專(zhuān)利名稱(chēng):具有嵌入到塑料殼體中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有嵌入到塑料殼體中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面至少部分地具有一個(gè)緩沖層。此外，本發(fā)明還涉及一種制造半導(dǎo)體構(gòu)件、系統(tǒng)支架和這樣一種類(lèi)型的緩沖層的方法。
背景技術(shù)：
按照這種制造方法檢測(cè)構(gòu)件的功能性以及可靠性。由于提高了溫度，這種方法會(huì)導(dǎo)致形成裂紋，甚至在半導(dǎo)體構(gòu)件的不同的材料之間的邊界上導(dǎo)致脫層。特別是在電路支架和塑料殼體之間形成裂紋是一個(gè)問(wèn)題。
在系統(tǒng)支架和塑料殼體之間缺乏粘合在半導(dǎo)體構(gòu)件中導(dǎo)致水氣聚集在系統(tǒng)支架和塑料殼體之間的邊界層中。當(dāng)將半導(dǎo)體構(gòu)件焊接到印刷電路板上時(shí)半導(dǎo)體構(gòu)件在最短的時(shí)間內(nèi)從室溫一直加熱到260℃時(shí)水氣突然膨脹。水分含量突然膨脹的結(jié)果是在半導(dǎo)體構(gòu)件的殼體中出現(xiàn)裂紋和/或破裂，這就叫做“爆玉米花效應(yīng)”。
為了防止這種爆玉米花效應(yīng)必須阻止水分在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件和塑料殼體之間的邊界層中的聚集。通過(guò)改進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件表面和塑料殼體表面之間的粘合可減少水分的聚集。為了改進(jìn)這種粘合已公開(kāi)不同的方法。
US-5,554,569公開(kāi)了一種使扁平導(dǎo)線(xiàn)框架表面機(jī)械粗糙的方法。粗糙的表面可以使得與塑料殼體的嚙合，并且因此有更好的附著性。然而這種方法執(zhí)行起來(lái)困難，并且成本高。
也公開(kāi)了在安裝之前在系統(tǒng)支架上涂覆粘附劑。在US 5 122 858中在扁平導(dǎo)線(xiàn)框架上涂覆一層聚合物層。
DE 101 24 047公開(kāi)了一種具有半導(dǎo)體芯片和系統(tǒng)支架的電子構(gòu)件以及制造該構(gòu)件的方法，其中，金屬系統(tǒng)支架具有一個(gè)由金屬氧化物，特別是金屬鋅、鉻制成的，并且形成樹(shù)枝形態(tài)的電鍍沉積的附著層。
這種構(gòu)件和制造方法具有如下缺點(diǎn)，即通過(guò)電鍍沉積只能在金屬表面上產(chǎn)生這類(lèi)樹(shù)枝形態(tài)，這樣就在沒(méi)有前面的具有短路的、但是金屬能導(dǎo)電的層的情況下不能為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件，如由陶瓷或者印刷電路板材料制成的系統(tǒng)支架制造出這種粘附劑層。
也需要改進(jìn)必須滿(mǎn)足環(huán)保法律的未來(lái)要求的“綠色”構(gòu)件的可靠性。特別是希望使用無(wú)鉛的焊料。然而無(wú)鉛焊料有下述缺點(diǎn)，即需要更高的焊接溫度260℃。所以在“綠色”構(gòu)件中形成裂紋是一個(gè)特別的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的任務(wù)是提供一種具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件，其中，這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件具有一種與包圍它們的塑料殼體的可靠的粘合。
這個(gè)任務(wù)通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求
的主題得以完成。由從屬權(quán)利要求
中得到本發(fā)明的有利的其它改進(jìn)方案。
根據(jù)本發(fā)明提供一種具有嵌入到塑料殼體中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面至少部分地具有一個(gè)緩沖層，該緩沖層設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件和塑料殼體之間。緩沖層至少部分地由一種熱塑性材料制成。
根據(jù)本發(fā)明的具有熱塑性材料的緩沖層具有下述優(yōu)點(diǎn)，即它富有彈性且為粘彈性的。當(dāng)溫度超過(guò)它的玻璃轉(zhuǎn)變溫度時(shí)該緩沖層的熱塑性材料會(huì)軟化和重復(fù)流動(dòng)。因此熱塑性材料可以流入在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件和塑料殼體之間出現(xiàn)的裂紋和氣泡之中。這種功能沒(méi)有在已公開(kāi)的粘附劑層中顯示出來(lái)，本發(fā)明規(guī)定的是完全另一種方案。因此根據(jù)本發(fā)明的緩沖層的作用和根據(jù)已改進(jìn)的機(jī)械錨接，或者已改進(jìn)的化合物而設(shè)計(jì)的粘附劑層不同。
在已嵌入的結(jié)構(gòu)組件上涂覆粘附劑層的半導(dǎo)體構(gòu)件中出現(xiàn)裂紋以后，這些裂紋不能進(jìn)行修復(fù)。因此人們通常試圖借助改進(jìn)的粘附劑層來(lái)改進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件和塑料殼體之間的粘合。這例如通過(guò)一種多孔的層達(dá)到，以改進(jìn)機(jī)械錨接。這可以替代地可借助一些聚合物辦到，這些聚合物具有確定的化學(xué)端基，這些化學(xué)端基對(duì)于結(jié)構(gòu)組件的材料具有一種特別的親合力。
與此相反的是本發(fā)明規(guī)定的是一種具有自我修復(fù)機(jī)制的半導(dǎo)體構(gòu)件。當(dāng)提高溫度時(shí)由于構(gòu)件的材料的不同的膨脹系數(shù)而形成裂紋。熱塑性材料具有這樣的特性，即當(dāng)溫度超過(guò)它的玻璃轉(zhuǎn)變溫度時(shí)它會(huì)重復(fù)地流動(dòng)。例如在測(cè)試過(guò)程中當(dāng)在扁平導(dǎo)線(xiàn)框架的芯片島和塑料殼體之間的邊界上出現(xiàn)裂紋時(shí)這些裂紋可通過(guò)緩沖層的已軟化的熱塑性材料的流動(dòng)填平。因此，在根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)件中在測(cè)試過(guò)程中會(huì)發(fā)生形成裂紋并且修復(fù)這些裂紋。在根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)組件中不僅能制造無(wú)裂紋的構(gòu)件，而且也能給顧客提供一種能自動(dòng)修復(fù)以后產(chǎn)生的裂紋的構(gòu)件。
