專利名稱：：介電陶瓷和使用它的電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種介電陶瓷和使用這種介電陶瓷的電容器。本發(fā)明尤其涉及一種用作放電燈(尤其是高壓蒸氣放電燈)的起動器的脈沖發(fā)生電容器，這種燈在其外泡內(nèi)裝有起動器。普通的商用電源不足以起動諸如高壓鈉燈之類的高壓蒸氣放電燈，故必須給燈施加高壓脈沖。有一種高壓蒸氣放電燈被廣泛使用，這種燈中，將用于產(chǎn)生高壓脈沖的起動器裝入外泡內(nèi)，并和普通高壓汞燈的鎮(zhèn)流器一同使用。這樣的高壓蒸氣放電燈具有如此的基本結(jié)構(gòu)由非線性介電陶瓷制成的電容器和電弧管并聯(lián)，在電弧管中裝有半導(dǎo)體開關(guān)(SSS)以產(chǎn)生高壓脈沖。把如此產(chǎn)生的高壓脈沖和電源電壓一起被施加給電弧管，以起動放電燈。作為穩(wěn)定地產(chǎn)生這種高壓脈沖的裝置的電容器，曾經(jīng)使用由鈦酸鋇多晶材料制成的非線性介電陶瓷。如圖1中所示，這種非線性介電陶瓷電容器表現(xiàn)出D-E電滯，其中電位移(D)隨電壓(E)急劇地變化，并且當(dāng)大于介電陶瓷電容器的矯頑場的電壓施加給電容器時，電量在極化反轉(zhuǎn)電壓附近迅速地達(dá)到飽和量。這時電流的變化導(dǎo)致鎮(zhèn)流器小的變化，從而由于鎮(zhèn)流器的電感而產(chǎn)生相應(yīng)于-L·di/dt的高壓脈沖。需要用于諸如高壓鈉燈之類的高壓蒸氣放電燈的非線性介電陶瓷電容器以具有陡的D-E電滯，并且它在很寬的溫度范圍內(nèi)是穩(wěn)定的。滿足這種需求的非線性介電陶瓷電容器在例如第63-221504、63-221505、1-136323、和1-136324號日本專利申請公開中揭示。順便提及，通常，諸如高壓鈉燈之類的高壓蒸氣放電燈的外泡的內(nèi)部保持在1×10-5torr的高真空，在點(diǎn)燃的過程中，外泡的內(nèi)部面臨高溫(300℃)和高真空(1×10-5torr)。另外，鋇吸氣劑設(shè)置在外泡內(nèi)，以吸附放電燈工作時產(chǎn)生的氧氣，從而保持外泡內(nèi)部的真空度。但是，當(dāng)放電燈長時間工作后，外泡內(nèi)部由于吸附到電弧管、用于支承電弧管的金屬金屬支承件、構(gòu)成外泡的玻璃之類部件上的氫氣、或由于吸收的水分分解的結(jié)果而產(chǎn)生的氫氣使真空度降低(reducingatmosphere)。因此，當(dāng)在這樣的狀態(tài)下長時間使用高壓蒸氣放電燈時，即把非線性介電陶瓷電容器(例如在第63-221504、63-221505、1-136323、或者1-136324號日本專利申請公開中揭示的)裝入要用于產(chǎn)生脈沖的外泡中，則介電陶瓷被還原(reduce)，因此絕緣電阻降低，導(dǎo)致產(chǎn)生的脈沖的電壓減小，或不產(chǎn)生脈沖，結(jié)果使放電燈不起動的問題。為了解決這個問題，第60-52006號日本專利申請公開中揭示了一種措施，其中介電陶瓷電容器除了供電部分之外完全用無機(jī)玻璃覆蓋，而在第4-34832號日本專利申請公開中揭示了一種方法，即在外泡的內(nèi)部設(shè)置氫吸收劑。但是，這些方法不能抑制非線性介電陶瓷電容器的惡化。另外，用于產(chǎn)生脈沖的電容器和放電燈的結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，導(dǎo)致成本增加。另外，如果如第60-52006號日本專利申請揭示的，介電陶瓷電容器完全由無機(jī)玻璃覆蓋，則介電陶瓷電容器的D-E電滯特性由于玻璃而惡化，從而在某些情況下無法產(chǎn)生高壓脈沖?？紤]到上述問題，本發(fā)明的一個目的是提供一種便宜的，用于產(chǎn)生脈沖電壓的電容器(下面可稱為脈沖發(fā)生電容器)，其特性即使在電容器被用于高溫、高真空、真空度降低時也不會惡化，并且它可以在較寬的溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生高壓脈沖。