專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用IC封裝密封起來的半導(dǎo)體器件及其制造方法，特別是涉及可實(shí)現(xiàn)薄型化，改善散熱性及可以實(shí)現(xiàn)多層化的半導(dǎo)體器件及其制造方法。


圖18是現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的IC封裝的斷面圖。在圖18中，1是IC(半導(dǎo)體集成電路)芯片，2是金絲，3a是芯片焊盤、4a是介以金絲2與IC芯片電連并與基板等進(jìn)行外部連接的外部引線，5a是鑄模樹脂。
示于圖18的現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中存在著下述I-III的問題。
I.由于與基板等進(jìn)行電連的外部引線4a被配置為比芯片焊盤3的位置往下，故半導(dǎo)體器件難于薄型化。
II.由于芯片焊盤3設(shè)于IC封裝主體(鑄模樹脂5a)內(nèi)部，故散熱性差。
III.由于與基板等進(jìn)行外部接觸的外部引線4a僅僅配置在半導(dǎo)體器件的下邊的一個(gè)方向，故半導(dǎo)體器件的多層化是困難的。
本發(fā)明就是為了解次這些問題而創(chuàng)造出來的，目的是提供一種可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的薄型化、可改善散熱性、可實(shí)現(xiàn)多層化的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
本發(fā)明的第1方面的課題解決方法具備有半導(dǎo)體集成電路芯片，把上述半導(dǎo)體集成電路芯片設(shè)置于一側(cè)的主面上的連接板，把上述半導(dǎo)體集成電路芯片和上述連接板的上述一側(cè)的主面覆蓋起來的半導(dǎo)體器件的封裝主體，并使上述連接板的另一側(cè)的主面從上述封裝主體中露出來。
本發(fā)明的第2方面的課題解決方法還具備有外部端子，該外部端子與上述半導(dǎo)體集成電路芯片電連，并被形成為從與上述連接板的上述另一側(cè)的主面的同一平面一直到與該另一側(cè)的主面相反一側(cè)的上述封裝主體的表面一側(cè)。
本發(fā)明的第3方面的課題解決方法中，形成于上述外部端子的上述封裝主體的表面一側(cè)的部分和上述封裝主體的表面是同一平面。
本發(fā)明的第4方面的課題解決方法在上述外端子之內(nèi)還具備有把與外部之間進(jìn)行連接部分之外的部分蓋住的保護(hù)材料。
本發(fā)明的第5方面的課題解決方法，在上述外部端子的與外部之間的連接部分上還具備有用于把上述外部端子與上述外部進(jìn)行電連的連接材料。
本發(fā)明的第6方面的課題解決方法中，上述外部端子在與外部之間的連接部分上有凸出部分。
本發(fā)明的第7方面的課題解決方法中。上述外部端子由多個(gè)外部端子構(gòu)成，每一上述外部端子都在與外部之間的連接部分上有凸出部分，而且每一上述凸出部分都被配置為交錯(cuò)狀(stagger)。
本發(fā)明的第8方面的課題解決方法還具備有與上述半導(dǎo)體集成電路芯片尚未電連的虛設(shè)端子。
本發(fā)明的第9方面的課題解決方法把多個(gè)第2方面所述的半導(dǎo)體器件堆疊起來并把各自的外部端子電連起來。
本發(fā)明的第10方面的課題解決方法還具備有用于把多個(gè)第2方面所述的半導(dǎo)體器件連接起來的框架。
本發(fā)明的第11方面的課題解決方法具有下述工序在與連接板同一平面上準(zhǔn)備外部端子的工序；把半導(dǎo)體集成電路芯片設(shè)置到上述連接板的表面上并進(jìn)行電連的工序；電連上述半導(dǎo)體集成電路芯片和上述外部端子的工序；形成半導(dǎo)體器件的封裝主體，把上述連接板的表面一側(cè)和與其同側(cè)的上述外部端子的一部分覆蓋起來的工序；把上述外部端子沿著上述封裝主體一直彎曲到該封裝主體的表面一側(cè)的工序。
倘采用本發(fā)明的第1方面的發(fā)明，由于連接板的另一側(cè)的主面從封裝主體中露了出來，故具有可以改善散熱性的效果。
倘采用本發(fā)明的第2方面的發(fā)明，則借助于已把連接板和連接到外部端子的外部的連接部分形成于同一平面上故可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的薄型化，由于外部端子被形成為從與連接板的另一側(cè)的主面相同的平面一直到與該另一側(cè)的主面相反一側(cè)的封裝主體的表面一側(cè)，故具有可使半導(dǎo)體器件多層化的效果。
倘采用本發(fā)明的第3方面的發(fā)明，則具有可以防止外部端子彎曲封裝主體的外側(cè)方向且在把連接材料供給到與外部端子的外部之間的連接部分上時(shí)可以采用通常的網(wǎng)板印刷法的效果。
倘采用本發(fā)明的第4方面的發(fā)明，則具有可以防止連接材料在與外部的基板連接時(shí)流入連接板與外部端子之間的間隙中去的效果。
