專利名稱：帶有公共基區(qū)的晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別是具有公共基區(qū)的晶體管以及具有高效實(shí)用布局的晶體管。
過去的垂直類型的晶體管，例如功率MOSFET(金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，包含限定出各獨(dú)立有源區(qū)的分隔開的基區(qū)單元。在含有多個(gè)這種區(qū)域的典型器件芯片中，這些區(qū)域在電學(xué)上相互耦合在一起，使得它們起一個(gè)單一的晶體管的作用。多個(gè)分割開的單元有一定的缺點(diǎn)。例如為了得到最大功率必須將每一只管芯的基區(qū)一發(fā)射區(qū)短接在一起。此外，單元拐角部分對(duì)擊穿電壓有不良影響。
進(jìn)一步說，某些可替代這些單元的晶體管結(jié)構(gòu)，例如條狀結(jié)構(gòu)，更引起特有的弱點(diǎn)。例如條型設(shè)計(jì)的晶體管本身含有延伸的柵指。對(duì)這些延伸的柵指必須制作電極接觸以便開關(guān)晶體管。通常延伸的柵指的電連接制作在它們的端部。這樣就產(chǎn)生一個(gè)沿長(zhǎng)度方向而改變的電阻。因而，導(dǎo)致晶體管特性沿柵指長(zhǎng)度方向改變。本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識(shí)到這一現(xiàn)象是所不期望的。
因此，需要的是這樣的晶體管，它可避免單獨(dú)的分隔單元所有的問題。更進(jìn)一步說，所需要的晶體管應(yīng)具有高效和實(shí)用的設(shè)計(jì)，其特性參數(shù)在器件的不同部位沒有顯著的改變。


圖1是按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例而畫出的一個(gè)垂直MOS晶體管的剖面簡(jiǎn)圖;
圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的俯視簡(jiǎn)圖;
圖3是本發(fā)明另一實(shí)施例的晶體管的剖面簡(jiǎn)圖;
圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例的局部俯視圖;
圖5是本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例晶體管的剖面簡(jiǎn)圖;
圖6是說明一個(gè)晶體管管芯設(shè)計(jì)的俯視簡(jiǎn)圖，該晶體管管芯設(shè)計(jì)包括已構(gòu)成圖型的多晶硅柵指;
圖7是圖6所示半導(dǎo)體管芯的俯視圖，它另外包括一個(gè)金屬層;
圖8是表示晶體管一部分的局部剖面簡(jiǎn)圖;
圖9是圖6中一部分的放大視圖。
一般來說，本發(fā)明的一個(gè)最佳實(shí)施例是一個(gè)金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)它帶有一個(gè)公共“基區(qū)”。根據(jù)一般的工業(yè)常識(shí)，該基區(qū)有時(shí)指的是體區(qū)、槽或阱。在工業(yè)上的一個(gè)典型的增強(qiáng)型N溝MOSFET晶體管中，基區(qū)是一種P+和P型摻雜的結(jié)構(gòu)區(qū)域，用于為場(chǎng)效應(yīng)晶體管提供溝道區(qū)。根據(jù)工業(yè)常識(shí)，人們會(huì)理解到類似的技術(shù)也應(yīng)用于絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和P溝MOSFET。這種具有單個(gè)公共基區(qū)的器件消除了在分隔單元的器件中發(fā)現(xiàn)的外部角區(qū)，因此改善了擊穿電壓。此外，單一公共基區(qū)器件也降低了開放基區(qū)的雪崩注入的可能性。