在本發(fā)明的一個方面，提供了一種在高壓蒸氣放電燈的內(nèi)部使用的脈沖發(fā)生電容器，所述電容器包括由非線性介電陶瓷構(gòu)成的呈現(xiàn)抗還原性(resistanceagainstreduction)的介質(zhì)零件。較好地，呈現(xiàn)出還原性的非線性介電陶瓷包括含以鈦酸鋇作為主要成份的多晶材料，并且當(dāng)多晶材料表示為下面的配方時，(1-a-b)ABO3+aM+bR其中ABO3是鈦酸鋇成份，并表現(xiàn)出鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，M是從由Mn、Ni和Co組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，R是從由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，并且a和b表示摩爾分?jǐn)?shù)，A,B,a和b滿足下面的關(guān)系1.000≤A/B≤1.006(摩爾比)0.3≤b/a≤30.0015≤a≤0.0050和00015≤b≤0.0050由Ad表示的M和R的總的含量滿足0.3＜Ad≤1.0(wt.％)。這些范圍將統(tǒng)稱為第一個較佳的范圍。還有較好地，非線性介電陶瓷還包括含有Si作為主要成份的氧化物，其中對于100份重量的多晶材料，含Si氧化物為0.005-0.1份重量。這一含Si氧化物的范圍和上述的范圍，即，1.000≤A/B≤1.006(摩爾比)，0.3≤b/a≤3,0.0015≤a≤0.0050,0.0015≤b≤0.0050,0.3＜Ad≤1.0i(wt.％)，下面將統(tǒng)稱為第二較佳的范圍。還有較好地，上述ABO3(當(dāng)表示為{(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m(Ti1-o-pZroHfp)O2)是這樣的，從而x、y、z、o、p和m滿足下面的關(guān)系0≤x≤0.050≤y≤0.020≤z≤0.0050.0035≤o+p≤0.12(只要0≤o≤0.12和0≤p≤0.12)和1.000≤m≤1.006。這些范圍將統(tǒng)稱為第三較佳的范圍。在本發(fā)明的另一個方面，提供了一種介電陶瓷，它包多晶材料，該材料含有鈦酸鋇作為主要成份，其中當(dāng)多晶材料表示為下面的配方(1-a-b)ABO3+aM+bR其中ABO3為鈦酸鋇成份，并表示鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，M是從由Mn、Ni和Co組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，R是從由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，并且a和b表示摩爾分?jǐn)?shù)，A,B,a和b滿足下面的關(guān)系1.000≤A/B≤1.006(摩爾比)0.3≤b/a≤30.0015≤a≤0.0050和0.0015≤b≤0.0050由Ad表示的M和R的總的含量滿足0.3＜Ad≤1.0(wt.％)。并且，介電陶瓷還包括含有Si作為主要成份的氧化物，對于100份重量的多晶材料，含Si氧化物有0.005-0.1份。較好地，上述ABO3當(dāng)(表示為{(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m(Ti1-0-pZr0Hfp)O2)時是這樣的，從而x、y、z、o、p和m滿足下面的關(guān)系0≤x≤0.050≤y≤0.020≤z≤0.0050.0035≤o+p≤0.12(只要0≤o≤0.12和0≤p≤0.12)和1.000≤m≤1.006。在本發(fā)明的還有一個方面，提供了高壓金屬蒸氣放電燈，它使用本發(fā)明的電容器作為起動器。