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半導(dǎo)體器件的制造方法

文檔序號(hào):6824254閱讀:126來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法,比如DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。
DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)通常包含存儲(chǔ)單元陣列,在其中多個(gè)存儲(chǔ)單元部分被以矩陣形式排列。每一存儲(chǔ)單元部分由一對(duì)存儲(chǔ)器單元組成。每一存儲(chǔ)器單元由一選擇MOS晶體管(金屬氧化物半導(dǎo)體)和一用于存儲(chǔ)電荷的電容器構(gòu)成。
在此情況下,該選擇MOS晶體管具有源區(qū),漏區(qū)和柵電極。按這種結(jié)構(gòu),源區(qū)或漏區(qū)與電容器耦合。此外,MOS晶體管的柵電極構(gòu)成在每個(gè)存儲(chǔ)單元部分的各自的字線。
而且源區(qū)或漏區(qū)與一位線耦合。在此應(yīng)當(dāng)注意源區(qū)或漏區(qū)被形成作為在半導(dǎo)體基片上的擴(kuò)散層。
最近半導(dǎo)體器件已經(jīng)在尺寸和集成方面大量地減少。因此,半導(dǎo)體器件中的最小間距的設(shè)計(jì)尺寸布線已經(jīng)制成小于0.2μm(微米)。
通過(guò)利用這樣一種精細(xì)的處理技術(shù),具有1Gb(千兆字節(jié))容量的DRAM已經(jīng)被制成。在這樣一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中,已知的COB(電容器在位線之上)結(jié)構(gòu)已經(jīng)時(shí)常被采用,以便在有限的區(qū)域獲得高存儲(chǔ)電容的電容器。在此情況下,在COB結(jié)構(gòu)中,電容器被放置在位線之上。
在此,在日本的未審查的專利(JP-A)平3-174766中已經(jīng)公開了制作上述提到的COB結(jié)構(gòu),如在

圖1中所示。
在圖1中,多個(gè)字線4是在垂直方向排列,同時(shí)多個(gè)位線10以平行方向排列。在此情況下,字線4和位線10彼此相交叉。在此情況下,每個(gè)字線4由柵電極組成,而每個(gè)位線10由源區(qū)或漏區(qū)組成,如前面所提到的。
在COB結(jié)構(gòu)的這樣一種DRAM中,電容器接觸點(diǎn)11被放置位于相鄰字線4之間,如圖1所示。電容器通過(guò)電容器接觸點(diǎn)11連接到源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)。另一方面,位線10通過(guò)一位線接觸點(diǎn)9被連接到源區(qū)和漏區(qū)中的另一個(gè)。
在此,應(yīng)當(dāng)注意參考數(shù)字3表示放置在半導(dǎo)體基片上形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。
然而,當(dāng)布線之間間距(即字線4之間的間距)已經(jīng)被減少時(shí),對(duì)齊余量變成很小。
因此,不能足夠地保證布線(字線)4和電容器接觸點(diǎn)11之間的絕緣。為此,采用了各種方法以保證布線行和接觸點(diǎn)之間的絕緣。
在圖1,為每個(gè)源區(qū)和漏區(qū)安排了連接盤16。因此,字線(柵電極)4和電容器接觸點(diǎn)11之間的對(duì)齊余量變大。
接著,描述在圖2A至2C中制作連接盤16的方法。在此,這方法也被揭示在上述的日本的未審查的專利(JP-A)平3-174766中。
器件絕緣氧化物膜2和選擇MOS晶體管是首先形成在半導(dǎo)體基片1上,如在圖2A中所示的。此情況下,每個(gè)MOS晶體管包含被形成在半導(dǎo)體基片1上的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3(源區(qū)和漏區(qū))、通過(guò)源區(qū)和漏區(qū)之間的柵絕緣膜形成的柵電極(字線)4以及覆蓋柵絕緣膜和柵電極4的一絕緣膜5。
在這狀態(tài),層間絕緣膜6被淀積在半導(dǎo)體基片1上。其后,在層間絕緣膜6上開出接觸孔7,以便到達(dá)作為源區(qū)和漏區(qū)的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)3。