為了更詳細(xì)理解，我們可參考附圖。圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的MOSFET晶體管的局部剖面圖。更準(zhǔn)確地說，MOSFET100是一種垂直堆垛式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。晶體管100是一個(gè)增強(qiáng)型N溝MOSFET，它包含N+襯底102。在襯底102上用工業(yè)上熟知的方法生長(zhǎng)N型外延層104達(dá)足夠的厚度。
P型區(qū)106是較大公共基區(qū)的一部分，這將在圖2的俯視圖中作進(jìn)一步的說明。P型區(qū)106含有P+區(qū)108(即此區(qū)較低處的凸起)和P型區(qū)110(此區(qū)較高處的凸起)。
晶體管100還包含N+摻雜的源區(qū)112。源區(qū)112處在公共基區(qū)106的上凸起110中。
此外，晶體管100還包括一個(gè)改善器件某些工作參數(shù)的N型摻雜層114。層114有時(shí)稱為預(yù)柵(pre-gate)注入層，因?yàn)樗谥谱髌骷臇艠O之前形成。112區(qū)和114層的N型摻雜被認(rèn)為是第一類摻雜。具體地說，層114降低晶體管的開態(tài)電阻。
氧化層116在晶體管100的第一表面118上。其邊緣重疊在公共基區(qū)106的上凸起部分110和源區(qū)112上。柵區(qū)120重蓋在氧化層116上。具有工業(yè)常識(shí)的人一定熟悉圖1所示MOSFET器件的工作原理以及制作圖示器件所用的工藝，并理解晶體管100在第一表面118和第二表面122之間垂直傳導(dǎo)電流，該第二表面即底面，它平行于第一表面118。
現(xiàn)在返回圖2，圖2特別說明本發(fā)明此實(shí)施例的一個(gè)重要的新穎特性。更具體地說，圖2是按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例繪出的晶體管200的俯視簡(jiǎn)圖。如帶有標(biāo)號(hào)1的虛線所示，晶體管200包括圖1所示的晶體管部分100。晶體管200包含單公共基區(qū)202。單公共基區(qū)202包括P+區(qū)204和P區(qū)206。圖2中定義區(qū)206的線只用于指示P-型密度由P+到P-之間的過度區(qū)。為了更好地理解可參考圖1，P+區(qū)204相當(dāng)基區(qū)106的下凸起部分108，P型區(qū)206相當(dāng)基區(qū)106的上凸起部分110。此外，源區(qū)112可由圖2的俯視圖看到。而且，柵120也示于圖2的俯視圖中。
晶體管部分208的柵在圖2中被拿開，結(jié)果顯示出柵極下面的詳細(xì)情況。更準(zhǔn)確地說，外延層210被暴露出來。再參考圖1，外延層210與柵120正下方的區(qū)124相似。
圖2所示的俯視圖披露了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的晶體管200的某些重要特性。晶體管200包括具有幾個(gè)暴露出外延部分(即區(qū)210)的小區(qū)的單公共基區(qū)202。由于這種特殊實(shí)施例的幾何結(jié)構(gòu)，將單公共基區(qū)202考慮成是條型基區(qū)。將這些條塊考慮成在圖中在這些外延區(qū)210之間縱向延伸。晶體管200和類似的晶體管至少包括兩個(gè)這種延伸的基區(qū)部分或條塊組成。這些條被基區(qū)邊界212結(jié)合成一個(gè)整體?；鶇^(qū)邊界212是公共基區(qū)202的矩形外邊。
