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引線框架用復合材料的制作方法

文檔序號:6792654閱讀:266來源:國知局
專利名稱:引線框架用復合材料的制作方法
技術(shù)領域
本發(fā)明屬LC(集成電路)引線框架用復合材料領域。
引線框架材料是現(xiàn)代電子工業(yè)不可缺少的材料。引線框架材料的發(fā)展大致經(jīng)歷了從Fe-Ni-Co可代合金到FeNi42合金再到銅合金的三個階段。集成電路的發(fā)展對引線框架材料的性能提出了更高的要求,即在具有高的強度的同時又具有高導電導熱性。80年代初,美國德克薩斯儀器分司開發(fā)了銅包不銹鋼引線框架材料,它是在鐵素體430不銹鋼芯層的兩面復以高純銅.其厚度比是10%銅80%430不銹鋼/l0%銅,其導熱率達到98.7w/mk,其導電率達到37.41%1ACS,其抗拉強度達到621MPa,約為銅合金CDA194的1.4倍。但是,由于430不銹鋼的導熱性較差,使得這種復合材料的導熱率僅只有銅合金CDA194的2/5,而且,由于這種材料沖制引線框架后余下的邊角料難以回收利用,致使制取單片引線框架的成本遠高于銅合金。見(Copper-cladstainless stell outperforms other lead-Frame materials.International semiconductor,1982,3)本發(fā)明的目的是提供一種經(jīng)爆炸焊接+熱軋+冷軋工藝制得導熱率高,價格低的復合引線框架材料的材料種類及配比。
本發(fā)明所采用技術(shù)方案是選用T3工業(yè)純銅板(銅含量99.7%)、國產(chǎn)Q195銅板(含C 0.06~0.12%、Mn0.25~0.5%、Si≤0.03%、S≤0.05%、P≤0.045%、Fe余量)。各層和的厚度比是Cu 10~15%∶Q195 70~80%∶Cu 10~15%,經(jīng)銅板、鋼板的表面處理→爆炸焊接→熱軋→冷軋工藝制得,復合材料成品厚度為0.2~0.4mm。
本發(fā)明所得到的Cu/Q195/Cu復合材料的機械物理性能同美國Cu/SS430/Cu相當,但其導熱率約為Cu/SS430/Cu復合材料的2倍,使復合材料的導熱性能相應得到改善、提高,且Cu/Q195/Cu復合材料的成本僅為Cu/SS430/Cu的一半。
實施例選用厚度比為Cu∶Q195∶Cu=12.5%∶75%∶12.5%的純銅板和Q195鋼,銅板和鋼板分別經(jīng)表面處理后,采用爆炸焊接+熱軋+冷軋工藝,使其成為在Q195鋼層的兩面各包復一薄層純銅的成品厚度為0.2mm的復合材料,復合材料性能對比如下
Cu/Q195/Cu復合材料主要用于制做集成電路引線框架。
權(quán)利要求
1.一種銅鋼銅復合材料,其特征是芯層為Q195鋼板,在Q195鋼層的兩面各復一純銅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅鋼銅復合材料,其特征是三層的厚度比是Cu∶Q195∶Cu=10~15%∶70~80%∶10~15%。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種集成電路引線框架用復合材料,其特征是選用純銅Q195材料,厚度比是Cu∶Q195∶Cu=10~15%∶70~80%∶10~15%,經(jīng)爆炸焊接、熱軋、冷軋工藝,制得在Q195鋼層的兩面各包覆上一薄層純銅,成品厚度為0.2~0.4mm,此Cu/Q195/Cu復合材料同美國的Cu/SS430/Cu復合材料相比,機械物理性能與之相當,其導熱率約高出2倍,而成本則降低一半,這種復合材料主要用做沖制集成電路引線框架。
文檔編號H01L23/495GK1114468SQ9411103
公開日1996年1月3日 申請日期1994年6月14日 優(yōu)先權(quán)日1994年6月14日
發(fā)明者張滬, 張福勤, 屈菊蘭, 文潔 申請人:冶金工業(yè)部長沙礦冶研究院
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