保證擊穿強度，即使用增大的接觸面積。這種方案由 于在殼體層缺少手工可操作性是不可用的。另外的選擇是，通過包裹尺寸的單一的材料確 保絕緣。在此缺點是可注模的包裹尺寸的限制的熱效率或者導(dǎo)熱能力。
[0058] 為了克服這種缺點，根據(jù)示例性實施例，在封裝結(jié)構(gòu)中形成間斷（尤其以空隙的 形式、例如以局部限制的表面凹處或者槽），并且通過一體的熱接口結(jié)構(gòu)保護電的電流流動 地覆蓋間斷和裸露的載體表面。這延長并且復(fù)雜化了泄露電流路徑并且由此提高了電的擊 穿強度（例如直到5kV的電壓或者更多），其中，同時也由此實現(xiàn)對于不期望的間斷的有效 的保護，在封裝結(jié)構(gòu)和熱接口結(jié)構(gòu)之間的有效接觸面積并且由此相互起作用的附著力通過 填充的凹處而提商。
[0059] 圖1至圖4各個結(jié)構(gòu)的不同的截面圖，在實施用于制造根據(jù)示例性實施例的電子 半導(dǎo)體殼體400的方法期間獲取該些截面圖，其中，在圖4中示出了所獲取的電子半導(dǎo)體殼 體400。此外，因此描述了用于制造電子半導(dǎo)體殼體400的方法。
[0060] 為了得到在圖1中示出的結(jié)構(gòu)，電子芯片100首先借助于例如電傳導(dǎo)的接觸結(jié)構(gòu) 110、例如焊接、燒結(jié)和/或粘結(jié)層，安裝在以由銅組成的引線框架的形式的電載體102上。 圖1中還示出了，借助于線焊（Drahtbonden)電子芯片100與電載體102額外地借助于焊 線112電耦合。
[0061] 這樣地所獲取的結(jié)構(gòu)接著插入封裝工具106的腔108中，以經(jīng)受接下來的注射方 法。封裝工具106在腔108的內(nèi)部具有環(huán)形包圍的突出104。
[0062] 為了得到在圖2中示出的結(jié)構(gòu)，借助于將可流動的填料（例如在塑料基上）注入 至封裝工具106的腔108中，電子芯片100全部地并且電載體部分地通過封裝結(jié)構(gòu)200澆 注，其基于突出104的存在形成在圖3中示出的間斷300。在所描述的實施例中，間斷300 以溝的形式即通過封裝工具106的相應(yīng)的幾何圖形形成。在圖3中僅僅截面地示出的環(huán)形 的間斷300在所產(chǎn)生的封裝結(jié)構(gòu)中、如在圖2中可知的，通過與間斷300逆向地形成的突出 104在封裝工具106處形成，從而在封裝期間封裝材料流入間斷300是不可能的。暫時還 可流動的填料接著硬化，以完成電子芯片100的完整封裝以及電載體102的部分封裝。因 此，在所描述的實施例中實現(xiàn)在封裝過程期間的間斷300的形成，使得為此不需要單獨的 過程。
[0063] 為了得到在圖3中示出的結(jié)構(gòu)，在封裝結(jié)構(gòu)200的硬化之后去除封裝工具106,盡 管在圖2和圖3的截面圖中看不清楚環(huán)形的間斷300,在這種情況下環(huán)形的間斷300圍繞電 載體102的裸露的表面部分302地形成。從圖3中推斷出，電載體102的裸露的表面部分 302在從封裝工具106中取出后裸露在外部環(huán)境中。
[0064] 從圖3的細節(jié)圖350中推斷出，間斷300具有多個傾斜的側(cè)壁，該些側(cè)壁相對于在 封裝結(jié)構(gòu)200中的堅直的延伸傾斜了例如20°的角度a。由此能夠促進其他的所形成的 熱接口結(jié)構(gòu)402在封裝結(jié)構(gòu)200處的粘附性能。