參照?qǐng)D2，源區(qū)112形成在公共基區(qū)202中的部分208中。更確切地說，在所示實(shí)施例中，源區(qū)112是相對(duì)平行延伸的區(qū)域。復(fù)蓋基區(qū)202和源區(qū)112的是柵區(qū)120。在所示實(shí)施例中，柵區(qū)120由延伸的柵區(qū)或柵指組成。
圖3是晶體管200的部分208的又一實(shí)施例的剖面簡(jiǎn)圖。圖3所示實(shí)施例與圖1所示實(shí)施例之間的一個(gè)明顯差別是氧化層316的結(jié)構(gòu)。氧化層316有一個(gè)中心部分318和邊緣部分319。中心部分318高于邊緣部分319。柵氧化層316的結(jié)構(gòu)可用普通的制作工藝實(shí)現(xiàn)。在柵氧化層316上形成多晶柵320。由于柵氧化層316的形狀，多晶硅柵320包括一個(gè)高起來的中心區(qū)321和周邊部分322。中心區(qū)321高于周邊部分322。
柵氧化層316和多晶硅柵320的這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是降低了器件的柵漏電容。具有工業(yè)常識(shí)的人肯定懂得，漏被認(rèn)為是在器件底面324上的電接觸。此外，層316和柵321的結(jié)構(gòu)具有這樣一種效應(yīng)，它使預(yù)柵注入層326在柵320的中心部分321下面不連續(xù)。在柵中心區(qū)域的這種不連續(xù)性改善了工作參數(shù)，例如，改善了高壓器件中的開態(tài)電阻。
圖4說明本發(fā)明的晶體管的另一個(gè)實(shí)施例。確切地說，圖4的晶體管400與圖2的晶體管200非常類似，只是某些相鄰的源區(qū)被橫向連接起來。更具體地說，延伸的源區(qū)402經(jīng)由區(qū)404與相鄰的延伸源區(qū)連接在一起。區(qū)404是N+摻雜的，在性質(zhì)上類似于延伸源區(qū)402。這種橫跨連接的優(yōu)點(diǎn)由圖5說明。
圖5是一個(gè)按圖4設(shè)計(jì)的晶體管的局部剖面圖。確切地說，圖5展示了兩個(gè)器件部分500和502。圖5結(jié)構(gòu)與圖1的結(jié)構(gòu)十分類似。此外，圖5還顯示了一個(gè)復(fù)蓋多晶硅柵506的隔離氧化層504。在隔離氧化層504的頂部是金屬層508。如眾所周知，金屬層508提供器件的源電極。因此，要意識(shí)到金屬層504與延伸源區(qū)510接觸是非常重要的。
隨著器件密度的增加，在晶體管部分500和502之間的總面積中將只有很少的空間可供加長(zhǎng)延伸的源區(qū)510。然而，一個(gè)優(yōu)良的與金屬層508的電接觸是必不可少的。因此，提供了橫向連接區(qū)512。橫向互連區(qū)512使金屬層508與延伸源區(qū)510達(dá)到充分、基本的電接觸，因此，可以達(dá)到較高的封裝密度。
圖6說明本發(fā)明一個(gè)完整的晶體管管芯的特別有效和實(shí)用的設(shè)計(jì)。為了最清楚地說明此管芯的設(shè)計(jì)，圖6示出了圖形化的多晶硅602，其制作的柵指由柵指604、606、608和610表示。為了增加對(duì)圖6的理解，可以將圖6與圖2的簡(jiǎn)圖聯(lián)系起來看。更確切地說，圖6的柵指604相應(yīng)于圖2的柵指120。管芯600圖形化的多晶硅的窗孔612相當(dāng)于圖2兩柵指120之間的窗孔。參照?qǐng)D2可以看到，此窗孔暴露出了源區(qū)112。然而，為了清楚起見，源區(qū)(例如圖2的112)的詳情并未在圖6的窗孔612中顯示出來。無論如何，應(yīng)該了解到，這些源區(qū)在整個(gè)圖形化多晶柵602上由窗孔露出來。