倘采用本發(fā)明的第5方面的發(fā)明，則由于已在外部端子上形成了用于進(jìn)行與外部的基板等連接的連接材料，故具有在裝配時(shí)不用供給連接材料就可以進(jìn)行與外部的基板等的連接的效果。
倘采用本發(fā)明的第6方面的發(fā)明，則由于外部端子在與外部之間的連接部分上有凸出部分故具有可以吸收裝配時(shí)的半導(dǎo)體器件的偏移并可在裝配時(shí)得到充分的連接材料的連接性的效果。
倘采用本發(fā)明的第7方面的發(fā)明，由于把凸出部分設(shè)置為交錯(cuò)(stagger)狀，故具有使一側(cè)的外部端子的凸出部分與另一側(cè)的相鄰?fù)獠慷俗又g的距離變寬，從而可以改善焊錫的橋接的效果。
倘采用本發(fā)明的第8方面的發(fā)明，則在已把具有虛設(shè)端子的第2方面的發(fā)明所述的半導(dǎo)體器件多層化了的情況下，具有可以防止本來尚未連接的外部端子彼此之間電連的效果。
倘采用本發(fā)明的第9方面的發(fā)明，由于把第2方面的發(fā)明所述的半導(dǎo)體器件多個(gè)堆疊而多層化，故可以減小裝配面積且可實(shí)現(xiàn)高密度裝配化和大容量化。
倘采用本發(fā)明的第10方面的發(fā)明，則由于用框架進(jìn)行連接。故具有抑制多層時(shí)的半導(dǎo)體器件的位置偏離的效果。
倘采用本發(fā)明的第11方面的發(fā)明，則具有可以得到第2方面的發(fā)明所述的半導(dǎo)體器件。
下邊簡(jiǎn)單說明附圖。
圖1是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的斷面圖。
圖2示出了本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖3示出了本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖4示出了本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖5示出了本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖6是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體器件的斷面圖。
圖7是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)3的半導(dǎo)體器件的斷面圖。
圖8是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4的半導(dǎo)體器件的斷面圖。
圖9是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的半導(dǎo)體器件的斷面圖。
圖10是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)6的半導(dǎo)體器件的斷面圖和進(jìn)行與基板等之間的外部連接的外部引線的連接部分的放大圖。
圖11是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)7的半導(dǎo)體器件的斷面圖和進(jìn)行與基板等之間的外部連接的外部引線的連接部分的放大圖。
圖12是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)8的半導(dǎo)體器件的多層裝配時(shí)的斷面圖。
圖13是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)9的半導(dǎo)體器件的多層裝配時(shí)的斷面圖。
圖14的示意圖給出了在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的多層裝配時(shí)，用分配印刷法向半導(dǎo)體器件供給焊錫的方法。
圖15的示意圖給出了在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的多層裝配時(shí)，用網(wǎng)板印刷法向半導(dǎo)體器件供給焊錫的方法。
圖16的示意圖給出了在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的多層裝配時(shí)，用電鍍法向半導(dǎo)體器件供給焊錫的方法。
圖17是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的虛設(shè)引線的平面圖。
圖18是現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的斷面圖。
實(shí)施形態(tài)實(shí)施形態(tài)1圖1是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的斷面圖。在該圖中，1是IC(半導(dǎo)體集成電路)芯片、2是金絲、3b是作為要搭載IC芯片1的連接板的芯片焊盤、4b是介以金絲2和IC芯片1電連并進(jìn)行與基板等之間的外部連接的外部引線(外部端子)、5b是作為IC封裝主體的鑄模樹脂。