另一優(yōu)點(diǎn)是熱塑性材料也可以阻止裂紋的蔓延，這樣就提高了在繼續(xù)測(cè)試過(guò)程中和運(yùn)行中的結(jié)構(gòu)組件的可靠性。因此表明了該結(jié)構(gòu)組件的穩(wěn)定性和可靠性。
這種半導(dǎo)體構(gòu)件的另一優(yōu)點(diǎn)是，可以在由不同材料制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的所有表面上設(shè)置緩沖層，這樣就在半導(dǎo)體構(gòu)件的金屬表面、陶瓷表面和/或其它塑料表面和例如由一種環(huán)氧樹(shù)脂制成的塑料殼體之間形成一個(gè)防水和防腐蝕的邊界層。此外也可在具有相應(yīng)結(jié)構(gòu)化的金屬涂層的陶瓷板或者印刷電路板的系統(tǒng)支架上涂覆緩沖層。
在一種實(shí)施方式中熱塑性材料具有低于150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。這種熱塑性材料軟化，并且在低于150℃溫度時(shí)流動(dòng)，并且適合最高測(cè)試溫度為150℃時(shí)的應(yīng)用。這可使得熱塑性材料軟化，并且在測(cè)試過(guò)程期間出現(xiàn)的裂紋可以填平?？蔀轭櫩吞峁o(wú)裂紋的構(gòu)件。
在另一實(shí)施方式中熱塑性材料具有低于120℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。這種材料具有當(dāng)達(dá)到典型的壓熱器溫度121℃時(shí)可以流動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)。
熱塑性材料有利地具有高于260℃的熔化溫度(Tm)。260℃是無(wú)鉛釬焊所使用的最高釬焊溫度，并且典型地是給構(gòu)件加載的最高溫度和構(gòu)件應(yīng)承受的最高溫度。因此具有高于260°的熔化溫度的緩沖層的熱塑性材料在將構(gòu)件釬焊在其上的印刷電路板上時(shí)是穩(wěn)定的。
熱塑性材料可以是聚酰胺66、聚酰胺46、硫化聚苯醚、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚芳基醚酮、聚醚醚酮，或者聚碳酸酯，或者由這些物質(zhì)構(gòu)成的共聚物。
緩沖層可以具有2nm≤D≤10μm，優(yōu)選2nm≤D≤300nm，優(yōu)選2nm≤D≤50nm之間的平均厚度D?？梢匀绱说剡x擇厚度，即可蓋住確定材料的表面，并且涂覆技術(shù)可最佳化。這導(dǎo)致緩沖層的更加可靠的效果。
在另一實(shí)施方式中緩沖層具有一種粘附劑。這種實(shí)施方式具有下述優(yōu)點(diǎn)，即既改進(jìn)與塑料殼體以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的粘合性，同時(shí)又能實(shí)現(xiàn)上述應(yīng)力補(bǔ)償和裂紋修復(fù)效果的優(yōu)點(diǎn)。
在一種實(shí)施方式中粘附劑容納在熱塑性材料的結(jié)構(gòu)中。這種做法的優(yōu)點(diǎn)是在待嵌入的半導(dǎo)體構(gòu)件的表面上僅涂覆一層。這種做法減化了制造方法，并且減少了制造成本。
在另一實(shí)施方式中粘附劑以涂層的形式涂覆在熱塑性材料上。這種做法的好處是可以不規(guī)定熱塑性材料和粘附劑的結(jié)構(gòu)兼容的組合。
粘附劑可以是環(huán)氧化物、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、金屬氧化物或者半導(dǎo)體氧化物。也可設(shè)想將這些物質(zhì)的混合物用作粘附劑。這些材料具有下述優(yōu)點(diǎn)，即它們具有在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件中用作粘附劑層適合的特性。
在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，緩沖層的孔隙率逐漸地從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件表面上的無(wú)孔涂層增加到塑料殼體的過(guò)渡區(qū)域中的微孔形態(tài)。通過(guò)從開(kāi)始封閉的緩沖層到表面的微孔形態(tài)的孔隙率的逐漸增加使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面在金屬-塑料結(jié)合處的邊界表面免于腐蝕，而隨著緩沖層厚度的增加孔隙率的逐漸增加強(qiáng)化了與塑料殼體的嚙合。在這種情況中粘附劑的材料與聚合的塑料殼體整體結(jié)合。通過(guò)粘附劑的這種內(nèi)部結(jié)構(gòu)也進(jìn)一步地減小了邊界表面中的應(yīng)力。
在根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件具有帶有結(jié)構(gòu)化的金屬涂層的布線(xiàn)基質(zhì)。這種布線(xiàn)基質(zhì)采用到目前為止已公開(kāi)的工藝只能在結(jié)構(gòu)化的金屬涂層的區(qū)域中涂覆緩沖層，而采用常規(guī)的方法不能給絕緣的表面區(qū)域電鍍涂層，除非人們冒險(xiǎn)將整個(gè)的布線(xiàn)基質(zhì)進(jìn)行薄的、短路的金屬涂層。但是這與這種類(lèi)型的布線(xiàn)基質(zhì)的目的和任務(wù)相矛盾，即借助結(jié)構(gòu)化的金屬涂層應(yīng)在半導(dǎo)體構(gòu)件的不同元件之間建立接合線(xiàn)和導(dǎo)體電路。在根據(jù)本發(fā)明的緩沖層中既給不導(dǎo)電的布線(xiàn)基質(zhì)的區(qū)域，也給具有結(jié)構(gòu)化的金屬涂層的基質(zhì)區(qū)域完全地和始終不變地設(shè)置一個(gè)緩沖層。
在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件具有帶有結(jié)構(gòu)化金屬層的陶瓷基質(zhì)。這種類(lèi)型的多層陶瓷基質(zhì)用于制造高頻技術(shù)的半導(dǎo)體構(gòu)件。在此也能通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的緩沖層將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的陶瓷表面完全地設(shè)置一個(gè)緩沖層。