為了理解此設(shè)計(jì)的特點(diǎn)再次返回到圖6。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可理解，為了使管芯600的晶體管器件正常工作，必須對(duì)包括以柵指604、606、608和610所表示的所有柵指以及以窗孔612代表的圖形化多晶硅602中被這些窗孔所暴露出的源接觸區(qū)制作電接觸。此外，應(yīng)了解必須在樣品600的底面制作一個(gè)第三個(gè)“漏”電極接觸，這在圖中未表示出來。為了簡(jiǎn)化并降低管芯的制造成本，人們希望把柵指和柵指間的源區(qū)的電接觸制作在同一金屬層上。這一思想?yún)⒖紙D7可以得到更好的理解。
圖7說明圖6的管芯600，該管芯進(jìn)一步包括有一復(fù)蓋管芯的單層金屬層。參照?qǐng)D6和圖7可以看到，金屬層700的部分702提供與圖型化柵指的電接觸，而部分704提供到由多晶硅柵指604、606、608和610暴露出窗孔612中的源區(qū)的電接觸。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解在金屬層700形成之前，首先在形成部分704的區(qū)域形成一介電層，用以復(fù)蓋圖形化多晶硅602。因此，金屬層704接觸到源區(qū)(即612)，并且與柵指604絕緣。進(jìn)一步還可以看到，由間隙706使接觸到多晶硅柵指的金屬層部分702與接觸到源區(qū)的金屬層部分704在電學(xué)上隔離。
為了進(jìn)一步解釋這一設(shè)計(jì)再回到圖6。從圖6可以看到，這一設(shè)計(jì)力圖縮短?hào)胖?04的長(zhǎng)度，在此，長(zhǎng)度指的是由柵指最遠(yuǎn)點(diǎn)到柵極饋電網(wǎng)絡(luò)的距離。柵極饋電網(wǎng)絡(luò)是圖形化多晶硅層602處在圖7金屬層702的下方的那部分。因此，柵極饋電網(wǎng)絡(luò)包括延伸的饋電指614和616，以及周邊環(huán)618。
縮短?hào)胖傅拈L(zhǎng)度是所期望的，因?yàn)闁胖傅碾娮枋茄亻L(zhǎng)度增加的。結(jié)果導(dǎo)致晶體管的工作參數(shù)也相應(yīng)地沿柵指長(zhǎng)度變化。因此，柵指必須縮短到這樣的程度，以使晶體管工作參數(shù)沿柵指長(zhǎng)度沒有明顯的變化。
圖6所示的設(shè)計(jì)借助柵極饋電網(wǎng)絡(luò)提供相對(duì)短的柵指長(zhǎng)度。該網(wǎng)絡(luò)包括兩個(gè)延伸的饋電指614、616以及周邊環(huán)618。對(duì)給定的這一結(jié)構(gòu)，可以看到，所有的柵指由用箭頭620指示的管芯的“上部”部分組成，其柵指長(zhǎng)度小于管芯600長(zhǎng)度的1/6。這是因?yàn)槊總€(gè)柵指都自兩面饋電，而且饋電指將管芯分為三段。應(yīng)注意到610表示的柵指由于處于金屬層區(qū)706之下的多晶硅部分622(圖7)而小得多，金屬層區(qū)706在樣品600封裝時(shí)提供與焊絲的鍵合。
為了得到好的晶體管性能，上部部分620中第一組柵指具有適當(dāng)長(zhǎng)度。人們可能會(huì)問，為什么饋電指614和616沒有橫跨管芯600的整個(gè)寬度以使所有柵指具有相同的長(zhǎng)度。圖7揭示了其答案。參照?qǐng)D7，人們注意到，如果饋電指614和616橫跨管芯600的整個(gè)寬度，則金屬層704就被分為三個(gè)分開的不相鄰的電學(xué)上不連接的部分。然而，應(yīng)該記住，在制作過程中我們希望通過金屬層部分704用單一焊絲710與器件的源區(qū)相連。因此，金屬層部分704必須是鄰近的。