在此情況下,接觸孔7是通過(guò)利用已知的自對(duì)齊處理工藝開孔,以致于與柵電極4電絕緣。
其后,連接盤16僅被選擇生長(zhǎng)在接觸孔7中,如圖2B所示。在此,應(yīng)當(dāng)注意連接盤16是由,例如,多晶硅或單晶硅形成的。
在這時(shí),多晶硅被生長(zhǎng)到接觸孔7的深度或更多。因此,多晶硅從接觸孔7溢出。因此,連接盤16的上部分的直徑超過(guò)接觸孔7的直徑。
其后,層間絕緣膜6被淀積在那上面,如在圖2C所示的。接著開出達(dá)到連接盤16的上部分的接觸點(diǎn)孔。
接著,位接觸點(diǎn)9、被連接到位接觸點(diǎn)9的位線10以及電容器接觸點(diǎn)11被連續(xù)形成。此外,形成連接到電容器接觸點(diǎn)11的電容器,以致于完成DRAM。
在此情況下,電容器包含電容器連接到電容器接觸點(diǎn)11的下部電極12、電容器上部電極13以及形成在電容器下部電極12和電容器上部電極13之間的絕緣膜。
在此方法中,連接盤16的上表面變大。因此,為形成位接觸點(diǎn)9和電容器接觸點(diǎn)11,在開出接觸點(diǎn)孔時(shí)柵電極4的對(duì)齊余量也變成高。
下面,描述圖3A至3C所示的在iedm96摘要589-592所揭示的制作連接盤的另一方法。
器件絕緣氧化物膜2和選擇MOS晶體管是首先形成在半導(dǎo)體基片1上,如圖3A所示。在此情況下,每個(gè)MOS晶體管包含被形成在半導(dǎo)體基片1上的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3(源區(qū)和漏區(qū))、通過(guò)源區(qū)和漏區(qū)之間的柵絕緣膜形成的柵電極(字線)4。
此外,絕緣膜5,比如,硅氧化物膜或硅氮化物膜被形成在柵電極4的上部分和側(cè)壁上。通過(guò)利用已知的各向異性干蝕刻技術(shù)形成覆蓋柵電極4的側(cè)壁的絕緣膜5。
在形成絕緣膜5之后,立即以自對(duì)齊方法,將用于形成MOS晶體管的源區(qū)和漏區(qū)的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3為柵電極4暴露。
其后,例如,僅在硅暴露的部分(即,雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域)生長(zhǎng)多晶硅以形成連接盤16-2,如圖3B所示。在此情況下,在絕緣膜5上沒(méi)有任何多晶硅生長(zhǎng),如,硅氧化膜或硅氮化膜。
多晶硅是按兩步生長(zhǎng)的,即,第一步,進(jìn)行各向異性的外延生長(zhǎng)以致相鄰連接盤16-2不會(huì)彼此接觸到。
第二步,當(dāng)連接盤16-2的高度超過(guò)柵電極4的高度時(shí),各向同性的生長(zhǎng)被執(zhí)行以致于擴(kuò)大連接盤16-2的上表面,如圖3B所示。
其后,層間絕緣膜6被淀積在那上面,如在圖3C所示。接著,開出達(dá)到連接盤16-2上部的接觸孔。
接著,位接觸點(diǎn)9、被連接到位接觸點(diǎn)9的位線10以及電容器接觸點(diǎn)11被順序地形成。此外,形成連接到電容器接觸點(diǎn)11的電容器以完成DRAM。
在此情況下,電容器包含被連接到電容器接觸點(diǎn)11的電容器下部電極12、電容器上部電極13以及形成在電容器下部電極12和電容器上部電極13之間的絕緣膜。
上述提到的傳統(tǒng)的方法有下列問(wèn)題。
即,在圖2所示的方法中,在接觸孔7被打通后立即選擇生長(zhǎng)硅。因此,生長(zhǎng)必須被執(zhí)行到直到硅溢出接觸孔7。因此,選擇生長(zhǎng)期變長(zhǎng)。
通常,硅的選擇生長(zhǎng)是通過(guò)利用生長(zhǎng)核產(chǎn)生率的差別在暴露的表面進(jìn)行的。在這種情況下,當(dāng)生長(zhǎng)期更長(zhǎng)時(shí),或生長(zhǎng)膜厚度更厚時(shí),生長(zhǎng)的選擇性變小。
因此,相鄰連接盤16可以相互接觸,這是因?yàn)樵趫D2所示的方法中硅生長(zhǎng)的選擇性被降級(jí)。
此外,在上述選擇生長(zhǎng)中,硅的完全清潔表面必須被暴露在接觸孔7的底部。然而,在0.2μm或更小的微細(xì)接觸孔7的底部是很難獲得完全清潔的表面的。