參照下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的詳細(xì)的描述，將容易地理解本發(fā)明的各種其它的目的、特點(diǎn)和許多附帶優(yōu)點(diǎn)，在這些附圖中是圖1是非線性介電陶瓷的典型D-E電滯特性曲線，這種非線性介電陶瓷被包含在本發(fā)明的電容器中；圖2是本發(fā)明的示例性的脈沖發(fā)生電容器的截面圖；圖3是傳統(tǒng)的脈沖發(fā)生電容器的截面圖(現(xiàn)有技術(shù))；圖4是示出脈沖發(fā)生電路和脈沖測量電路的簡圖；圖5是示出產(chǎn)生的脈沖電壓和燈的工作時間之間的關(guān)系的曲線圖，這是從脈沖發(fā)生電容器中得到的；圖6是一草圖，示出包含了本發(fā)明的電容器的高壓鈉燈的一個例子的結(jié)構(gòu)；圖7是用于圖6中所示的燈的電路圖。下面將參照附圖，描述本發(fā)明的脈沖發(fā)生電容器。圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的脈沖發(fā)生電容器的截面圖。脈沖發(fā)生電容器A制造如下首先，把由各種成份按照預(yù)定的比例而構(gòu)成的原材料陶瓷粉末與黏合劑混合。把得到的材料混合、干燥、制成粒狀、然后用例如壓力模制等方式形成盤狀模制品。模制品被燒制，從而得到非線性介電陶瓷1，它被用作介質(zhì)零件。隨后，通過例如燒結(jié)等方式在非線性介電陶瓷1的兩個主表面上形成電極2。然后，設(shè)置由絕緣玻璃3制成的環(huán)用于絕緣。引線端子5通過導(dǎo)電黏合劑6連接到電極，以建立電氣連接，由此得到脈沖發(fā)生電容器A。非線性介電陶瓷由含有鈦酸鋇作為主要成份的多晶材料構(gòu)成。鈦酸鋇由ABO3表示，這是表示鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的配方。在本發(fā)明中，A/B摩爾比受到控制，并且，添加由Mn、Ni和Co組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，和由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，并含有特定的量，從而保證抗還原性，并得到陡的D-E電滯。因此，即使當(dāng)電容器處于高溫、高真空、低氣壓，也可以得到高脈沖電壓，但不允許絕緣電阻的減小。對A/B比值的適當(dāng)選擇和加入Mn,Ni或Co的氧化物對改善抗減小性是有效的。但是，應(yīng)當(dāng)注意，這兩個不能單獨(dú)地提供陡的D-E電滯，并且不能保證較高的脈沖電壓。因此，在本發(fā)明的特性中，還加入了從由La,Ce,Nd,Pr,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er，和Yb組成的組中選出的一種元素的氧化物，并且調(diào)節(jié)它和Mn,Ni或Co的氧化物的量的比值，由此保證了足夠的抗減小性以及令人滿意的脈沖電壓特性。通過再結(jié)合含有Si作為主要成份的氧化物，可以得到非線性介電陶瓷的燒結(jié)相關(guān)性的極好的再現(xiàn)性，這導(dǎo)致的陶瓷其組織的顆粒具有較小變化的尺寸。這提供了產(chǎn)生的脈沖高電壓，以及擊穿電壓的增加。下面將通過實(shí)施例描述本發(fā)明。但是，本發(fā)明不限于這些例子。實(shí)施例1提供BaCO3,CaCO3,SrCO3,MgCO3,TiO2,ZrO2和Hf2O3(純度為99％或更大)作為起動材料。這些起動材料被混合，產(chǎn)生組合，它由{(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m(Ti1-0-pZr0Hfp)O2表示，其中x,y,z,o,p和m假定為表1中所示的值。每一個組合用球磨機(jī)濕參合、碾碎、干燥、并在1120℃下煅燒2個小時，以達(dá)到小型。得到的小型用于燥-壓碎機(jī)壓碎，以產(chǎn)出壓碎的材料，它的顆粒直徑為1μm或更少。表1</tables>(1)樣品號將MnCO3,NiO,CoO,La2O3,CeO2,Nd2O3,Pr6O11,Sm2O3,Eu2O3,Gd2O3,Tb2O3,Dy2O3,Dy2O3,Ho2O3,Er2O3,Yb2O3和SiO2加入壓碎的材料，以得到如表2和3中所示的組織。另外，加入聚乙烯醇(3wt.％)和純水，并且每一個得到的化合物都用球磨機(jī)濕參合、干燥、接受顆?；?