[0065] 為了得到在圖4中示出的電子半導(dǎo)體殼體400,間斷300和與其連接的體積通過 電絕緣的并且熱傳導(dǎo)好的熱接口結(jié)構(gòu)402 (熱接口材料：HM)填充，該體積鄰接電載體102 的裸露的表面部分302,該熱接口結(jié)構(gòu)被構(gòu)造用于提供電載體102和在圖5中示出的散熱 元件500之間的熱耦合。后者至熱接口結(jié)構(gòu)402是用戶側(cè)可連接的。除了在半導(dǎo)體殼體內(nèi) 部和半導(dǎo)體殼體外部之間的熱耦合之外，熱接口結(jié)構(gòu)402同時實施，使得電載體102和在其 上安裝的電子芯片100相對于半導(dǎo)體殼體外部電解耦并且機械保護。通過不同的過程（打 印、彌散（Dispergieren)、壓成薄片、浸入等），在所示出的實施例中的能夠如此實施大約 100iim至200ym厚的熱接口結(jié)構(gòu)402或者TIM層，使得其填充以環(huán)狀的間斷300的形式的 槽。也就是熱接口結(jié)構(gòu)402具有在圖4中示出的大約100iim至200iim的厚度。熱接口結(jié) 構(gòu)402能夠具有由具有嵌入的填充粒子的樹脂組成的固體層或者能夠替換地由不成形的 材料（例如膏體）形成。
[0066] 圖4還示意性地示出了泄露電流路徑410,即電流路徑，其必須保留不期望的泄露 電流，以例如在在封裝結(jié)構(gòu)200的材料和熱接口結(jié)構(gòu)402之間的不緊密的情況下，不期望地 侵入電子半導(dǎo)體殼體400的內(nèi)部。在這種情況下，泄露電流410(或者侵入的濕氣）能夠?qū)?致?lián)舸?，并且因此損壞在電子半導(dǎo)體殼體400的內(nèi)部的電子組件、尤其是電子芯片100。由 泄露電流路徑410的形式和長度能夠推斷出，通過在封裝結(jié)構(gòu)200中構(gòu)造間斷300和以熱 接口結(jié)構(gòu)的材料同樣地填充，根據(jù)所描述的實施例的在電子半導(dǎo)體殼體400的內(nèi)部的觸發(fā) 不期望的作用之前的泄露電流路徑410的有效長度會提高，使得在封裝結(jié)構(gòu)200或者電載 體102的表面部分302的電接口結(jié)構(gòu)402的分層的不期望的情況下升高電擊穿強度。同時 通過以熱接口結(jié)構(gòu)402的材料填充間斷300也改善熱接口結(jié)構(gòu)402在封裝結(jié)構(gòu)200處的傳 統(tǒng)的關(guān)鍵的附著力，由此一方面提高在兩個組件之間的接觸面積，并且另一方面額外的附 著力導(dǎo)致加強的機械緊抓力。
[0067] 為了得到在圖5中示出的電子結(jié)構(gòu)502,散熱元件500 (散熱片）熱地并且機械地 直接連接至熱接口結(jié)構(gòu)402。圖5也示出了根據(jù)示例性實施例的電子結(jié)構(gòu)502,其通過安裝 散熱元件500被構(gòu)造在根據(jù)圖4制造的電子半導(dǎo)體殼體400處。與作為冷卻體的散熱元件 500的連接能夠在用戶側(cè)實施。根據(jù)圖5散熱元件500被裝備為單材料的并且例如由銅構(gòu) 成的連接板504,從該連接板開始延伸多個間距的散熱鰭片506。連接板504用作至熱接口 結(jié)構(gòu)402的耦合面。該些散熱鰭片506具有大的有效表現(xiàn)，其導(dǎo)致與外部環(huán)境的有效的熱 交換。
[0068] 圖6至圖9示出了各個結(jié)構(gòu)的不同的截面圖，在實施用于制造根據(jù)另一個示例性 實施例的電子半導(dǎo)體殼體的方法期間獲取該些截面圖，其中，在圖9中示出了所獲取的電 子半導(dǎo)體殼體。參考圖6至圖9來描述的替換的制造方法與之前描述的區(qū)別在于，在電子 芯片100和電載體102通過封裝結(jié)構(gòu)200的填料封裝結(jié)束之后才開始構(gòu)造間斷300。
[0069] 為了得到在圖6中示出的結(jié)構(gòu)，如果參考圖1至圖3所描述的方法運用通過以下 區(qū)別實現(xiàn)，即封裝工具106在這種情況下不需要多個突出。
