一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管液晶顯不器（ThinFilmTransistorLiquidCrystal Display，TFT-IXD)是利用背光源提供光線，因此現(xiàn)有技術(shù)TFT-IXD的功耗較大。隨著 低功耗和戶外顯示的市場需求，反射型薄膜晶體管液晶顯示器（ReflectiveTypeThin FilmTransistorLiquidCrystalDisplay，RT-TFT-LCD)得到越來越廣泛的應(yīng)用，反射型 TFT-LCD是利用周圍的環(huán)境光反射顯示圖像，因此，反射型LCD可以在較低的功耗下顯示畫 面。
[0003] 如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)反射型TFT-IXD陣列基板包括顯示區(qū)10和周邊引線區(qū)11， 具體的，該陣列基板包括襯底基板12,位于襯底基板上的柵極13,位于柵極上的柵極絕緣 層14,位于柵極絕緣層14上的有源層15,位于有源層15上的源極16和漏極17,位于源極 16和漏極17上的鈍化層18,位于鈍化層18上的有機(jī)絕緣層19,位于有機(jī)絕緣層19上的 像素電極100和陣列基板周邊引線101，其中，像素電極100和陣列基板周邊引線101同層 制作。由于反射型TFT-LCD陣列基板要求像素電極100是反射率較高的金屬，目前常用的 像素電極100的材料是鋁釹（AINd)合金或純鋁（Al)，AINd合金或純A1的反射率很高，但 AINd合金或純A1的化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定，在空氣中或高溫下會被嚴(yán)重氧化，使得陣列基板周邊 引線101接觸電阻變大，會導(dǎo)致反射型TFT-LCD陣列基板的信號異常。
[0004] 為了解決這個(gè)問題，現(xiàn)有技術(shù)提供了另一種反射型TFT-IXD陣列基板，這種反射 型TFT-LCD陣列基板的具體結(jié)構(gòu)與圖1相似，不同的是，將像素電極100與陣列基板周邊引 線101采用不同的金屬制作，如：像素電極100采用高反射率金屬AINd合金或純A1制作， 陣列基板周邊引線101采用抗氧化性較強(qiáng)的金屬鉬（Mo)制作。這種反射型TFT-LCD陣列 基板雖然避免了陣列基板周邊引線101接觸電阻變大的問題，但在具體制作工藝中需要分 兩步制作不同的金屬，分別形成像素電極100和陣列基板周邊引線101，制作工藝復(fù)雜，制 作過程時(shí)間較長，生產(chǎn)成本較高。
[0005] 綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)反射型TFT-IXD陣列基板制作工藝復(fù)雜，制作過程時(shí)間較長， 生產(chǎn)成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以簡化制作工藝， 降低生產(chǎn)成本。
[0007] 本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上制作柵極、柵 極絕緣層、有源層、源漏極、鈍化層和有機(jī)絕緣層，其中，該方法還包括：
[0008] 在所述有機(jī)絕緣層上沉積多層金屬層；
[0009] 在所述多層金屬層上涂覆光刻膠，使用掩膜板對所述光刻膠曝光、顯影，形成光刻 膠完全去除區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)以及光刻膠完全保留區(qū)；所述光刻膠部分保留區(qū)對應(yīng)形 成陣列基板周邊引線的區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)形成像素電極的區(qū)域；
[0010] 對光刻膠完全去除區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)以及光刻膠完全保留區(qū)進(jìn)行刻蝕，形成 像素電極和陣列基板周邊引線。
[0011]由本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，由于該方法包括：在所述有機(jī)絕緣 層上沉積多層金屬層；在所述多層金屬層上涂覆光刻膠，使用掩膜板對所述光刻膠曝光、顯 影，形成光刻膠完全去除區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)以及光刻膠完全保留區(qū)；所述光刻膠部分 保留區(qū)對應(yīng)形成陣列基板周邊引線的區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)形成像素電極的區(qū) 域；對光刻膠完全去除區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)以及光刻膠完全保留區(qū)進(jìn)行刻蝕，形成像素電 極和陣列基板周邊引線，本發(fā)明實(shí)施例中僅需要沉積一層多層金屬層，通過對該金屬層涂 覆光刻膠，使用掩膜板對所述光刻膠曝光、顯影，并對光刻膠完全去除區(qū)、光刻膠部分保留 區(qū)以及光刻膠完全保留區(qū)的多層金屬層進(jìn)行刻蝕，形成像素電極和陣列基板周邊引線，與 現(xiàn)有技術(shù)在制作像素電極和陣列基板周邊引線時(shí)需要沉積兩次不同的金屬層相比，本發(fā)明 具體實(shí)施例能夠簡化制作工藝，降低生產(chǎn)成本。
[0012] 較佳地，所述掩膜板為半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板。
[0013] 這樣，采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板在實(shí)際制作過程中更加方便、簡單。
[0014] 較佳地，所述對光刻膠完全去除區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)以及光刻膠完全保留區(qū)進(jìn) 行刻蝕，形成像素電極和陣列基板周邊引線，具體包括：
[0015] 通過第一次刻蝕，去除光刻膠完全去除區(qū)的多層金屬層；
[0016]去除光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠；
[0017] 通過第二次刻蝕，去除光刻膠部分保留區(qū)的多層金屬層中的表面金屬層，形成陣 列基板周邊引線；
[0018]去除光刻膠完全保留區(qū)的光刻膠，形成像素電極。
[0019] 這樣，采用上述方法形成陣列基板周邊引線和像素電極，在實(shí)際制作過程中更加 方便、簡單。
[0020] 較佳地，所述第一次刻蝕采用濕法刻蝕。
[0021] 這樣，當(dāng)?shù)谝淮慰涛g采用濕法刻蝕時(shí)，能夠更方便的將暴露出來的多層金屬層刻 蝕去掉。