，并在2tons/cm2的壓力下模制，由此得到盤狀模制品。表2>(1)樣品號(2)總的“a”(3)總的“b”(4)(重量的份數(shù))表3(1)樣品號(2)總的“a”(3)總的“b”(4)(重量的份數(shù))隨后，把得到的模制品在表4所示的溫度下燒制2小時，以得到直徑為18mm，厚度為0.6mm的非線性介電陶瓷。如圖2中所示，由銀制成的電極(直徑為16mm)通過燒制形成在每種介電陶瓷的兩個主表面上。另外，設(shè)置由玻璃陶瓷制成的(其外直徑為17mm，內(nèi)直徑為14mm)絕緣玻璃環(huán)。隨后，通過使用導(dǎo)電黏合劑把由鎳制成的引線端子連接到上述電極，由此得到脈沖發(fā)生電容器A。通過使用脈沖發(fā)生電路和脈沖測量電路(如圖4中所示)在-40℃、室溫(20℃)以及50℃下對所得電容器測量所產(chǎn)生的脈沖的電壓。如圖4中所示，把如上所述制成的脈沖發(fā)生電容器A放置在溫床槽(thermo-vessel)中。半導(dǎo)體開關(guān)C(導(dǎo)通電壓為150V)和與400瓦的高壓汞燈(電源220V,60Hz)一起使用的鎮(zhèn)流器D串聯(lián)地連接到電容器A。把如此形成的串聯(lián)電路連至AC電源E(100-Vac,60-Hz)，由此完成脈沖發(fā)生電路。通過使用連接在包含電容器A和半導(dǎo)體C的串聯(lián)電路相對端之間的示波器F測量產(chǎn)生的脈沖的電壓(下面簡稱為脈沖電壓)。然后，通過用絕緣電阻測量計，施加100Vdc的電壓2分鐘來測量絕緣電阻，并且計算體電阻率(ρ)。為了測量在高溫以及低氣壓下性質(zhì)的歷時變化，允許每一個電容器在真空室(400℃,1×10-5，氫濃度0.5％)中放置1000小時。在室溫(20℃)下使用脈沖發(fā)生電路和脈沖測量電路(如圖4中所示)測量允許放置后的電容器的脈沖電壓。測量絕緣電阻，并計算體電阻率(ρ)。AC擊穿電壓測量如下。通過燒制，在每一個非線性介電陶瓷(其直徑為18mm，厚度為0.6mm，它是通過在表4中所示的溫度下燒制而得到的)的兩個主表面上形成直徑為14mm的銀電極，由此作出樣品電容器。每一個樣品的電壓在樣品經(jīng)受了在硅油槽中的電壓升高(60Hz,100Vrms/秒)發(fā)生擊穿時測量。測試的全部結(jié)果示于表4中。表1到4中第6到15號樣品落在第一較佳的范圍(這相應(yīng)于權(quán)利要求2的范圍)外面。第6到17號樣品落在第二較佳的范圍(這相應(yīng)于權(quán)利要求3的范圍)外面。第1到17號樣品落在第三較佳的范圍外面(這相應(yīng)于權(quán)利要求4的范圍)，并用“*”作記號。即，第18到41號樣品落在本發(fā)明的最好的范圍內(nèi)。表4</tables>1樣品號2燒制溫度(℃)3產(chǎn)生的脈沖的電壓(kV)4室溫5體電阻率ρ(Ω·m)6產(chǎn)生的脈沖的電壓(kV)7體電阻率ρ(Ω·m)8AC擊穿電壓(kV/mm)如從表1到4中顯見，落在最好的范圍中(即第三較佳的范圍(這相應(yīng)于權(quán)利要求4的范圍))的本發(fā)明的脈沖發(fā)生電容器在-40到50℃的溫度范圍中的脈沖電壓為1.8kV或更大。另外，即使當(dāng)電容器面臨高溫和較小的氣壓下，其導(dǎo)通電壓不降低，比脈沖電壓也不降低。另外，電容器表現(xiàn)AC擊穿電壓為6kVrms/mm或更高。如上所述，用于構(gòu)成脈沖發(fā)生電容器的本發(fā)明的介電陶瓷具有一成份，表示為配方(1-a-b)ABO3+aM+bR，其中ABO3是鈦酸鋇成份，并表現(xiàn)出鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，M是從由Mn、Ni和Co組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，R是從由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，并且a和b表示摩爾分?jǐn)?shù)。下面將描述介電陶瓷中確定成份的限制的原因。