[0070] 替換地，如同在圖6和圖7中清楚的，間斷300現(xiàn)在在封裝結(jié)構(gòu)200的材料硬化之 后通過從之前澆注的封裝結(jié)構(gòu)200的材料中分離來形成。由此，如同在圖6中以多個箭頭 600示意性地表示的，通過使用封裝結(jié)構(gòu)200的激光（或者替換的化學(xué)的、例如通過腐蝕、或 者機械的、例如通過研磨）材料通過"激光刻槽"或者"激光毛化"去除。根據(jù)示出的實施例， 也通過激光實現(xiàn)槽形成。環(huán)狀的間斷300因此通過封裝結(jié)構(gòu)200的材料的去除形成，其中， 在材料的去除期間電載體102用作去除中止（參見圖7)。電載體102,其例如由銅構(gòu)成，在 此抵抗不值得注意的材料去除的激光攻擊，使得形成的間斷300的深度在所示出的實施例 中能夠尤其精準(zhǔn)地限定。電載體102用作去除中止，因此限定--與根據(jù)圖3的不同-- 間斷300直接連接至電載體102。熱接口結(jié)構(gòu)402在其形成之后也直接緊貼電載體102。
[0071] 作為這種實施形式的額外的優(yōu)勢，通過材料去除實施封裝結(jié)構(gòu)200的材料的毛化 用于實現(xiàn)改善的粘著性，如同此外參考在圖7中示出的細節(jié)圖750所描述的。在間斷300 之外的封裝結(jié)構(gòu)200的表面具有--由于注射的制造方法--蠟狀的表面700,在其處熱 接口結(jié)構(gòu)402僅僅適當(dāng)?shù)赜不?。為了局部地改善封裝結(jié)構(gòu)200的硬度熱性，該方法具有去 除封裝結(jié)構(gòu)200的材料直到這種深度d(例如至少10ym)，該蠟狀的表面部分700局部地在 間斷300的位置去除。該間斷300于是也通過封裝結(jié)構(gòu)200的粒狀的或者粗糙的壁702限 制，其通過填充顆粒704 (作為用于構(gòu)造封裝結(jié)構(gòu)200的前導(dǎo)組件）構(gòu)造。
[0072] 在形成間斷300之后，借助于材料去除通過暴露在具有好的硬度特性的填充顆粒 704的區(qū)域的粒狀的材料能夠打開熱接口結(jié)構(gòu)402,如上參考圖4所描述的，以根據(jù)所描述 的實施例來得到電子半導(dǎo)體殼體400.
[0073] 圖8示意性地示出了電子半導(dǎo)體殼體400的俯視圖。在圖8中環(huán)形的閉和圍繞、 在這種情況下被認識為兩個間斷300,其于是通過熱接口結(jié)構(gòu)402填充。
[0074] 第一環(huán)形間斷300鄰接封裝結(jié)構(gòu)200的外部范圍環(huán)繞。另外在圖8中示出了第二 環(huán)形間斷300,其鄰接電子芯片100的外部范圍環(huán)繞。
[0075] 在圖8示出的實施例中，尤其是熱接口結(jié)構(gòu)402的外部間斷300和因此突出的環(huán) 形閉合不一定是必需的。在根據(jù)圖8的上部區(qū)域中，在電子芯片100和間斷300之間的距 離是尤其小的，使得在這個位置電流的擊穿是尤其關(guān)鍵的。相反在根據(jù)圖8的下部區(qū)域中 在電子芯片100和間斷300之間的距離是較大的，使得在那里電流的擊穿不太重要。因此 這是可能的，在該下部區(qū)域間斷300和其填充可選地去除并且都限制于危險的區(qū)域。
[0076] 圖9示出了具有施加的電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)402的完成制造的電子半導(dǎo)體殼體400的截 面圖。為了具有在圖9中示出的散熱元件500的電子半導(dǎo)體殼體400的單個組件之間的更 好的機械連接，在示出的實施例中能夠使用螺絲。
[0077] 圖10示出了替換圖9的根據(jù)示例性實施例的所形成的電子半導(dǎo)體殼體400,其中， 緊固元件900被構(gòu)造為羽毛狀的夾子，其通過緊固螺絲固定在散熱元件500處。
[0078] 替換在半導(dǎo)體殼體400和散熱元件500之間的借助于緊固元件900 (參見圖9和 圖10)的連接，這也是可能的，散熱元件500作為冷卻體通過模子方法被構(gòu)造在熱接