其次，對(duì)本實(shí)施形態(tài)中的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成進(jìn)行說明。IC芯片1被連接到芯片焊盤3b上。鑄模樹脂5b把IC芯片1、金絲2和芯片焊盤3b覆蓋起來。但是，芯片焊盤的背面(圖的下側(cè))從鑄模樹脂中露出來。外部引線4b介以金絲2與IC芯片電連、并形成為從與芯片焊盤3b之間的同一平面沿著鑄模樹脂5b的側(cè)壁一直到與芯片焊盤3b相反一側(cè)的鑄模樹脂5b的表面一側(cè)(圖的上側(cè))的形狀。另外，在與外部的基板(沒有畫出來)之類之間進(jìn)行裝配時(shí)，外部引線4b連接到該外部基板等等上。
其次對(duì)示于圖1的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說明。首先參看圖2，在與芯片焊盤3b同一平面上準(zhǔn)備外部引線4b，并把IC芯片1連到芯片焊盤3b的表面(圖中上側(cè))上(粘芯片)。接著，參看圖3，形成使IC芯片1與外部引線4b電連的金絲2(金絲壓焊)。其次參看圖4，形成把芯片焊盤3b的表面一側(cè)和芯片焊盤3b的表面一側(cè)的外部引線4b的一部分蓋起來的鑄模樹脂5b(鑄模形成)使得把IC芯片1和金絲2蓋起來。其次參看圖5，把外部引線4b切斷成必要的長(zhǎng)度(切引線)。接著，沿著鑄模樹脂5b彎曲外部引線4b，使外部引線4b存在于從芯片焊盤3b的背面到其相反一側(cè)的鑄模樹脂5b的表面一側(cè)(彎引線)，這樣，示于圖2的半導(dǎo)體器件就完成了。
倘采用本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件，則有下述①～③的效果。①由于在同一平面上形成芯片焊盤3b和把外部引線4b連到外部的基板等等上去的連接部分，故可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的薄型化；②由于使芯片焊盤3b從鑄模樹脂5b中露出來，故可以改善散熱性；③由于使外部引線4b沿著鑄模樹脂5b在半導(dǎo)體器件的上下(鑄模樹脂5b的表面一側(cè)和芯片焊盤的外露一側(cè))，故可使半導(dǎo)體器件多層化。
實(shí)施形態(tài)2圖6是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體器件的斷面圖。在圖6中，5c是作為IC封裝主體的鑄模樹脂，其他的標(biāo)號(hào)與圖1中的標(biāo)號(hào)相對(duì)應(yīng)。
其次對(duì)本實(shí)施形態(tài)中的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成進(jìn)行說明。把外部引線4b的在鑄模樹脂5c的表面一側(cè)(圖中上側(cè))上形成的部分構(gòu)成為與鑄模樹脂5c的表面為同一平面。其余的構(gòu)成與實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成相同。在圖6的半導(dǎo)體器件的鑄模樹脂5c的表面一側(cè)，例如如后邊要講的實(shí)施形態(tài)8所示，用焊錫之類的連接材料把本發(fā)明的半導(dǎo)體器件連接上去。
倘采用本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件，則除了上述①～③的效果之外，由于把外部引線4b在鑄模樹脂5c的表面一側(cè)上形成的部分作成為與鑄模樹脂5c的表面為同一平面，故可以防止引線彎曲(外部引線4b彎向鑄模樹脂5c的外側(cè)方向)，且在供給焊錫之類的連接材料時(shí)可以采用通常的網(wǎng)板印刷法。
實(shí)施形態(tài)3圖7是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)3的半導(dǎo)體器件的斷面圖。在圖7中，6是作為保護(hù)材料的鑄模樹脂，它把芯片焊盤3b的外露面一側(cè)的外部引線4b的與外部的基板等等(未畫出)之間的連接部分之外的部分覆蓋起來。其他的標(biāo)號(hào)與圖1中的標(biāo)號(hào)相對(duì)應(yīng)。
其次對(duì)本實(shí)施形態(tài)中的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成進(jìn)行說明。外部引線4b之內(nèi)，除去與外部基板等(未畫出)相連接部分之外的部分用鑄模樹脂6蓋了起來。其余的構(gòu)成與實(shí)施形態(tài)1的構(gòu)成一樣。特別是在圖7所示的半導(dǎo)體器件中，示出的是在外部引線4b的與外部基板等的連接部分之外的部分之內(nèi)，把存在于芯片焊盤3b的外露面一側(cè)的外部引線4b與芯片焊盤3b之間的間隙用鑄模樹脂6蓋起來的情況。