具有第6號樣品的成份(其中A/B比值-即當(dāng)配方ABO3由{(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m(Ti1-0-pZr0Hfp)O2)表示時，m的值小于1.000)的脈沖發(fā)生電容器具有較差的性質(zhì)。即，由于因處于高溫、低氣壓中的介電陶瓷的還原導(dǎo)致絕緣電阻降低，電容器具有降低很多的脈沖電壓。具有第7號樣品的成份(其中A/B比值大于1.006)具有較差的性質(zhì)，這是因?yàn)槊}沖電壓減小。在“a”(即，M的摩爾分?jǐn)?shù))小于0.0015的情況下(如第8號樣品情況那樣)，當(dāng)處于高溫、低氣壓下時不利地導(dǎo)致脈沖電壓明顯的減小。還有，在“a”(即M的摩爾分?jǐn)?shù))超過0.0050時-(如第9號樣品的情況那樣)，在工作溫度范圍為-40℃到50℃中脈沖電壓不利地減小。在“b”(即，R的摩爾分?jǐn)?shù))小于0.0015(如第15號樣品的情況那樣或超過0.0050(如在第11號樣品的情況那樣)的情況，無法得到高于1.8kV的脈沖電壓。在“b/a”(即M和R的摩爾分?jǐn)?shù)比)小于0.3(如第12號樣品的情況下)脈沖電壓不利地明顯減小。還有，在比值超過3的情況下(如第13號樣品的情況那樣)在面臨高溫、低氣壓時脈沖電壓不利地減小。在“Ad”(即M和R的總含量)為0.3wt.％或者更小(如第14號樣品的情況下)，在面臨高溫、低氣壓時不利地使體電阻率減小和脈沖電壓明顯減小。還有，在總含量“Ad”超過1.0wt.％的情況下(如第15號樣品的情況下)無法得到高于1.8kV的脈沖電壓。在以Si作為主要成份的氧化物(即SiO2)的含量小于0.005份重量(如第16號樣品的情況那樣)的情況下，無法得到高于1.8kV的脈沖電壓，并且不利地使AC擊穿電壓減小。當(dāng)包含有電容器的燈反復(fù)工作時，電容器趨向于引起擊穿。還有，在SiO2的含量超過0.1份重量(如在第17號樣品的情況那樣)的情況下可使脈沖電壓的減小。在ABO3表示為{(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m(Ti1-0-pZr0Hfp)O2的情況下，當(dāng)“x”(即，Sr的參數(shù))超過0.05(如第1號樣品中的情況那樣)，在50℃下無法得到高于1.8kV的脈沖電壓。但是，可以通過包含Sr，從而“x”為0.05或更小可增大脈沖電壓。在“y”(Ca的參數(shù))超過0.02的情況下(如第2號樣品的情況下使脈沖電壓不利地減小。但是，當(dāng)“y”是0.02或更小時，在高溫、低氣壓下脈沖電壓不下跌。在“z”(Mg的參數(shù))超過0.005的情況下，(如第3號樣品的情況那樣)，無法得到高于1.8kV的脈沖電壓。但是，包含Mg，(從而“z為0.005或者更小)，增加了抗還原性，并防止了在高溫、低氣壓下減小脈沖電壓。在“o+p”(“o”是Zr的參數(shù)，而“p”是Hf的參數(shù))小于0.035的情況那樣--如第4號樣品的情況那樣--不利地導(dǎo)致脈沖電壓減小。在“o+p”超過0.12的情況那樣(如第5號樣品的情況那樣)，在室溫或50℃無法得到高于1.8kV的脈沖電壓。例2生產(chǎn)與例1中的第26號樣品相應(yīng)的脈沖發(fā)生電容器A，它落在本發(fā)明第三較好范圍(相應(yīng)于權(quán)利要求4的范圍)中，并制造將電容器A裝入其外泡內(nèi)的高壓鈉燈。圖6是使用本發(fā)明的非線性電容器的高壓鈉燈的示意圖。圖7是其電路圖。標(biāo)號102表示高壓鈉燈的電弧管，而101表示起動器。作為起動器，使用本發(fā)明非線性電容器。電容器和電弧管102并聯(lián)。起動器和電弧管裝入由硬玻璃制成的外泡110的內(nèi)部。在外泡110的內(nèi)部，裝入例如鋇吸氣劑112之類的吸氣劑，外泡的內(nèi)部抽至高真空。燈頭111設(shè)置在燈泡110的端部，用于和內(nèi)部導(dǎo)體122和121建立電氣連接。通過使用連接到AC電源105的鎮(zhèn)流器104使高壓鈉燈工作。為了比較，用于備制例1中的第14號樣品的非線性介電陶瓷以和例1中所述的類似的方法生產(chǎn)。電容器落在本發(fā)明第一較佳的范圍(相應(yīng)于權(quán)利要求2的范圍)中。