回到圖6，現(xiàn)在可以理解為什么要提供在用箭頭622標(biāo)出的區(qū)域內(nèi)由柵指608代表的第二組柵指。第二組柵指622垂直對(duì)準(zhǔn)第一組柵指620，并且由圖形化多晶硅部分624和柵極饋電網(wǎng)絡(luò)的周邊環(huán)618饋電。如果這些柵指不互相垂直，它們就將橫跨整個(gè)器件寬度，結(jié)果被不期望地加長(zhǎng)。應(yīng)該注意到，由箭頭626指示的柵指一般說來也應(yīng)盡可能地短。因此，圖6的設(shè)計(jì)所提供的柵指具有的長(zhǎng)度至少小于管芯600的長(zhǎng)或?qū)捴休^長(zhǎng)者的一半。
現(xiàn)在回到圖8和圖9。圖8和圖9說明制造晶體管管芯600的某些優(yōu)化方法。圖8直觀地說明了箭頭8-8標(biāo)出的管芯600的局部側(cè)剖圖，該管芯進(jìn)一步包含一層覆蓋柵指的介電層和復(fù)蓋該介電層的金屬層部分704(圖7)。雖然本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員均能識(shí)別實(shí)現(xiàn)所示器件的各種不同的方法，在此對(duì)制作過程的一般描述是為了指出完成一定的步驟所用的具有一定優(yōu)越性的方法。更進(jìn)一步說，將要討論的將只是有關(guān)的步驟，應(yīng)該理解，其間的步驟在本領(lǐng)域中是人們所熟知的。
根據(jù)一個(gè)最佳實(shí)施例，采用N型半導(dǎo)體襯底800。為形成P阱區(qū)802(也叫作桶區(qū)或基區(qū))，首先完成P+注入。正如前面詳細(xì)討論過的，基區(qū)完全是一個(gè)單一的連接基區(qū)。該注入步驟的一個(gè)明顯特征是采用正性的乳膠基抗蝕劑。使用正性抗蝕劑是因?yàn)檎钥刮g劑一般比負(fù)性抗蝕劑有更高的分辨率?？梢哉J(rèn)識(shí)到希望盡可能減小柵指804間的間隔。因此，由于注入?yún)^(qū)802的寬度限制了柵指804的間距，就要求注入?yún)^(qū)802盡可能窄。
在完成區(qū)802的注入之后，進(jìn)行柵氧化，以形成氧化區(qū)806。此后是生長(zhǎng)覆蓋柵氧化層并形成柵指的多晶硅層。應(yīng)理解此兩層膜開始連續(xù)形成，而柵指由后續(xù)的刻蝕步驟所確定。
接著，將多晶硅層圖形化以形成柵指。為確定柵指804，采用熟知的刻蝕技術(shù)。不過，正如前面在討論掩模步驟時(shí)討論過的，再次使用正性抗蝕劑以獲得比負(fù)性抗蝕劑可提供的更好的分辨率。在柵指下的柵氧化層從一開始就留下作為共形的覆蓋層，通過它完成離子注入(P-溝道，N+源區(qū))。
在注入?yún)^(qū)808之后，接著限定通過其進(jìn)行源區(qū)810注入的掩模。在前面的一個(gè)最佳實(shí)施例中，經(jīng)其注入端點(diǎn)型源區(qū)掩模配置成使鄰近的源區(qū)橫向連接起來，如圖4所示。更進(jìn)一步說，在確定的最佳應(yīng)用中，為注入N+源區(qū)810，光刻過程采用正性抗蝕劑以達(dá)到精細(xì)的幾何形狀。
再進(jìn)行一次光刻過程，為金屬與源區(qū)810、P桶區(qū)802和多晶柵提供一個(gè)前置歐姆接觸(preohmic)，柵氧化部分806和介電層814在此步驟中被圖形化。再使用正性抗蝕劑，以獲得就非常小的條間距來說所需的完好幾何圖形。
正如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所了解的，最后的步驟之一是淀積鋁層812，它提供到源區(qū)810和P型桶區(qū)802的歐姆接觸。