此外還規(guī)定，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件具有帶有結(jié)構(gòu)化金屬涂層的印刷電路板。在這種情況中絕緣板的區(qū)域也可如印刷電路板上的結(jié)構(gòu)化的金屬涂層一樣涂上一層根據(jù)本發(fā)明的緩沖層，這樣，就可與蓋住印刷電路板的塑料殼體有緊湊連接。
本發(fā)明的另一方面涉及一種具有多個(gè)并排地和/或依次地按橫列和/或縱列地設(shè)置的半導(dǎo)體構(gòu)件位置的系統(tǒng)支架。這種類(lèi)型的系統(tǒng)支架用于將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件容納到具有用于與半導(dǎo)體芯片電連接的內(nèi)接觸表面的立體布線(xiàn)結(jié)構(gòu)中。根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)支架表面有選擇地具有一個(gè)緩沖層，該緩沖層至少部分地具有熱塑性材料。在這種情況中系統(tǒng)支架的內(nèi)接觸表面沒(méi)有粘附劑層。
緩沖層本身在它的組成上和它的形態(tài)上和已經(jīng)在上面用于涂覆在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件上的那種詳細(xì)敘述的緩沖層相同。因此，系統(tǒng)支架可以具有一種帶有結(jié)構(gòu)化金屬涂層的陶瓷基質(zhì)或者布線(xiàn)基質(zhì)，或者具有帶有結(jié)構(gòu)化涂層的印刷電路板。在所有的情況中系統(tǒng)支架可以在制造半導(dǎo)體構(gòu)件時(shí)與塑料殼體接觸的表面上有選擇地涂覆一層根據(jù)本發(fā)明的緩沖層。
若系統(tǒng)支架具有帶內(nèi)接觸連接表面的內(nèi)扁平導(dǎo)線(xiàn)則特別是這樣。這些內(nèi)扁平導(dǎo)線(xiàn)轉(zhuǎn)變?yōu)橥獗馄綄?dǎo)線(xiàn)，并且被系統(tǒng)支架的一個(gè)系統(tǒng)支架框支承。在這種情況中扁平導(dǎo)線(xiàn)框架可以具有一個(gè)帶有許多依次設(shè)置的半導(dǎo)體構(gòu)件位置的扁平導(dǎo)線(xiàn)帶。
內(nèi)扁平導(dǎo)線(xiàn)在它們的表面上具有緩沖層，該緩沖層的成分和結(jié)構(gòu)上面已經(jīng)詳細(xì)敘述過(guò)。然而內(nèi)接觸表面、外扁平導(dǎo)線(xiàn)和系統(tǒng)支架框架仍然沒(méi)有緩沖層。這種系統(tǒng)支架是制造半導(dǎo)體構(gòu)件的半成品，可由半導(dǎo)體工業(yè)的提供廠家作為半成品生產(chǎn)。
在具有可選擇地設(shè)置緩沖層的系統(tǒng)支架的另一有利的實(shí)施方式中這個(gè)系統(tǒng)支架為了它在安裝機(jī)中的定位沿系統(tǒng)支架框架具有孔隙。這種做法具有下述優(yōu)點(diǎn)，即在一個(gè)這種類(lèi)型的帶式系統(tǒng)支架上可自動(dòng)地制造出許多半導(dǎo)體構(gòu)件。
此外，系統(tǒng)支架優(yōu)選地在內(nèi)接觸表面可以具有一個(gè)由銀和/或焊料-合金構(gòu)成的金屬-合金電鍍層。在這種情況中，接觸連接表面不僅沒(méi)有粘附劑層，而是甚至還用一個(gè)促進(jìn)釬焊或者連接過(guò)程的涂層覆蓋。
在本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式中系統(tǒng)支架的基準(zhǔn)材料由高純銅和/或銅合金構(gòu)成，這些材料由于它們高的導(dǎo)電能力而有利。
用于制造半導(dǎo)體構(gòu)件的系統(tǒng)支架的方法具有如下的方法步驟首先將具有至少一個(gè)金屬表面的基質(zhì)板設(shè)計(jì)成一個(gè)系統(tǒng)支架。在結(jié)構(gòu)化過(guò)程中產(chǎn)生用于將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件容納在半導(dǎo)體構(gòu)件位置中的許多連續(xù)的模型。然后給系統(tǒng)支架的表面-這些表面在制造半導(dǎo)體構(gòu)件時(shí)和塑料殼體形成邊界面-涂覆一層緩沖層。根據(jù)本發(fā)明，該緩沖層至少部分地由一種熱塑性材料構(gòu)成。
在繼續(xù)優(yōu)選地實(shí)施該方法時(shí)，在給系統(tǒng)支架涂覆緩沖層之前用保護(hù)層將應(yīng)外露的表面區(qū)域蓋住。在涂層之后可以以有利的方式使這個(gè)保護(hù)層膨脹，這樣就可將它從重疊在待外露的表面區(qū)域中揭下來(lái)。
在繼續(xù)優(yōu)選地實(shí)施本方法時(shí)，待外露的表面區(qū)域是在給系統(tǒng)支架的表面涂覆緩沖層以后才重新外露的。在這種方法中在外露之前可對(duì)應(yīng)保留緩沖層的表面區(qū)域進(jìn)行保護(hù)。外露可用激光去除法或者借助等離子腐蝕法進(jìn)行。
用于采用具有多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件位置的系統(tǒng)支架制造多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件的方法附加地具有下述方法步驟。首先提供在它的表面上有選擇地涂覆有緩沖層的系統(tǒng)支架。選擇是指用緩沖層僅蓋住系統(tǒng)支架的與塑料殼體應(yīng)形成邊界層的表面區(qū)域。用于電連接的接觸連接表面和/或用于與半導(dǎo)體芯片接觸的芯片連接表面則不涂覆粘附劑層。
現(xiàn)在將在半導(dǎo)體構(gòu)件位置中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件，如半導(dǎo)體芯片，安裝到這種類(lèi)型的系統(tǒng)支架上，其中，通過(guò)電連接元件將半導(dǎo)體芯片和系統(tǒng)支架的接觸連接表面連接。在將整個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件安裝到系統(tǒng)支架以后將這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件嵌入到塑料殼體中。然后可將該系統(tǒng)支架拆開(kāi)成單個(gè)的半導(dǎo)體構(gòu)件。