如圖3中所示，通過燒制，在非線性介電陶瓷的兩個主表面上形成由硅制成的電極(直徑為16mm)。另外，包含玻璃陶瓷的絕緣玻璃13設(shè)置在非線性介電陶瓷11的兩個主表面除了供電部分14外的的整個表面上。隨后，由鎳制成的引線端子15通過導(dǎo)電黏合劑16作中介而連接到供電部分14，從而引線端子通過供電部分14電氣連接到電極12，由此完成脈沖發(fā)生電容器B。還有，生產(chǎn)其外泡內(nèi)裝有電容器B的高壓鈉燈。作為另一個比較的燈，分別地生產(chǎn)一種高壓鈉燈，其外泡內(nèi)有電容器B和氫吸附劑。氫吸附劑基于重量比為87/13的Zr/Al。使用這三類燈，進(jìn)行點(diǎn)燃測試。在測試中使用和400瓦高壓汞燈(電源220V,60Hz)一起使用的鎮(zhèn)流器。點(diǎn)燃的循環(huán)由開10小時和關(guān)1小時的暗燈構(gòu)成。圖5示出產(chǎn)生的脈沖電壓對燈的點(diǎn)燃時間的變化。從圖5中顯見的，落在本發(fā)明的第三較佳的范圍(相應(yīng)于權(quán)利要求4的范圍)中的電容器A只允許脈沖電壓有較小的減小；但是，落在本發(fā)明的第一較佳的范圍(相應(yīng)于權(quán)利要求2的范圍)中的電容器B允許脈沖電壓有顯著的減小，即使是和氫吸附劑一起使用。如上所述，本發(fā)明的脈沖發(fā)生電容器由非線性介電陶瓷構(gòu)成，這種陶瓷的氣壓，并在較寬的溫度范圍內(nèi)具有陡的D-E電滯特性。還有，由于本發(fā)明的脈沖發(fā)生電容器不必由絕緣玻璃完全地覆蓋，故避免了由這種涂敷玻璃引起的特性的惡化。另外，電容器具有較高的AC介電擊穿電壓。由此，本發(fā)明可以提供一種便宜的脈沖發(fā)生電容器，即使在電容器用于高溫、高真空、低氣壓時其特性也不惡化，并且能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生高壓脈沖。還有，使用本發(fā)明的脈沖發(fā)生電容器在外泡中不需要?dú)湮絼?。由此，可能得到可靠的“?nèi)裝起動器”型高壓蒸氣放電管，它以較低成本將起動器裝在放電管的外泡的內(nèi)。權(quán)利要求1．一種在高壓蒸氣放電燈的外泡內(nèi)使用的脈沖發(fā)生電容器，其特征在于所述電容器包含由非線性介電陶瓷制成的介質(zhì)零件，它顯現(xiàn)出抗還原性。2．如權(quán)利要求1所述的脈沖發(fā)生電容器，其特征在于顯現(xiàn)出抗還原性的非線性介電陶瓷包括多晶材料，該材料包含鈦酸鋇作為主要成份，并且多晶材料表示為下述配方(1-a-b)ABO3+aM+bR其中ABO3是鈦酸鋇成份，并表現(xiàn)出鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，M是由Mn、Ni和Co組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，R是從由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，并且a和b表示摩爾分?jǐn)?shù)，A、B、a和b滿足下面的關(guān)系1.000≤A/B≤1.006(摩爾比)0.3≤b/a≤30.0015≤a≤0.0050和0.0015≤b≤0.0050由Ad表示的M和R的總含量滿足0.3＜Ad≤1.0(wt.％)。3．如權(quán)利要求1所述脈沖發(fā)生電容器，其特征在于表現(xiàn)出抗還原性的非線性介電陶瓷包含多晶材料，該材料含有鈦酸鋇作為主要成份，并且所述多晶材料表示為下述配方(1-a-b)ABO3+aM+bR其中ABO3是鈦酸鋇成份，并表現(xiàn)出鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，M是從由Mn、Ni和Co組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，R是從由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，并且a和b表示摩爾分?jǐn)?shù)，A、B、a和b滿足下面的關(guān)系1.000≤A/B≤1.006(摩爾比)0.3≤b/a≤30.0015≤a≤0.0050和0.0015≤b≤0.0050由Ad表示的M和R的總的含量滿足0.3＜Ad≤1.0(wt.