。在一個示例中，方法2200可包括如關于圖1到9描述的一個或多個工藝步驟。
[0072]通過使用如關于圖1到1