倘采用本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件，則除了上述①～③之外，還由于已用鑄模樹脂6把外部引線4b的與外部的基板等之間的連接部分之外的部分蓋了起來，故可以防止用于把外部的基板等與外部引線4b之間連接起來的焊錫之類的連接材料流入到芯片焊盤3b與外部引線4b之間的間隙中去。
實(shí)施形態(tài)4圖8是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4的半導(dǎo)體器件的斷面圖。在圖8中，7是作為保護(hù)材料的阻焊劑，用于把芯片焊盤3b的外露面一側(cè)的外部引線4b的與外部的基板等之間的連接部分以外的部分覆蓋起來，其余的標(biāo)號(hào)與圖1中的標(biāo)號(hào)對(duì)應(yīng)。
其次對(duì)本實(shí)施形態(tài)中的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成進(jìn)行說明。外部引線4b之內(nèi)，把與外部的基板等等(未畫出)之間的連接部分以外的部分用阻焊劑蓋了起來。除此之外的構(gòu)成與實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成一樣。特別是在示于圖8的半導(dǎo)體器件中，示出的是把在外部引線4b的與外部的基板等等之間的連接部分以外的部分之內(nèi)，存在于芯片焊盤3b的外露面一側(cè)的外部引線4b與芯片焊盤3b之間的間隙用阻焊劑蓋起來的情況。
倘采用本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件，則除了上述①～③之外，由于已用阻焊劑7把外部引線4b的與外部的基板等之間的連接部分以外的部分蓋了起來。故可以防止用于把外部引線4b與外部的基板等等之間連接起來的焊錫之類的連接材料流入到芯片焊盤3b與外部引線4b之間的間隙中去。
實(shí)施形態(tài)5圖9是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的半導(dǎo)體器件的斷面圖。在圖9中，8是作為用于與外部的基板等等進(jìn)行連接的連接材料的焊錫球，其余的標(biāo)號(hào)與圖1中的標(biāo)號(hào)相對(duì)應(yīng)。
其次對(duì)本實(shí)施形態(tài)中的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成進(jìn)行說明。這是一種在外部引線4b的與外部的基板等之間的連接部分上形成了焊錫球8的構(gòu)成。除此之外的構(gòu)成與實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成一樣。特別是示于圖9的半導(dǎo)體器件的焊錫球形成于外部引線4b的芯片焊盤3b的外露面一側(cè)。
倘采用本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件，則除了上述①～③之外，由于在外部引線4b上已形成了用于與外部的基板等進(jìn)行連接的焊錫球8，故在裝配時(shí)無需供給焊錫就可以進(jìn)行與外部的基板等等之間的連接。
實(shí)施形態(tài)6圖10是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)6的半導(dǎo)體器件的外部引線4b的放大圖。在圖10中，4c是是設(shè)于外部引線4b的與外部的基板等之間的連接部分上的凸出部分，除此之外的標(biāo)號(hào)與圖1中的標(biāo)號(hào)相對(duì)應(yīng)。
其次對(duì)本實(shí)施形態(tài)中的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成進(jìn)行說明。這是一種在外部引線4b的與外部之間的連接部分上有凸出部分的構(gòu)成。除此之外的構(gòu)成與實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成一樣。特別是圖10所示的半導(dǎo)體器件的外部引線4b，在鑄模樹脂5b的表面一側(cè)(圖中上側(cè))和芯片焊盤3b的外露面一側(cè)上，在各自的外部引線4b的與外部的基板等之間的連接部分上有凸出部分4c。
倘采用本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件，則除去上述①～③之外，還要加上④由于外部引線4b在與外部之間的連接部分上有凸出部分4c，故可以吸收裝配時(shí)的半導(dǎo)體器件偏離且可以得到裝配時(shí)充分的焊錫連續(xù)性。
實(shí)施形態(tài)7圖11是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)7的半導(dǎo)體器件的外部引線4b的放大圖。在圖11中，4d是設(shè)于外部引線4b的與外部的基板等的連接部分上的凸出部分，除此之外的標(biāo)號(hào)與圖1中的標(biāo)號(hào)相對(duì)應(yīng)。