％)，并且所述非線性介電陶瓷還包括含有Si作為主要成份的氧化物，對100份重量的多晶材料，所述氧化物有0.005-0.1份。4．如權(quán)利要求2或3所述的脈沖發(fā)生電容器，其特征在于當(dāng)所述ABO3(表示為{(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m(Ti1-0-pZr0Hfp)O2)時，x、y、z、o、p和m滿足下面的關(guān)系0≤x≤0.050≤y≤0.020≤z≤0.0050.0035≤o+p≤0.12(只要0≤o≤0.12和0≤p≤0.12)和1.000≤m≤1.006。5．一種介電陶瓷，包含多晶材料，所述材料含有鈦酸鋇作為主要成份，所述多晶材料表示為下面的配方(1-a-b)ABO3+aM+bR其中ABO3是鈦酸鋇成份，并表現(xiàn)出鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，M是從由Mn、Ni和Co組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，R是從由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，并且a和b表示摩爾分?jǐn)?shù)，A、B、a和b滿足下面的關(guān)系1.000≤A/B≤1.006(摩爾比)0.3≤b/a≤30.0015≤a≤0.0050和0.0015≤b≤0.0050由Ad表示的M和R的總的含量滿足0.3＜Ad≤1.0(wt.％)。6．一種介電陶瓷，包含多晶材料，所述材料含有鈦酸鋇作為主要成份，所述多晶材料表示為下面的配方(1-a-b)ABO3+aM+bR其中ABO3是鈦酸鋇成份，并表現(xiàn)出鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，M是從由Mn、Ni和Co組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，R是從由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb組成的組中選出的至少一種元素的氧化物，并且a和b表示摩爾分?jǐn)?shù)，A,B,a和b滿足下面的關(guān)系1.000≤A/B≤1.006(摩爾比)0.3≤b/a≤30.0015≤a≤0.0050和0.0015≤6≤0.0050由Ad表示的M和R的總的含量滿足0.3＜Ad≤1.0(wt.％)，并且所述介電陶瓷還包括有Si作為主要成份的氧化物，對100份重量的多晶材料，所述氧化物有0.005-0.1份重量。7．如權(quán)利要求5或6所述的介電陶瓷，其特征在于當(dāng)ABO3表示為{(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m(Ti1-0-pZr0Hfp)O2),x、y、z、o、p和m滿足下面的關(guān)系0≤x≤0.050≤y≤0.020≤z≤0.0050.0035≤o+p≤0.12(只要0≤o≤0.12和0≤p≤0.12)和1.000≤m≤1.006。8．一種高壓金屬蒸氣放電燈，使用如權(quán)利要求2或3所述的電容器作為起動器。全文摘要一種便宜的脈沖發(fā)生電容器,其特征即使在電容器在高溫、高真空、低氣壓下使用時也不惡化,并能夠在較寬的溫度范圍中產(chǎn)生高壓脈沖。電容器A的介質(zhì)體1由非線性介電陶瓷構(gòu)成,它表現(xiàn)出抗減小性。非線性介電陶瓷含有多晶材料,它該材料含有鈦酸鋇作為主要成份,多晶材料表示為(1－a－b)ABO文檔編號H01B3/12GK1236961SQ99104909公開日1999年12月1日申請日期1999年3月31日優(yōu)先權(quán)日1998年4月8日發(fā)明者佐野晴信,原田和宏,山岡修,小林真一,江角俊也,影山善隆申請人:株式會社村田制作所