在這個(gè)方法中，系統(tǒng)支架本身可以是一個(gè)具有金屬結(jié)構(gòu)的印刷電路板，或者是一個(gè)多層的陶瓷板，或者是一個(gè)金屬的扁平導(dǎo)線(xiàn)框架。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是涂覆緩沖層與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的材料無(wú)關(guān)。這樣，金屬倒裝接觸點(diǎn)還有金屬接合線(xiàn)可像半導(dǎo)體芯片的表面和系統(tǒng)支架的表面一樣也設(shè)置一個(gè)緩沖層。當(dāng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件未嵌入到塑料殼體中之前半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的還未涂層的表面也應(yīng)涂覆緩沖層時(shí)特別使用緩沖層的這一特性。
在采用系統(tǒng)支架制造半導(dǎo)體構(gòu)件的一種替代方法中也可使用一種剛開(kāi)始沒(méi)有任何緩沖層的系統(tǒng)支架。在第一步驟中將在半導(dǎo)體構(gòu)件位置中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件如半導(dǎo)體芯片裝入到該系統(tǒng)支架上，其中，為了進(jìn)行電連接將半導(dǎo)體芯片和系統(tǒng)支架的接觸連接表面連接起來(lái)。在此之后將由熱塑性材料構(gòu)成的緩沖層涂覆到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的整個(gè)表面上，而這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件是應(yīng)該嵌入到塑料殼體之中的。然后將這些設(shè)置有緩沖層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件嵌入到塑料殼體中。
然后可將該系統(tǒng)支架拆開(kāi)成單個(gè)的半導(dǎo)體構(gòu)件。在該方法中半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家的任務(wù)是首先將所有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件都安裝在常規(guī)的載體上，然后將緩沖層涂覆到這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面上。這種替代方法的優(yōu)點(diǎn)是用塑料殼體覆蓋的表面無(wú)一不涂上緩沖層。
下面借助附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種第一實(shí)施方式的有選擇地涂有緩沖層的半導(dǎo)體構(gòu)件的橫截面圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明的一種第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體構(gòu)件的橫截面圖，在該半導(dǎo)體構(gòu)件中已嵌入的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面全部涂有緩沖層，圖3是根據(jù)本發(fā)明的一種第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的截面圖，此外，在該半導(dǎo)體構(gòu)件中緩沖層還具有一種粘附劑。
具體實(shí)施方式圖1表示一個(gè)具有一個(gè)半導(dǎo)體芯片2和一個(gè)扁平導(dǎo)線(xiàn)框架3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件1的截面圖。扁平導(dǎo)線(xiàn)框架3的嵌入到塑料殼體中4的區(qū)域涂覆有一個(gè)緩沖層5。緩沖層5由一種熱塑性材料6制成，在該實(shí)施方式中該材料為聚酰胺66。
扁平導(dǎo)線(xiàn)框加3具有一個(gè)芯片島7和包圍該芯片島7的多個(gè)扁平導(dǎo)線(xiàn)8。每個(gè)扁平導(dǎo)線(xiàn)具有一個(gè)嵌入構(gòu)件1的塑料殼體4的內(nèi)部的內(nèi)部區(qū)域9和一個(gè)位于塑料殼體4的外部的外部區(qū)域10。扁平導(dǎo)線(xiàn)8的外部區(qū)域10規(guī)定半導(dǎo)體構(gòu)件的外觸點(diǎn)，用這些外觸點(diǎn)可將半導(dǎo)體構(gòu)件1安裝在其上的印刷電路板上。每個(gè)扁平導(dǎo)線(xiàn)8的內(nèi)部區(qū)域9具有一個(gè)內(nèi)接觸表面11。扁平導(dǎo)線(xiàn)框架3具有Cu，內(nèi)接觸表面11具有一個(gè)Ni/NiP層。
半導(dǎo)體芯片2的惰性的背面通過(guò)粘合劑層12安裝在芯片島7上。半導(dǎo)體芯片2的活性的上表面具有在圖1中未示出的集成電路和芯片接觸表面13。芯片接觸表面13通過(guò)接合線(xiàn)14與扁平導(dǎo)線(xiàn)8電連接。接合線(xiàn)14分別在芯片接觸表面13和一個(gè)內(nèi)接觸表11之間延伸。
半導(dǎo)體芯片2、接合線(xiàn)14、芯片島7和扁平導(dǎo)線(xiàn)8的內(nèi)部區(qū)域9嵌入到塑料殼體中4中。塑料殼體4具有環(huán)氧樹(shù)脂15。
扁平導(dǎo)線(xiàn)框架8的在塑料殼體4內(nèi)部嵌入的內(nèi)部區(qū)域9涂覆有一層由熱塑性材料6構(gòu)成的緩沖層5。內(nèi)接觸表面11以及芯片島7的中心區(qū)域-半導(dǎo)體芯片2安裝在其上-不涂緩沖層5。
在這種實(shí)施方式中設(shè)置了一個(gè)有選擇地涂覆有緩沖層5的扁平導(dǎo)線(xiàn)框架3。半導(dǎo)體芯片2安裝在芯片島7上，并且接合線(xiàn)14設(shè)置在芯片接觸表面13和扁平導(dǎo)線(xiàn)8的內(nèi)接觸表面之間。半導(dǎo)體芯片2、接合線(xiàn)14和扁平導(dǎo)線(xiàn)框架3的涂有緩沖層5的區(qū)域嵌入在塑料殼體4中，以制造半導(dǎo)體構(gòu)件1。
緩沖層5是在構(gòu)件安裝前借助浸漬涂覆在扁平導(dǎo)線(xiàn)框架3上的。在前，用保護(hù)層將內(nèi)接觸表面11以及扁平導(dǎo)線(xiàn)8的外區(qū)域10蓋住，以便使這些區(qū)域免于涂上緩沖層5的熱塑性材料6。
由于金屬扁平導(dǎo)線(xiàn)框架和塑料殼體具有不同的膨脹系數(shù)所以會(huì)形成裂紋。因此當(dāng)提高溫度時(shí)，例如在制造廠家做測(cè)試過(guò)程中，或者當(dāng)釬焊時(shí)形成裂紋。由熱塑性材料制成的緩沖層具有在溫度升高時(shí)熱塑性材料會(huì)軟化并且能流動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)。因此，在根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)件中這些在測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)的裂紋也會(huì)在測(cè)試過(guò)程中被填平并且得到修復(fù)。