另一方面,在圖3所示的方法中,當(dāng)對(duì)齊允許誤差(或?qū)R偏離)發(fā)生在雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3的圖形和柵電極4的圖形之間時(shí),如圖4所示,與電容器接觸點(diǎn)11連接的連接盤16-2的一側(cè)不能充分地生長(zhǎng)。這是因?yàn)橛捎跂烹姌O4的對(duì)齊允許誤差(或偏離)使雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3沒(méi)有被充分地暴露,以及硅的生長(zhǎng)率變緩慢造成的。
而且,最近柵電極4通常是由雙層結(jié)構(gòu)的硅化物形成的,比如,硅化鎢或硅化鈦和多晶硅,以減少其電阻。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu),當(dāng)在柵電極4上開出接觸孔時(shí),硅化物被暴露在其底部。然而,在硅化物上很難選擇生長(zhǎng)硅。在這種情況下,在柵電極上不可能形成連接盤。
因此本發(fā)明的目的提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法,其能夠防止在形成連接盤的選擇生長(zhǎng)期間相鄰連接盤之間產(chǎn)生的絕緣缺陷。
根據(jù)本發(fā)明,在半導(dǎo)體基片上形成MOS晶體管。每個(gè)MOS晶體管包含雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域和柵電極。在此,雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)用作源區(qū)和漏區(qū)。
此外,第一層間絕緣膜被淀積在MOS晶體管上方。接觸孔被打開在第一層間絕緣膜以致于達(dá)到雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域。
接著,在半導(dǎo)體基片的全部表面上淀積導(dǎo)體。接下來(lái),淀積的導(dǎo)體被深蝕刻以便僅形成在接觸孔中的接觸塞。而且,通過(guò)利用選擇生長(zhǎng)方法僅僅在接觸塞上形成盤部分。
最后,在半導(dǎo)體基片上形成電容器,以致于電容器通過(guò)電容器接觸點(diǎn)被連接到盤部分。
在此情況下,每個(gè)接觸塞具有第一直徑,而每個(gè)盤部分具有一第二直徑。在此,第二直徑超過(guò)第一直徑。
通過(guò)利用各向同性的選擇生長(zhǎng)方法僅在接觸塞上形成盤部分以便擴(kuò)大盤部分。在此情況下,各向同性的選擇生長(zhǎng)方法包含化學(xué)汽相淀積(CVD)。
在此情況下,通過(guò)利用自-對(duì)齊方法開通接觸孔,以致于與柵電極絕緣。
而且第二層間絕緣膜被淀積在第一層間絕緣膜上。在此,接觸塞被形成在第二層間絕緣膜中。
電容器包含電容器下部電極、電容器上部電極和位于電容器下部電極和電容器上部電極之間的絕緣膜。
如前面所提到的,選擇生長(zhǎng)方法僅在形成盤部分時(shí)進(jìn)行。因此,選擇生長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間變得較短。
即,相鄰盤部分不會(huì)相互接觸到,因?yàn)樯L(zhǎng)的選擇性被降級(jí)或破壞是很難的。因此,由于連接盤之間電短路產(chǎn)生的缺陷被減少。
此外,由多晶硅構(gòu)成的接觸塞是預(yù)先形成的,而且盤部分是被選擇地生長(zhǎng)在接觸塞上。因此,對(duì)于柵電極來(lái)說(shuō),雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域和盤部分能被同步地形成,不受形成盤部分的基本材料的限制。
圖1是說(shuō)明傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖;圖2A至2C是用于說(shuō)明圖1中傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖視圖;圖3A至3C是用于說(shuō)明另一傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖視圖;圖4是說(shuō)明圖3所示另一傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的問(wèn)題平面圖;圖5A至5D是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法的剖視圖;圖6A至6D是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法的剖視圖;圖7A至7D是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法的剖視圖。