[0022] 較佳地，所述第二次刻蝕采用干法刻蝕。
[0023] 這樣，當(dāng)?shù)诙慰涛g采用干法刻蝕時(shí)，能夠更好的保證僅刻蝕掉多層金屬層的表 面金屬層。
[0024] 較佳地，所述多層金屬層中表面金屬層的材料選擇高反射率的金屬，表面金屬層 下方的金屬層的材料選擇抗氧化性的金屬。
[0025] 這樣，采用該多層金屬層制作得到的像素電極和周邊引線，既能滿足像素區(qū)的反 射率，又能保證周邊引線具有較高的抗氧化性。
[0026] 較佳地，所述多層金屬層從下到上依次為鉬、鋁釹、鉬、鋁釹，或所述多層金屬層從 下到上依次為銅、錯(cuò)釹。
[0027] 這樣，當(dāng)沉積的多層金屬層從下到上依次為鉬、鋁釹、鉬、鋁釹，或多層金屬層從下 到上依次為銅、鋁釹時(shí)，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，能夠更好的保證制作得到的產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
[0028] 較佳地，在襯底基板上制作柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏極、鈍化層和有機(jī)絕緣 層，具體包括：
[0029] 在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作柵極；
[0030] 在所述柵極上制作柵極絕緣層；
[0031] 在所述柵極絕緣層上通過構(gòu)圖工藝制作有源層；
[0032] 在所述有源層上通過構(gòu)圖工藝制作源漏極；
[0033] 在所述源漏極上通過構(gòu)圖工藝制作鈍化層；
[0034] 在所述鈍化層上通過構(gòu)圖工藝制作有機(jī)絕緣層。
[0035] 這樣，通過上述方法制作薄膜晶體管更加方便、簡單。
[0036] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板為采用上述方法制作得到的 陣列基板。
[0037] 由于本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板是采用上述方法制作得到的，因此，該陣列基 板的制作過程中的制作成本較低。
[0038] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0039] 由于本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置包括上述的陣列基板，因此該顯示裝置在生產(chǎn) 過程中的生產(chǎn)成本也較低。
【附圖說明】
[0040] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)反射型TFT-IXD的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0042] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制作像素電極和陣列基板周邊引線的方法流程 圖；
[0043] 圖4-圖10分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板在制作過程中的不同階段的 結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以簡化制作工藝， 降低生產(chǎn)成本。
[0045] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn) 一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施 例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的 所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0046] 下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法。
[0047] 如圖2所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基 板上制作柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏極、鈍化層和有機(jī)絕緣層，該方法還包括：
[0048]S201、在所述有機(jī)絕緣層上沉積多層金屬層；
[0049]S202、在所述多層金屬層上涂覆光刻膠，使用掩膜板對所述光刻膠曝光、顯影，形 成光刻膠完全去除區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)以及光刻膠完全保留區(qū)；所述光刻膠部分保留區(qū) 對應(yīng)形成陣列基板周邊引線的區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)形成像素電極的區(qū)域；
[0050] S203、對光刻膠完全去除區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)以及光刻膠完全保留區(qū)進(jìn)行刻蝕， 形成像素電極和陣列基板周邊引線。
[0051] 優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例中對涂覆在多層金屬層上的光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，采用 的掩膜板為半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板。
[0052] 如圖3所示，本發(fā)明具體實(shí)施例對光刻膠完全去除區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)以及光 刻膠完全保留區(qū)進(jìn)行刻蝕，形成像素電極和陣列基板周邊引線，具體包括如下步驟：
[0053]S301、通過第一次刻蝕，去除光刻膠完全去除區(qū)的多層金屬層；
[0054]S302、去除光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠；
[0055] S303、通過第二次刻蝕，去除光刻膠部分保留區(qū)的多層金屬層中的表面金屬層，形 成陣列基板周邊引線；
[0056]S304、去除光刻膠完全保留區(qū)的光刻膠，形成像素電極。
[0057] 優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例中第一次刻蝕采用濕法刻蝕，第二次刻蝕采用干法刻 蝕。
[0058] 下面結(jié)合附圖4-附圖10詳細(xì)說明本發(fā)明具體實(shí)施例制作陣列基板的方法。
[0059] 如圖4所示，本發(fā)明具體實(shí)施例中首先