由一種熱塑性材料6構(gòu)成的緩沖層5具有下述優(yōu)點(diǎn)，即當(dāng)溫度超過(guò)熱塑性材料6的玻璃轉(zhuǎn)變溫度時(shí)該熱塑性材料會(huì)重復(fù)地軟化和流動(dòng)。聚酰胺66的玻璃轉(zhuǎn)變溫度大約為80℃，它比在測(cè)試過(guò)程中所達(dá)到的最高溫度低。當(dāng)在測(cè)試過(guò)程中在金屬扁平導(dǎo)線(xiàn)框架8和塑料殼體15之間出現(xiàn)裂紋或者間隙時(shí)熱塑性材料6可將該裂紋或者間隙填滿(mǎn)。
表1表示適用于根據(jù)本發(fā)明的緩沖層5的不同的熱塑性材料。每種材料有低于150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度和至少為260℃的熔化溫度。
低于150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)有如下優(yōu)點(diǎn)，即在典型的最高測(cè)試溫度時(shí)熱塑性材料軟化和流動(dòng)。高于260℃的熔化溫度具有下述優(yōu)點(diǎn)，即在釬焊構(gòu)件時(shí)熱塑性材料保持穩(wěn)定。
圖2表示按照本發(fā)明的第二實(shí)施方式的一個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件16。在該實(shí)施方式中半導(dǎo)體構(gòu)件16具有一個(gè)環(huán)繞布線(xiàn)基質(zhì)17。該基質(zhì)17在它的上表面具有內(nèi)接觸表面11，該內(nèi)接觸表面有銅，該基質(zhì)17在它的下表面18上具有外接觸表面19。內(nèi)接觸表面11通過(guò)導(dǎo)軌20和貫通觸點(diǎn)21與外接觸表面19電連接。導(dǎo)軌20和貫通觸點(diǎn)21形成基質(zhì)17的環(huán)繞布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。在這個(gè)實(shí)施例中基質(zhì)17具有一個(gè)電介質(zhì)層22。導(dǎo)軌設(shè)置在電介質(zhì)層22的上側(cè)以及下側(cè)。
半導(dǎo)體芯片2的背面借助一個(gè)固定層12固定在基質(zhì)17的上側(cè)。芯片接觸表面13通過(guò)接合線(xiàn)14與內(nèi)接觸表面11電連接。芯片接觸表面13具有鋁，接合線(xiàn)14具有金。
在圖2中所看到的實(shí)施例中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件28的所有已嵌入的表面都涂有緩沖層5。
在這方面半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件28就是指嵌入在塑料殼體中的那些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件。在圖2的實(shí)施方式中半導(dǎo)體芯片2、接合線(xiàn)14和環(huán)繞布線(xiàn)基質(zhì)17的上側(cè)就是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件。因此接合線(xiàn)、半導(dǎo)體芯片2以及環(huán)繞布線(xiàn)基質(zhì)17的上側(cè)的表面都用緩沖層5覆蓋。
在這個(gè)實(shí)施例中緩沖層5具有一種熱塑性材料，此外還具有粘附劑部件23。粘附劑部件容納在熱塑性材料的結(jié)構(gòu)中。粘附劑部件23改進(jìn)熱塑性材料6和塑料殼體4之間以及已嵌入的半導(dǎo)體部件和塑料殼體4之間的粘合。在這個(gè)實(shí)施例中粘附劑是聚酰亞胺。接合線(xiàn)14、半導(dǎo)體芯片2和環(huán)繞布線(xiàn)基質(zhì)17的上側(cè)的表面都涂覆有緩沖層5。這可借助噴射或者浸漬進(jìn)行。
通過(guò)下述方法制造根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)組件16。借助一個(gè)固定層12將半導(dǎo)體芯片2安裝在基質(zhì)17的上側(cè)面。在芯片接觸表面13和基質(zhì)17的內(nèi)接觸表面11之間產(chǎn)生接合線(xiàn)14連接，因此半導(dǎo)體芯片2與基質(zhì)17電連接。將緩沖層5涂覆在接合線(xiàn)、半導(dǎo)體芯片2以及環(huán)繞布線(xiàn)基質(zhì)17的上側(cè)的表面上，這樣表面完全用緩沖層5覆蓋。
然后將涂層的半導(dǎo)體芯片2、涂層的接合線(xiàn)14以及基質(zhì)17的涂層的上側(cè)面嵌入在塑料殼體4中。然后可將外觸點(diǎn)安裝在外觸點(diǎn)表面上，這樣就可將構(gòu)件16安裝在一個(gè)印刷電路板上。然后可對(duì)該結(jié)構(gòu)組件16進(jìn)行檢測(cè)。
圖3表示一個(gè)具有扁平導(dǎo)線(xiàn)框架3的半導(dǎo)體構(gòu)件24的橫截面簡(jiǎn)圖，在該圖中嵌入的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面全部涂上一層緩沖層5。在這種實(shí)施方式中緩沖層5具有一個(gè)由一種熱塑性材料6構(gòu)成的第一層和一個(gè)由帶有粘附劑27的第二層26。因此該粘附劑27設(shè)置在熱塑性材料6上。
在圖3的實(shí)施方式中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件28是半導(dǎo)體芯片2、接合線(xiàn)14、芯片島7和扁平導(dǎo)線(xiàn)8的內(nèi)區(qū)域9。
粘附劑層27具有一種金屬氧化物，粘附劑層在該實(shí)施方式中設(shè)有多孔的粗糙表面。粗糙表面改進(jìn)嵌入半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件28和塑料殼體4之間的機(jī)械錨接。
附加的粘附劑層26有如下優(yōu)點(diǎn)，即改進(jìn)塑料殼體4和塑性材料6之間以及塑料殼體4和扁平導(dǎo)線(xiàn)框架3和其它嵌入的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件之間的附著。由于這種粘附劑27，這種設(shè)計(jì)進(jìn)一步降低了形成裂紋的危險(xiǎn)，并且同時(shí)設(shè)置了一個(gè)在出現(xiàn)裂紋時(shí)用熱塑性材料填平這些裂紋的機(jī)構(gòu)。