回到圖9，圖9是圖6中所示部分9的放大圖。參照包括柵指804(由圖8)的圖形化多晶硅層602(由圖6)具體說明了為形成P+區(qū)802(它也可在圖8中看到)的離子注入設(shè)計(jì)。圖9說明一個(gè)與包含區(qū)802的注入層900有關(guān)的重要特征。更具體地說，所有的“拐角”(例如拐角902)都是“內(nèi)拐角”，即整個(gè)層900被設(shè)計(jì)成使其中不存在端部開放的短棒(外拐角)而在整個(gè)設(shè)計(jì)中僅存在內(nèi)拐角。這種內(nèi)拐角設(shè)計(jì)的目的涉及到以下事實(shí)，眾所周知，晶體管的基區(qū)電阻直接與P+注入摻雜濃度相關(guān)。當(dāng)注入層900被注入時(shí)以及在標(biāo)準(zhǔn)器件制造中的后續(xù)擴(kuò)散過程中，內(nèi)拐角的P型雜質(zhì)將由于互相交疊而變得無害。因此，在拐角處，P+摻雜濃度會(huì)增加，從而降低了拐角區(qū)域的基區(qū)電阻。另一方面，如果注入層900包括端部開口的短棒(外拐角)，則P+注入就會(huì)因擴(kuò)散而減薄。P+注入被削弱會(huì)增加基區(qū)電阻，結(jié)果導(dǎo)致P+注入減薄區(qū)域的隔離區(qū)失效。
至此，我們提供的一個(gè)晶體管，它具有以下優(yōu)點(diǎn)高效和實(shí)用的器件設(shè)計(jì)，改善了功率特性、擊穿電壓、低的開態(tài)電阻，低的電容以及較高的封裝密度。
我們已展示和描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以得到進(jìn)一步的改進(jìn)和改型。因此我們希望人們理解，這一發(fā)明不僅僅限于上述的特殊形式，我們提出的權(quán)利要求書包括了所有的改型而不會(huì)偏離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種晶體管，其特征在于一個(gè)垂直堆垛的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(100)，它由第一表面(118)和與之平行的第二表面(122)組成，晶體管的設(shè)置要使電流由第一表面(118)流向第二表面(122)；一個(gè)單公共基區(qū)(202)；以及由第一種材料構(gòu)成的一個(gè)或多個(gè)源區(qū)(112)，它們形成在該單公共基區(qū)(202)中，其中，相鄰的某些一個(gè)或多個(gè)源區(qū)(112)用第一種材料橫向連接。
2.一種晶體管，其特征在于一個(gè)公共基區(qū)(202);一個(gè)或多個(gè)形成在公共基區(qū)(202)上的源區(qū)(112);以及一個(gè)或多個(gè)重疊在公共基區(qū)(202)和一個(gè)或多個(gè)源區(qū)(112)上的柵區(qū)(120)，其中每個(gè)柵區(qū)(120)都由一個(gè)延伸的柵指(320)組成，柵指的截面具有一個(gè)中心部分(321)和一個(gè)邊緣部分(322)，并且此中心部分(321)厚于邊緣部分(322)。
3.如權(quán)利要求2的晶體管，進(jìn)一步包含一個(gè)在一個(gè)或多個(gè)柵區(qū)(320)下的預(yù)柵注入層(326)，該預(yù)柵注入層(326)在柵區(qū)的中心部分(321)之下的面積上是不連續(xù)的。
4.如權(quán)利要求2的晶體管，其中，一個(gè)或多個(gè)源區(qū)(402)中某些相鄰的源區(qū)被橫向連接(404)。
5.一種縱向型晶體管，其特征在于一個(gè)公共條形基區(qū)(202);多個(gè)由第一種摻雜材料構(gòu)成的延伸的源區(qū)(510)，該多個(gè)源區(qū)形成在公共條形基區(qū)(202)中，源區(qū)(510)中的某些相鄰的源區(qū)由第一種摻雜材料橫向連接(512);以及重疊在公共條形基區(qū)(202)和一個(gè)或多個(gè)源區(qū)(510)之上的一個(gè)或多個(gè)柵指(120)。