(第一實(shí)施例)參考圖5A至5D,將描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。
器件絕緣氧化物膜2和選擇MOS晶體管首先被形成在半導(dǎo)體基片(硅基片)1上,如圖5A所示。在此情況下,每個(gè)MOS晶體管包含被形成在半導(dǎo)體基片1上的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3(源區(qū)和漏區(qū)),以及通過(guò)在半導(dǎo)體基片1上的源區(qū)和漏區(qū)之間的柵絕緣膜形成的柵電極(字線)4。
在此情況下,柵電極絕緣膜和柵電極4被絕緣膜5所覆蓋,比如,可以是硅氧化物膜或硅氮化物膜。
接著,層間絕緣膜6,比如,包含硼和磷的硅氧化物膜(例如,BPSG膜)被淀積在硅基片1的全部表面上。因此,柵電極4的臺(tái)階被弄平,如圖5A所示。
其后,達(dá)到存儲(chǔ)單元部分的選擇MOS晶體管的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3的接觸點(diǎn)孔7被打通。在此情況下,接觸點(diǎn)孔7是通過(guò)利用自-對(duì)齊處理開通,以致為柵電極4保持電絕緣。
接下來(lái),每個(gè)接觸點(diǎn)孔7被用包含雜質(zhì)的多晶硅,比如,磷所埋置。在此,應(yīng)當(dāng)注意多晶硅不是通過(guò)利用圖2所示的選擇生長(zhǎng)淀積的。在第一實(shí)施例中多晶硅是被淀積在基片1的全部表面上。
根據(jù)這個(gè)方法,與選擇生長(zhǎng)方法相比,其沒(méi)有必要將半導(dǎo)體基片1的完全清潔表面暴露在接觸孔7的底部。
其后,深蝕刻多晶硅的處理被進(jìn)行。因此,多晶硅構(gòu)成的接觸塞8-1被形成作為在存儲(chǔ)單元部分中連接盤的一部分,如圖5B所示。
后來(lái),在存儲(chǔ)單元部分中,在連接塞8-1上形成連接盤的盤上部分(盤部分)8-2,如圖5C所示。在此情況下,用選擇生長(zhǎng)方法(例如,化學(xué)氣相淀積(CVD))形成盤部分8-2。
在此選擇生長(zhǎng)方法中,多晶硅僅被生長(zhǎng)在多晶硅上,而且多晶硅未被生長(zhǎng)在層間絕緣膜6上,比如,硅氧化物膜(BPSG膜)。在此,應(yīng)當(dāng)注意連接盤是由接觸塞8-1和盤上部分(盤部分)8-2組成。
在此情況下,硅是通過(guò)利用各向同性生長(zhǎng)被生長(zhǎng)的。這種各向同性生長(zhǎng)是在下列條件下實(shí)現(xiàn)的。即,氣體,比如,硅烷,乙硅烷,以及二氯硅烷和氣體,比如,氯和溴,在1和50毫乇的減壓情況下被混合,并且在600和900攝氏度下進(jìn)行熱處理。
因此,盤部分8-2的直徑超過(guò)了接觸塞8-1的直徑,如圖5C所示。在此情況下,通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇膜生長(zhǎng)的厚度,能夠使盤部分8-2之間的間距被限制到微細(xì)處理的限制或更小。
其后,層間絕緣膜6’被淀積在存儲(chǔ)單元部分,如圖5D所示。接著,達(dá)到連接盤的盤部分8-2的接觸孔如圖2C所示的被開通。
其后,位接觸點(diǎn)9-1、連接到位接觸點(diǎn)9-1的位線10以及電容器接觸點(diǎn)11被順序地形成。此外,形成連接到電容器接觸點(diǎn)11的電容器,以完成DRAM。
在此情況下,電容器包含連接到電容器接觸點(diǎn)11的電容器下部電極12、電容器上部電極13以及形成在電容器下部電極12和電容器上部電極13之間的絕緣膜。
另一方面,雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3和柵電極4被連接到位線10,而在周邊的電路部分沒(méi)有連接盤,如圖5D所示。(第二實(shí)施例)參考圖6A至6D,將描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。
在第二實(shí)施例,與第一實(shí)施例不同,連接盤除了形成在存儲(chǔ)單元部分之外也被形成在周邊電路部分。
在器件絕緣氧化物膜2被形成在半導(dǎo)體基片1上的存儲(chǔ)單元部分和周邊電路部分之后,在存儲(chǔ)單元部分和周邊電路部分形成柵電極4,如圖6A所示。