在這種半導(dǎo)體構(gòu)件中，為了改進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件3和塑料殼體4的表面之間的表面附著在它們安裝到扁平導(dǎo)線(xiàn)框架3之后整個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件3都涂覆緩沖層5。首先是將表面涂覆由熱塑性材料6構(gòu)成的層25。然后在熱塑性材料層25上再涂上一層粘附劑層26。
附圖標(biāo)記列表1 第一半導(dǎo)體構(gòu)件2 半導(dǎo)體芯片3 扁平導(dǎo)線(xiàn)框架4 塑料殼體5 緩沖層6 熱塑性材料7 芯片島8 扁平導(dǎo)線(xiàn)9 扁平導(dǎo)線(xiàn)的內(nèi)區(qū)域10 扁平導(dǎo)線(xiàn)的外區(qū)域11 內(nèi)接觸表面12 膠粘劑13 芯片接觸表面14 接合線(xiàn)15 環(huán)氧樹(shù)脂16 第二半導(dǎo)體構(gòu)件17 環(huán)繞布線(xiàn)基質(zhì)18 下側(cè)面19 外接觸表面20 導(dǎo)軌21 貫通觸點(diǎn)22 介電材料23 粘附劑24 第三半導(dǎo)體構(gòu)件25 第一層26 第二層27 金屬氧化物28 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件
權(quán)利要求
1.具有嵌入到塑料殼體中(4)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的表面至少部分地具有一個(gè)緩沖層(5)，該緩沖層設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)和塑料殼體(4)之間，并且其中該緩沖層(5)至少部分地由一種熱塑性材料(6)制成。
2.按照權(quán)利要求
1所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有低于150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。
3.按照權(quán)利要求
2所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有低于120℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。
4.按照前述權(quán)利要求
中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有高于260℃的熔化溫度(Tm)。
5.按照前述權(quán)利要求
中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有聚酰胺66、聚酰胺46、硫化聚苯醚、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚芳基醚酮、聚醚醚酮或者聚碳酸酯，或者這些聚合物的共聚物。
6.按照前述權(quán)利要求
中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2nm≤D≤10μm之間的平均厚度D。
7.按照權(quán)利要求
6所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2≤D≤300nm之間的平均厚度D。
8.按照權(quán)利要求
7所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2nm≤D≤50nm之間的平均厚度D。
9.按照前述權(quán)利要求
中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(1；16；24)，其特征在于，此外，所述緩沖層(5)還具有一種粘附劑(23)。
10.按照權(quán)利要求
9所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述粘附劑(23)容納在熱塑性材料(6)的結(jié)構(gòu)中。
11.按照權(quán)利要求
9所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述粘附劑(23)作為涂層(26)設(shè)置在熱塑性材料(6)上。
12.按照權(quán)利要求
9至11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(1；16；24)，其特征在于，所述粘附劑(23；27)具有環(huán)氧化物、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、金屬氧化物或半導(dǎo)體氧化物或者這些物質(zhì)的混合物。
13.按照前述權(quán)利要求
中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(1；16；24)，其特征在于，所述緩沖層(5)的孔隙率逐漸地從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的表面上的無(wú)孔隙涂層增加到塑料殼體(4)的過(guò)渡區(qū)域中的微孔形態(tài)。
14.按照前述權(quán)利要求
中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(16)具有帶有結(jié)構(gòu)化的金屬涂層(11、19、20)的布線(xiàn)基質(zhì)(17)。
15.按照前述權(quán)利要求
中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(16)具有一個(gè)帶有結(jié)構(gòu)化的金屬層的陶瓷基質(zhì)。
16.按照權(quán)利要求
1至13中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；24)具有一個(gè)扁平導(dǎo)線(xiàn)框架(3)，該導(dǎo)電框架具有一個(gè)芯片島(7)和內(nèi)部扁平導(dǎo)線(xiàn)(9)，它們?cè)谒芰蠚んw(4)的外部過(guò)渡到作為外觸點(diǎn)的外扁平導(dǎo)線(xiàn)(10)。
17.按照前述權(quán)利要求
中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1)具有一個(gè)半導(dǎo)體芯片(2)。
18.按照前述權(quán)利要求
中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1)具有接合線(xiàn)(14)。