其次對(duì)本實(shí)施形態(tài)中的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成進(jìn)行說明。這是一種外部引線4b的與外部之間的連接部分有凸出部分4d且相鄰的外部引線4b的凸出部分4d形成為相互配置不相同的交錯(cuò)狀的構(gòu)成。此外的構(gòu)成與實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成相同。特別是示于圖11的半導(dǎo)體器件的外部引線4b，在鑄模樹脂5b的表面一側(cè)(圖中上側(cè))和芯片焊盤3b的外露面一側(cè)，在各自的外部引線4b的與外部的基板等之間的連接部分上有交錯(cuò)狀地配置的凸出部分4d。
倘采用本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件，則除去上述①～③之外，還要加上④由于已把相鄰的外部引線4b的凸出部分4d配置為交錯(cuò)狀，故一側(cè)的外部引線4b的凸出部分4d與另一側(cè)的外部引線4b之間的距離變寬，故可以改善焊錫之類的連接材料的橋接。
實(shí)施形態(tài)8圖12是一斷面圖，它示出了本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)8的半導(dǎo)體器件，且示出的是把圖1的半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件多層地重疊起來并裝到了基板上的情況。在圖12中，9是用于把已重疊成多層半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體彼此之間物理性地、電氣性地連接起來的焊錫，10是外部的基板，除此之外的標(biāo)號(hào)與圖1中的標(biāo)號(hào)相對(duì)應(yīng)。
其次對(duì)本實(shí)施形態(tài)中的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖12所示，這是一種把多個(gè)圖1中的半導(dǎo)體器件用焊錫9把各自的外部引線4b彼此之間進(jìn)行物理的、電氣的連接，使半導(dǎo)體器件上下式地重疊成多層化的構(gòu)成。此外，除去圖1中的半導(dǎo)體器件之外，也可使圖6～圖11的半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件多層化。此外，也可把圖6～圖11的若干種半導(dǎo)體器件組合起來形成多層化。
倘采用本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件，則借助于多層化可以縮小裝配面積且可大容量化。
實(shí)施形態(tài)9圖13是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)9的半導(dǎo)體器件的斷面圖，示出的是把圖1的半導(dǎo)體器件堆疊成多層而裝配在基板上的情況。在圖12中，10是基板，11是連接半導(dǎo)體器件的引線框架，除此之外的標(biāo)號(hào)與圖1中的標(biāo)號(hào)相對(duì)應(yīng)。
其次對(duì)圖13的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖13所示，這是一種采用把多個(gè)圖1中所示的半導(dǎo)體器件，用引線框架11把各自的外部引線4b彼此之間進(jìn)行物理的和電氣的連接的辦法把半導(dǎo)體器件上下地堆疊起來形成多層化的構(gòu)成。另外，除去圖1的半導(dǎo)體器件之外，也可使圖6～圖11的半導(dǎo)體器件多層化。另外，也可以把圖1～圖11的若干種半導(dǎo)體器件組合起來多層化。
倘采用本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件，由于多層化，故可以縮小裝配面積且可以大容量化。此外，采用引線框架11進(jìn)行連接。故可以抑制多層時(shí)的半導(dǎo)體器件的位置偏離。
作為用于把本發(fā)明的半導(dǎo)體器件堆疊成多層時(shí)的連接的焊錫的供給方法，可以使用圖14所示的那種應(yīng)用分配器12來供給焊錫的分配法，用圖15所示的那種涂刷器(スキ一ジ)13a介以掩模13c供給焊錫13b的網(wǎng)板印刷法，和圖16所示的在與外部之間的連接部分上形成焊錫鍍層14的電鍍法。