在此情況下,在存儲(chǔ)單元部分和周邊電路部分中柵電極4被絕緣膜5覆蓋。然而,柵電極4可以不被在周邊的電路部分的絕緣膜5覆蓋。
然后,層問(wèn)絕緣膜6,比如,包含硼和磷的硅氧化物膜(BPSG膜)被淀積在硅基片1的整個(gè)表面上。因此,柵電極4的臺(tái)階被弄平,如圖6A所示。
其后,達(dá)到在存儲(chǔ)單元部分的選擇MOS晶體管的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)3的接觸孔7被開通,如圖6B所示。此外,在周邊電路部分達(dá)到雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)3和柵電極4的接觸孔7-2和7-3被開通。在此情況下,僅有在周邊的電路部分中的達(dá)到雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3的接觸點(diǎn)孔7-2能夠被開通。
接著,每個(gè)接觸孔7、7-2和7-3被用包含雜質(zhì),比如,包含磷的多晶硅埋置,以在接觸孔7、7-2和7-3中形成接觸塞8-1。
在此情況下,與第一實(shí)施例相類似,通過(guò)在半導(dǎo)體基片1的全部表面上淀積多晶硅和通過(guò)深蝕刻,形成多晶硅構(gòu)成的接觸塞8-1。
因此,與選擇生長(zhǎng)方法相比,沒(méi)必要將完全清潔的半導(dǎo)體基片1的表面暴露在每個(gè)接觸孔7、7-2以及7-3的底部。
此外,在周邊的電路部分,金屬,比如鎢硅化物和鈦硅化物,可以被暴露在柵電極4上。
接著,在存儲(chǔ)單元部分和在周邊電路部分的接觸塞8-1上形成連接盤的盤上部分(盤部分)8-2,如圖6C所示。
在此情況下,如第一實(shí)施例那樣,通過(guò)利用選擇生長(zhǎng)方法(例如,CVD)形成盤部分8-2。在這種選擇生長(zhǎng)方法中,僅在多晶硅上生長(zhǎng)多晶硅,而且多晶硅不被生長(zhǎng)在層間膜絕緣6上。連接盤由接觸塞8-1和盤上部分(盤部分)8-2組成。
在此情況下,硅是通過(guò)利用各向同性生長(zhǎng)形成的。因此,盤部分8-2的直徑超過(guò)接觸塞8-1的直徑,如圖6C所示。
在此情況下,在沒(méi)有任何硅化物暴露的情況下,接觸孔7-3已經(jīng)被在周邊電路部分中柵電極4上的多晶硅埋置。因此,盤部分8-2的選擇性未被降低或破壞。
其后,層間絕緣膜6’被淀積在存儲(chǔ)單元部分和在周邊的電路部分,如圖6D所示。接著,達(dá)到連接盤的盤部分8-2的接觸孔被開通,如圖5C那樣。
接著,順序地形成位接觸點(diǎn)9-1、9-2和9-3,位線10,以及電容器接觸點(diǎn)11。此外,形成與電容器接觸點(diǎn)11連接的電容器以完成DRAM。
在此情況下,電容器包含電容器下部電極12、電容器上部電極13和形成在電容器下部電極12和電容器上部電極13之間的絕緣膜。
如以前提到的,在第二實(shí)施例中,連接盤除形成在存儲(chǔ)單元部分之外也被形成在周邊的電路部分。因此,與第一實(shí)施例相比,在周邊的電路部分中柵電極4和接觸點(diǎn)9-3之間的對(duì)齊余量變小。進(jìn)而,完全能將芯片減小。(第三實(shí)施例)參考圖7A至7D,描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。
在第三實(shí)施例中,連接盤只被形成在電容器接觸點(diǎn)11下面,這不同于第一和第二實(shí)施例。
器件絕緣氧化物膜2、柵電極4和層間絕緣膜6被形成在半導(dǎo)體基片1上,如圖7A所示。
此外多晶硅構(gòu)成的接觸塞8-1-1、8-1-2被形成在存儲(chǔ)單元部分,而多晶硅構(gòu)成的接觸塞8-1-3、8-1-4被形成在周邊的電路部分,如同第二實(shí)施例。
接下來(lái),導(dǎo)體被淀積,并且將絕緣膜淀積在導(dǎo)體上面,如圖7B所示。在此情況下,導(dǎo)體形成位線10并且是由鎢硅化物或其他適當(dāng)?shù)牟牧闲纬傻?。此外,絕緣膜形成蓋狀絕緣膜14,并且是由硅氧化物膜或硅氮化物膜形成的。
接著,用光致抗蝕劑作為掩膜將絕緣膜和導(dǎo)體順續(xù)地蝕刻。因此,位線10和蓋狀絕緣膜14被形成在基片1上。
接下來(lái),通過(guò)利用在覆蓋步驟為上佳的CVD(化學(xué)汽相淀積)在整個(gè)表面上淀積絕緣膜,比如,硅氧化物膜或硅氮化物膜。
其后,為了位線10,通過(guò)利用各向異性的蝕刻深蝕刻絕緣膜以形成側(cè)壁絕緣膜15。在此,應(yīng)當(dāng)注意,為了好理解,在圖7中位線10被舉例說(shuō)明為是與柵電極4平行的。