19.具有多個(gè)并排和/或依次地按橫列和/或按縱列設(shè)置的半導(dǎo)體構(gòu)件位置的系統(tǒng)支架(3；17)，為了容納半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)這些半導(dǎo)體構(gòu)件位置具有一種帶有用于與半導(dǎo)體芯片(2)電連接的內(nèi)接觸表面(11)的立體的布線(xiàn)結(jié)構(gòu)(15)，其中，系統(tǒng)支架(3、17)的表面(19)有選擇地具有一個(gè)緩沖層(5)，該緩沖層至少部分地由一種熱塑性材料(6)制成，并且其中所述內(nèi)接觸表面(11)沒(méi)有緩沖層(5)。
20.按照權(quán)利要求
19所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有低于150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg).
21.按照權(quán)利要求
20所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有低于120℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。
22.按照權(quán)利要求
19至21中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有高于260℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tm)。
23.按照權(quán)利要求
19至22中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有聚酰胺66、聚酰胺46、硫化聚苯醚、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚芳基醚酮、聚醚醚酮或者聚碳酸酯，或者這些聚合物的共聚物。
24.按照權(quán)利要求
19至23中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2nm≤D≤10μm之間的平均厚度D。
25.按照權(quán)利要求
24所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2nm≤D≤300nm之間的平均厚度D。
26.按照權(quán)利要求
25所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2nm≤D≤50nm之間的平均厚度D。
27.按照權(quán)利要求
19至26中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述緩沖層(5)還具有一種粘附劑(23、27)。
28.按照權(quán)利要求
27所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述粘附劑(23)容納在熱塑性材料(6)的結(jié)構(gòu)中。
29.按照權(quán)利要求
27所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述粘附劑(23)作為涂層(26)設(shè)置在熱塑性材料(6)上。
30.按照權(quán)利要求
27至29中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述粘附劑(23；27)具有環(huán)氧化物、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、金屬氧化物或半導(dǎo)體氧化物、或者這些物質(zhì)的混合物。
31.按照權(quán)利要求
19至30中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述緩沖層(5)的孔隙率逐漸從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的表面上的無(wú)孔隙涂層增加到塑料殼體(4)的過(guò)渡區(qū)域中的微孔形態(tài)。
32.按照權(quán)利要求
19至31中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(17)具有一種帶有結(jié)構(gòu)化的金屬涂層(11、19、20)的布線(xiàn)基質(zhì)(17)。
33.按照權(quán)利要求
19至32中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(17)具有一種帶有結(jié)構(gòu)化的金屬層(11、19、20)的陶瓷基質(zhì)。
34.按照權(quán)利要求
19至33中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；24)具有一個(gè)扁平導(dǎo)線(xiàn)框架(3)，該扁平導(dǎo)線(xiàn)框架具有一個(gè)芯片島(7)和一個(gè)內(nèi)扁平導(dǎo)線(xiàn)(9)，它們?cè)谒芰蠚んw(4)的外部轉(zhuǎn)變?yōu)樽鳛橥庥|點(diǎn)的外扁平導(dǎo)線(xiàn)(10)。
35.按照權(quán)利要求
34所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述系統(tǒng)支架(3)具有帶有內(nèi)接觸表面(11)的內(nèi)扁平導(dǎo)線(xiàn)(9)，這些內(nèi)接觸表面轉(zhuǎn)變?yōu)橥獗馄綄?dǎo)線(xiàn)(11)并且由一個(gè)系統(tǒng)支架框支承，其中，扁平導(dǎo)線(xiàn)框架具有一個(gè)帶有許多依次設(shè)置的半導(dǎo)體構(gòu)件位置的扁平導(dǎo)線(xiàn)帶，其中，內(nèi)扁平導(dǎo)線(xiàn)(9)在它們的表面上具有緩沖層(5)，并且其中接觸連接表面(11)、外扁平導(dǎo)線(xiàn)(10)和系統(tǒng)支架框架沒(méi)有緩沖層(5)。
36.按照權(quán)利要求
19至35中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，具有有選擇地設(shè)置的緩沖層(5)的系統(tǒng)支架(3)為了它在安裝機(jī)械中的定位沿系統(tǒng)支架框具有孔隙。
37.按照權(quán)利要求
19至36中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述系統(tǒng)支架(3)在接觸連接表面(11)上具有優(yōu)選由銀和/或焊料合金制成的金屬—合金—電鍍層。
38.按照權(quán)利要求
19至37中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述系統(tǒng)支架(3)具有高純銅和/或銅合金作為基礎(chǔ)材料。
