專利名稱：整流二極管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種整流二極管的制造方法，特別是一種用環(huán)氧樹脂包覆涂有硅膠的晶片的整流二極管的制造方法。
傳統(tǒng)的制造整流二極管的方法如下述以晶片、銅絲、樹脂等為主要原料，在晶片的左右兩端各以導(dǎo)電材料和一根銅絲牢固地連接，然后經(jīng)過堿洗，清洗處理，再在晶片表面涂覆一層硅膠。將上述已涂覆硅膠的連有銅絲的晶片置放在成型裝置的模槽內(nèi)，將軟化的環(huán)氧樹脂壓注入模槽，使所述的環(huán)氧樹脂包覆在上述涂有硅膠的晶片上。隨后，取出上述包覆環(huán)氧樹脂的晶片、銅絲連接體半成品，將上述半成品倒入電鍍槽中，使作為引線的銅絲鍍上一層錫，取出而成為成品。
這種傳統(tǒng)的整流二極管制造方法有若干缺點(diǎn)第一把環(huán)氧樹脂包覆在涂有硅膠的晶片上必須使用模具，但模具成本昴貴，生產(chǎn)費(fèi)用就增高。
第二把上述包覆環(huán)氧樹脂后的半成品從模具中取出，又必須使用脫模劑，需用人工配合，是批量式的生產(chǎn)。操作人員手碰到銅絲，會(huì)使銅絲彎曲，影響產(chǎn)品質(zhì)量。
第三上述包覆環(huán)氧樹脂的晶片、銅絲連接體半成品在電鍍槽中對(duì)銅絲鍍錫的操作中，整個(gè)半成品在電鍍槽中滾翻，銅絲也易被碰彎，而且，電鍍槽中的化學(xué)液多少會(huì)對(duì)環(huán)氧樹脂產(chǎn)生不良影響或者少量地滲入，影響產(chǎn)品的質(zhì)量和成品率。
第四由于傳統(tǒng)制造方法采用電鍍法使銅絲鍍錫，造成了操作中以及電鍍廢水對(duì)環(huán)境的污染。
本發(fā)明的目的是提供一種改進(jìn)的整流二極管的制造方法，在包覆環(huán)氧樹脂的操作中不采用成型模具，不使用脫膜劑，提高生產(chǎn)效率。同時(shí)，不采用傳統(tǒng)的用電鍍法使銅絲鍍錫的工藝，從根本上去除了電鍍?cè)斐傻沫h(huán)境污染弊病。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明的制造方法包括下列依次進(jìn)行的工序(a)晶片、銅絲接合工序在晶片的兩端各自和一根銅絲牢固地接合，(b)銅絲鍍錫工序?qū)⑸鲜鼍?，銅絲接合體的銅絲部份鍍上一層錫，(c)堿洗工序?qū)⑸鲜霭氤善方?jīng)過堿洗和清洗，烘乾處理，(d)晶片上硅膠工序?qū)⑸鲜鰤A洗后的半成品的晶片部分涂覆液態(tài)硅膠并烘乾，(e)包覆環(huán)氧樹脂工序?qū)⑸鲜霭氤善返耐扛灿泄枘z的晶片上再包覆上環(huán)氧樹脂，烘乾后即為成品整流二極管。其特征在于在工序(2)中，是將銅絲部份浸漬在融熔的焊錫中以后再取出使它鍍上一層錫的;
在工序(5)中，是將涂覆有硅膠的晶片部份，在液態(tài)環(huán)氧樹脂中經(jīng)過一次或一次以上的滾動(dòng)浸漬，烘干操作而成為產(chǎn)品的。
由于本發(fā)明采用了浸漬鍍錫和滾動(dòng)浸漬包覆環(huán)氧樹脂的工序，與傳統(tǒng)制造方法相比，有明顯的優(yōu)越性第一采用銅絲浸漬在融熔焊錫中鍍錫而不是象傳統(tǒng)方法那樣用電鍍法鍍錫，從根本上革除了電鍍工序，解決了環(huán)境污染問題。
第二正由于采用浸漬法使銅絲部份鍍錫，所以只有銅絲部份與焊錫接觸，不象傳統(tǒng)方法那樣把全部半成品浸在電鍍液中，晶片部分不會(huì)受到侵蝕。
第三采用上述滾動(dòng)浸漬法包覆環(huán)氧樹脂，不用模具和脫膜劑，節(jié)省了生產(chǎn)費(fèi)用和工時(shí)，使生產(chǎn)有可能更加自動(dòng)化、連續(xù)化。同時(shí)，可以用控制浸漬、烘干的次數(shù)(道數(shù))的方法來控制產(chǎn)品上環(huán)氧樹脂層的厚度，減少操作中對(duì)半成品的不必要接觸，有利于保證產(chǎn)品質(zhì)量。