在側(cè)壁絕緣膜15形成之后,在電容器接觸點(diǎn)11下面,僅有多晶硅構(gòu)成的接觸塞8-1-2以自-對(duì)齊方式被暴露位于位線10之間。另一方面,多晶硅構(gòu)成的接觸塞8-1-1變成其自己的位線接觸點(diǎn)。
接著,通過(guò)使用多晶硅僅生長(zhǎng)在多晶硅上的方法,使多晶硅構(gòu)成的盤上部分(盤部分)8-2-1被形成在多晶硅構(gòu)成的接觸塞8-1-2上,如圖7C所示。
在此情況下,盤部分8-2-1是通過(guò)利用各向同性的生長(zhǎng)方法形成的。因此,盤部分8-2-1的直徑超過(guò)接觸塞8-1-2的直徑,如在圖7C所示的。
其后,層間絕緣膜6”被淀積,并且電容器接觸點(diǎn)11、電容器下部電極12、絕緣膜,以及電容器上部電極13被形成以致完成DRAM。
在此情況下,在第三實(shí)施例中,在多晶硅構(gòu)成的接觸塞8-1-1被形成時(shí),位接觸點(diǎn)被形成。因此,一次開通接觸點(diǎn)的數(shù)與第一和第二實(shí)施例相比被減少。
雖然在第一至第三實(shí)施例中已經(jīng)描述了具有電容器形成在位線之上的COB結(jié)構(gòu)的DRAM,但是本發(fā)明不限于上述提到類型的DRAM,并且可以適用于其他類型的DRAM。
權(quán)利要求
1.一種制造具有半導(dǎo)體基片的半導(dǎo)體器件的方法,其特征在于包括如下步驟在半導(dǎo)體基片上形成MOS晶體管,每個(gè)MOS晶體管包含雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域和柵電極,雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)用作源區(qū)和漏區(qū);在MOS晶體管上方淀積第一層間絕緣膜;在第一層間膜絕緣開通接觸孔以致于達(dá)到雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域;在半導(dǎo)體基片的全部表面上淀積導(dǎo)體;淀積的導(dǎo)體被深蝕刻以便僅形成在接觸孔中的接觸塞;通過(guò)利用選擇生長(zhǎng)方法僅在接觸塞上形成盤部分;以及在半導(dǎo)體基片上形成電容器,以便于通過(guò)電容器接觸點(diǎn)被連接到盤部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,每個(gè)接觸塞具有第一直徑,而每個(gè)盤部分具有一第二直徑,第二直徑超過(guò)第一直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于通過(guò)利用各向同性的選擇生長(zhǎng)方法僅在接觸塞上形成盤部分以便擴(kuò)大盤部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于各向同性的選擇生長(zhǎng)方法包含化學(xué)汽相淀積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于淀積第一層間絕緣膜以便于平整柵電極的臺(tái)階。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于第一層間絕緣膜是由硅氧化膜形成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于半導(dǎo)體器件包含存儲(chǔ)單元部分,MOS晶體管被形成在存儲(chǔ)單元部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于通過(guò)利用自-對(duì)齊方法開通接觸孔以便與絕緣柵電極絕緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于導(dǎo)體包括多晶硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于在第一層間絕緣膜上淀積第二層間絕緣膜,接觸塞被形成在所述第二層間絕緣膜中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于在所述的半導(dǎo)體基片上形成位線,該位線通過(guò)位線接觸點(diǎn)被連接到盤部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于位接觸點(diǎn)是形成在第二層間絕緣膜中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于電容器包含電容器下部電極、電容器上部電極和位于電容器下部電極和電容器上部電極之間的絕緣膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于柵電極作為字線,位線與字線相互交叉。