6.如權(quán)利要求5的縱向型晶體管，其中，一個(gè)或多個(gè)柵指中的每個(gè)都含有一個(gè)中心部分(321)和一個(gè)邊緣部分(322)，且中心部分(321)高于邊緣部分(322)。
7.一種晶體管，其特征在于一個(gè)具有長(zhǎng)度和寬度的半導(dǎo)體管芯(600);一個(gè)包括多個(gè)柵指(604、606、608、610)的圖形化的柵區(qū)(602)，該圖形化柵區(qū)(602)暴露出多個(gè)源接觸區(qū)(112);一個(gè)柵極饋電網(wǎng)絡(luò)(614、616、618);多個(gè)柵指(604、606、608、610)中的每一個(gè)都具有一個(gè)柵指長(zhǎng)度，它等于由柵指最遠(yuǎn)點(diǎn)到柵極饋電網(wǎng)絡(luò)(614、616、618)的距離;一個(gè)與柵極饋電網(wǎng)絡(luò)(614、616、618)和多個(gè)源接觸區(qū)(112)接觸的單金屬層(700)，柵極饋電網(wǎng)絡(luò)(614、616、618)在電學(xué)上與多個(gè)源接觸區(qū)(112)隔離，且多個(gè)源接觸區(qū)(112)在電學(xué)上相鄰耦合;以及其中，最大的柵指長(zhǎng)度小于半導(dǎo)體管芯的長(zhǎng)度和寬度中較長(zhǎng)者的一半。
8.如權(quán)利要求7的晶體管，其中多個(gè)柵指(604、606、608、610)包括對(duì)準(zhǔn)第一方向的第一組柵指(620)，和對(duì)準(zhǔn)垂直于第一方向的第二方向的第二組柵指(622)。
9.如權(quán)利要求8的晶體管，其中，柵極饋電網(wǎng)絡(luò)(614、616、618)包括一個(gè)周邊環(huán)(618)和至少一個(gè)延伸的饋電指(614)，該延伸的饋電指(614)饋電給第一組柵指(620)，而周邊環(huán)(618)饋電給第二組柵指(622)。
10.一種晶體管，其特征在于多個(gè)分布在多個(gè)平行對(duì)準(zhǔn)的柵指(604、606、608、610)中的源區(qū)(112);一個(gè)提供多個(gè)源接觸區(qū)(112)和多個(gè)柵指(604、606、608、610)的電接觸的單金屬層(700)，該多個(gè)源區(qū)(112)在電學(xué)上相鄰耦合;以及一個(gè)經(jīng)多個(gè)源區(qū)(112)與單金屬層(704)的一部分接觸的單一的外部電接觸(710)。
11.如權(quán)利要求10的晶體管，其中，多個(gè)柵指(604、606、608、610)包括對(duì)準(zhǔn)第一方向的第一組柵指(620)和對(duì)準(zhǔn)垂直于第一方向的第二方向的第二組柵指(622)。
全文摘要
一個(gè)包括一個(gè)單公共基區(qū)(202)的晶體管(200)。一個(gè)或多個(gè)源區(qū)(112)形成在基區(qū)(202)中。一個(gè)或多個(gè)柵區(qū)(120)重疊在公區(qū)基區(qū)(202)和源區(qū)(112)之上。在另一個(gè)實(shí)施例中，柵區(qū)(320)具有一個(gè)高起的中心區(qū)(321)。在又一個(gè)實(shí)施例中，某些源區(qū)(402)橫向連接(404)。此外，可利用一個(gè)多晶硅圖形(602)來提供一柵指饋電網(wǎng)絡(luò)(614、616、618)，而柵指(604、606、608、620)的長(zhǎng)度小于管芯最大尺寸的一半。
文檔編號(hào)H01L29/10GK1108814SQ9411871
公開日1995年9月20日 申請(qǐng)日期1994年11月21日 優(yōu)先權(quán)日1993年11月22日
發(fā)明者斯蒂芬·P·羅勃, 威廉·L·弗拉格爾, 鮑爾·J·格羅尼格 申請(qǐng)人:摩托羅拉公司