下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述

圖1是本發(fā)明所提供的制造方法的流程圖。
圖2是滾動(dòng)，浸漬環(huán)氧樹脂工序的示意圖。
參閱圖1，在晶片、銅絲接合工序中，將作為引線的銅絲11與晶片12上的合金錫片13，經(jīng)過360℃左右的高溫熔化作用，使銅絲11和合金錫片13牢固地結(jié)合，也相當(dāng)于完成了晶片與銅絲的接合。
隨接進(jìn)行銅絲鍍錫工序，將上述晶片、銅絲結(jié)合體的銅絲部份浸漬在盛在焊錫爐中的，處于300℃下的融熔的焊錫中，隨后取出，在上述銅絲部分已包上一層厚度約20微米(μ)的焊錫膜21。
再將上述半成品進(jìn)入堿洗工序處理即將該半成品浸泡于溫度為90℃-100℃，濃度為5%的堿液中，經(jīng)過5-10分鐘，經(jīng)清水沖洗后，再放入150℃-200℃的烘箱中烘乾。
緊接著進(jìn)入晶片上硅膠工序?qū)⒁簯B(tài)硅膠滴在上述堿洗以后的半成品的晶片12上，或使晶片12在液態(tài)硅膠中滾動(dòng)浸漬，使硅膠層41包覆在上述晶片12上，硅膠41烘乾后包覆住晶片12，起到絕緣保護(hù)作用。
最后進(jìn)入包覆環(huán)氧樹脂工序，同時(shí)參閱圖1、圖2，將完成上一工序操作的包覆有硅膠層41的半成品42，在圖2所示的滾動(dòng)狀態(tài)下經(jīng)過液態(tài)環(huán)氧樹脂51(滾動(dòng)浸漬)，再處于150℃左右的溫度下烘乾。應(yīng)注意，鍍過錫的銅絲不要浸漬在環(huán)氧樹脂51中。每經(jīng)過滾動(dòng)浸漬、烘乾一次，則在滾動(dòng)浸漬后的工件52上被包覆有一定厚度的環(huán)氧樹脂51，為了使產(chǎn)品上的環(huán)氧樹脂51達(dá)到一定的厚度，一般要經(jīng)過5次至8次的滾動(dòng)浸漬烘乾操作。可將上述操作安排在連續(xù)進(jìn)行的生產(chǎn)操作流水線上，每進(jìn)行一次上述滾動(dòng)浸漬烘乾也就是經(jīng)述一道操作，所以，一般經(jīng)過5道至8道操作之后，就成為品6。
權(quán)利要求
1.一種整流二極管的制造方法，包括下列依次進(jìn)行的工序(a)將晶片的兩端各自牢固地結(jié)合一根銅絲，(b)將上述晶片銅絲接合體的銅絲部分鍍錫，(c)將上述銅絲鍍錫后的半成品經(jīng)過堿洗清洗，烘乾處理，(d)將上述經(jīng)堿洗，清洗、烘乾處理后的半成品的晶片部分上涂覆硅膠并烘乾，(e)將上述涂覆硅膠并烘乾的晶片上包覆環(huán)氧樹脂并烘乾，其特征是(f)在工序(b)中的鍍錫操作是把所述的銅絲部分浸漬在融熔的焊錫中以后，再取出，(g)在工序(e)中，是把所述的涂有硅膠的晶片部分一次或一次以上地滾動(dòng)浸漬環(huán)氧樹脂并烘乾。
全文摘要
本發(fā)明為一種改進(jìn)的整流二極管的制造方法，把包括有晶片與銅絲結(jié)合、銅絲鍍錫、堿洗、晶片涂硅膠、涂硅膠后晶體包覆環(huán)氧樹脂工序的傳統(tǒng)制造方法加以改進(jìn)，采用把銅絲浸漬在熔融的焊錫中鍍錫，并且用多次滾動(dòng)浸漬法包覆環(huán)氧樹脂。本發(fā)明不用傳統(tǒng)的電鍍法鍍錫，從根本上消除了環(huán)境污染，不用模具法包覆環(huán)氧樹脂，降低了生產(chǎn)成本，提高了功效。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1060923SQ9010864
公開日1992年5月6日 申請(qǐng)日期1990年10月21日 優(yōu)先權(quán)日1990年10月21日
發(fā)明者張金祥 申請(qǐng)人:張金祥