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于所述半導(dǎo)體器件包括DRAM。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其特征在于電容器被形成在位線之上。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于只在電容器接觸點(diǎn)下形成盤部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其特征在于位線與接觸塞直接連接。
19.一種制造在周邊電路部分中具有半導(dǎo)體基片的半導(dǎo)體器件的方法,其特征在于包括如下步驟在半導(dǎo)體基片上形成至少一個(gè)MOS晶體管,MOS晶體管包含雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域和柵電極;在MOS晶體管上方淀積第一層間絕緣膜;在第一層間膜絕緣開通接觸孔以致于達(dá)到雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域和柵電極;在半導(dǎo)體基片的全部表面上淀積導(dǎo)體;淀積的導(dǎo)體被深蝕刻以便僅形成在接觸孔中的接觸塞;通過(guò)利用選擇生長(zhǎng)方法僅在接觸塞上形成盤部分;以及在半導(dǎo)體基片上方形成位線,以便于通過(guò)位線接觸點(diǎn)連接到盤部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于,每個(gè)接觸塞具有第一直徑,而每個(gè)盤部分具有一第二直徑,第二直徑超過(guò)第一直徑。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于通過(guò)利用各向同性的選擇生長(zhǎng)方法僅在接觸塞上形成盤部分以便擴(kuò)大盤部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法,其特征在于各向同性的選擇生長(zhǎng)方法包含化學(xué)汽相淀積。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于在第一層間絕緣膜上淀積第二層間絕緣膜,接觸塞被形成在所述第二層間絕緣膜中。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法,其特征在于位接觸點(diǎn)是形成在第二層間絕緣膜中。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于所述的半導(dǎo)體器件包括DRAM。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于柵電極的表面上具有硅化物膜,接觸塞形成在硅化物膜上。
全文摘要
在一種制造半導(dǎo)體器件的方法中,在半導(dǎo)體基片上形成MOS晶體管。每個(gè)MOS晶體管包含雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和柵電極。在MOS晶體管上淀積第一層間絕緣膜。在第一層間絕緣膜中開通接觸孔以致于其達(dá)到雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域。在半導(dǎo)體基片的全部表面上淀積導(dǎo)體。深蝕刻淀積的導(dǎo)體以致僅在接觸孔中形成接觸塞。通過(guò)利用選擇生長(zhǎng)方法僅在接觸塞形成盤部分。電容器被形成在半導(dǎo)體基片上以致于通過(guò)電容器接觸點(diǎn)連接到盤部分。
文檔編號(hào)H01L21/8242GK1235374SQ9910724
公開日1999年11月17日 申請(qǐng)日期1999年5月11日 優(yōu)先權(quán)日1998年5月13日
發(fā)明者深瀨匡, 小室雅宏 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社
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