此外，如實(shí)施形態(tài)8，9所示，在把半導(dǎo)體器件作成多層化的情況下，把物理上配置在相同位置上的外部引線彼此之間進(jìn)行物理的和電氣的連接。但是，因外部引線的不同，有時(shí)候不進(jìn)行電連(令這種外部引線為4e，4f)。圖17中示出了防止這種情況的實(shí)施形態(tài)1～實(shí)施形態(tài)7的半導(dǎo)體器件的變形例。還有，圖17是從沒有畫出來的鑄模樹脂的表面方向看的圖，半導(dǎo)體器件100，101相當(dāng)于實(shí)施形態(tài)1～實(shí)施形態(tài)7的任何一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件100的虛設(shè)引線(引線端子)4g與在實(shí)施形態(tài)1～7中已說明過的外部引線4b主要部分是一樣的，但沒有與IC芯片1a電連。半導(dǎo)體器件101的虛設(shè)引線(引線端子)4h也與此相同。當(dāng)使半導(dǎo)體器件100的表面與半導(dǎo)體器件101的背面相向地多層化時(shí)，則虛設(shè)引線4g與外部引線4f，外部引線4e與虛設(shè)引線4h將分別物理上連接。因此外部引線4e和4f不進(jìn)行電連。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，具備半導(dǎo)體集成電路芯片；把上述半導(dǎo)體集成電路芯片設(shè)置于一側(cè)的主面上的連接板；把上述半導(dǎo)體集成電路芯片，上述連接板的上述一側(cè)的主面蓋起來的半導(dǎo)體器件的封裝主體；上述連接板的另一側(cè)的主面從上述封裝主體中露出。
2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還具備有外部端子，該外部端子與上述半導(dǎo)體集成電路芯片電連，并形成為從與上述連接板的上述另一側(cè)主面的同一平面一直到與該另一側(cè)的主面相反一側(cè)的上述封裝主體的表面一側(cè)。
3.權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，上述外部端子的形成于上述封裝主體的表面一側(cè)的部分與上述封裝主體的表面為同一平面。
4.權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還具備把上述外部引線之中，與外部之間的連接部分以外的部分蓋起來的保護(hù)材料。
5.權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，在上述外部端子的與外部之間的連接部分上還具備有用于把上述外部端子與上述外部電連起來的連接材料。
6.權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，上述外部端子在與外部之間的連接部分上有凸出部分。
7.權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件上述外部端子由多個(gè)外部端子構(gòu)成；每一上述外部端子都在與外部之間的連接部分上有凸出部分，且每一個(gè)上述凸出部分都被配置成交錯(cuò)狀。
8.權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還具備有與上述半導(dǎo)體集成電路芯片未進(jìn)行電連的虛設(shè)端子。
9.一種半導(dǎo)體器件，它把多個(gè)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件堆疊起來，并把各自的上述外部端子電連起來。
10.權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還具備有用于把多個(gè)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件連接起來的框架。
11.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，具備下述工序在與連接板同一平面上準(zhǔn)備外部端子的工序；把半導(dǎo)體集成電路芯片設(shè)置于上述連接板的表面上并進(jìn)行電連的工序；把上述半導(dǎo)體集成電路芯片與上述外部端子電連的工序；形成把上述連接板的表面一側(cè)以及與之處于相同一側(cè)的上述外部端子的一部分蓋起來的半導(dǎo)體器件的封裝主體的工序；把上述外部端子沿著上述封裝主體一直彎到該封裝主體的表面一側(cè)的工序。
全文摘要
一種可實(shí)現(xiàn)薄型化、可改善散熱性，并可多層化的半導(dǎo)體器件及其制造方法。用鑄模樹脂5b把IC芯片1、金絲2、芯片焊盤3b的一部分蓋起來。芯片焊盤3b從鑄模樹脂5b中露出來。把外部引線4b形成為從與芯片焊盤3b的外露面同一平面，沿著鑄模樹脂5b一直到與芯片焊盤3b相反一側(cè)的鑄模樹脂5b的表面一側(cè)。因此，可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的薄型化。因使芯片焊盤外露，故可以改善散熱性，并借助于把外部引線4b形成于鑄模樹脂5b的上下，故使半導(dǎo)體器件的多層化成為可能。
文檔編號(hào)H01L25/10GK1160934SQ9611791
公開日1997年10月1日 申請(qǐng)日期1996年12月23日 優(yōu)先權(quán)日1996年3月27日
發(fā)明者石井秀基 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社