39.制造用于半導(dǎo)體構(gòu)件(1)的系統(tǒng)支架(3)的方法，該方法具有下述方法步驟-對(duì)于具有至少一個(gè)金屬表面的基質(zhì)板進(jìn)行結(jié)構(gòu)化，使其成為一個(gè)具有多個(gè)連續(xù)的模型的系統(tǒng)支架(3；17)，該模型用于將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)容納在系統(tǒng)支架(3；17)的半導(dǎo)體構(gòu)件位置中；-給系統(tǒng)支架(3；17)的表面涂上一層緩沖層(5)，該系統(tǒng)支架的表面在制造半導(dǎo)體構(gòu)件(1)時(shí)與塑料殼體(4)構(gòu)成一個(gè)界面，其中，該緩沖層(5)至少部分地由一種熱塑性材料(6)制成。
40.按照權(quán)利要求
39所述的方法，其特征在于，給系統(tǒng)支架(3；17)的表面所進(jìn)行的所述涂層借助于浸漬、噴射或者印刷方法來(lái)進(jìn)行。
41.按照權(quán)利要求
39或者權(quán)利要求
40所述的方法，其特征在于，所述緩沖層(5)全面地沉淀在系統(tǒng)支架(3)的外露的表面上。
42.按照權(quán)利要求
39至41中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在給系統(tǒng)支架(3)涂覆緩沖層(5)之前用一種保護(hù)層蓋住應(yīng)外露的表面區(qū)域。
43.按照權(quán)利要求
39至42中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在給系統(tǒng)支架(3)涂覆緩沖層(5)之后將應(yīng)外露的表面區(qū)域露出。
44.按照權(quán)利要求
39至43中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，此外，所述緩沖層(5)還具有一種粘附劑(23；27)。
45.按照權(quán)利要求
44所述的方法，其特征在于，在熱塑性材料(6)沉淀之后在熱塑性材料(6)的表面上涂覆粘附劑(27)。
46.按照權(quán)利要求
39至44中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，利用一種在2nm≤D≤10μm之間、優(yōu)選在2nm≤D≤300nm之間，最好在2nm≤D≤50nm之間的平均厚度D來(lái)涂覆緩沖層(5)。
47.用于按照權(quán)利要求
39至46中任一項(xiàng)制造多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件(1)的方法，該方法具有下述附加的方法步驟- 制備在表面上有選擇地涂覆有緩沖層(5)的系統(tǒng)支架(3；17)，所述表面與塑料殼體(4)具有一個(gè)邊界層，其中，接觸連接表面(11)不涂層；-將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)、例如半導(dǎo)體芯片(2)安裝到半導(dǎo)體構(gòu)件位置中的系統(tǒng)支架(3；17)上，其中，通過(guò)電連接元件(14)將半導(dǎo)體芯片(2)與內(nèi)接觸表面(11)連接起來(lái)；-將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)嵌入到一個(gè)塑料殼體(4)中；-將系統(tǒng)支架(4；17)拆開(kāi)為單個(gè)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)。
48.按照權(quán)利要求
47所述的方法，其特征在于，在將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)嵌入到塑料殼體(4)中之前，將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的還未涂層的表面也用緩沖層(5)進(jìn)行涂覆。
49.采用首先未涂覆緩沖層(5)的系統(tǒng)支架(3；17)來(lái)制造多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件(1)的方法-將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)、例如半導(dǎo)體芯片(2)安裝到在半導(dǎo)體構(gòu)件位置中的系統(tǒng)支架(3；17)上，其中，通過(guò)電連接元件(14)將半導(dǎo)體芯片(2)與系統(tǒng)支架(3；17)的接觸連接表面(11)連接起來(lái)；-將緩沖層(5)涂覆到應(yīng)嵌入到塑料殼體(4)中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的表面上，其中緩沖層(5)至少部分地由一種熱塑性材料(6)制成；-將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)嵌入到塑料殼體(4)中；-將系統(tǒng)支架(3；17)拆開(kāi)為單個(gè)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(1；16；24)。
50.按照權(quán)利要求
49所述的方法，其特征在于，借助于浸漬、噴射或者印刷方法完成對(duì)于結(jié)構(gòu)組件(28)的表面的涂層。
51.按照權(quán)利要求
49或50所述的方法，其特征在于，此外，所述緩沖層(5)還具有一種粘附劑(23；27)。
52.按照權(quán)利要求
51所述的方法，其特征在于，在熱塑性材料(6)沉淀以后，在熱塑性材料(6)的表面上涂覆所述粘附劑(27)。
53.按照權(quán)利要求
49至52中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，以一種在2nm≤D≤10μm之間、優(yōu)選在2nm≤D≤300nm之間、最好在2nm≤D≤50nm之間的平均厚度D來(lái)涂覆緩沖層(5)。
專(zhuān)利摘要
本發(fā)明涉及一種具有嵌入到塑料殼體中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件(1)，其中，在半導(dǎo)體構(gòu)件(1)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面上設(shè)置一個(gè)緩沖層(5)。該緩沖層(5)具有一種熱塑性材料(6)。
文檔編號(hào)H01L21/56GK1996585SQ200610064122
公開(kāi)日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2006年9月30日
發(fā)明者J·馬勒, S·M·湯 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan