專利名稱:半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種具有以樹脂只密封基板單面的構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的制造方法及利用該制造方法而制造的半導(dǎo)體裝置。更詳言之關(guān)于一種使用于層疊成數(shù)層封裝的層疊型半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，如行動(dòng)電話的可攜式電子機(jī)器或如IC內(nèi)存卡的非揮發(fā)性記憶媒體等更為小型化，而更要求該等機(jī)器或媒體的零件數(shù)的削減及零件的小型化。
因而，期望可開發(fā)出一種有效率封裝用以構(gòu)成該等機(jī)器的零件中作為主要零件的半導(dǎo)體組件的技術(shù)。作為滿足該種要求的封裝之一，為人周知者有將復(fù)數(shù)個(gè)封裝，例如內(nèi)存用的封裝與邏輯用的封裝予以層疊并形成一個(gè)的層疊型封裝。有關(guān)于層疊型封裝的制造方法在專利文獻(xiàn)1～3中有揭示。
第1圖顯示層疊型半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的一例。第1圖所示的層疊型封裝，在第1半導(dǎo)體裝置110的上方層疊第2半導(dǎo)體裝置120而構(gòu)成。第1半導(dǎo)體裝置110，在中繼基板111上搭載有未圖標(biāo)的半導(dǎo)體組件，且以密封材料112密封該半導(dǎo)體組件。又在中繼基板111的背面一側(cè)，設(shè)有安裝與其它基板電連接用的球形113。同樣地第2半導(dǎo)體裝置120亦以鑄模具樹脂122密封搭載于中繼基板121上的半導(dǎo)體組件，且在中繼基板121的背面一側(cè)設(shè)置球形123。
第2(A)圖顯示第1半導(dǎo)體裝置110的習(xí)知第1構(gòu)成的上視圖與截面圖；(B)顯示第1半導(dǎo)體裝置110的習(xí)知第2構(gòu)成的上視圖與截面圖。如第2(A)及(B)圖所示在第1半導(dǎo)體裝置110的中繼基板111上，形成有用以與第2半導(dǎo)體裝置120的球形123電性連接用的電極焊墊114。在將第2半導(dǎo)體裝置120層疊于第1半導(dǎo)體裝置110上時(shí)，通過使第2半導(dǎo)體裝置120的球形123的位置與第1半導(dǎo)體裝置的電極焊墊114的位置一致并使之相接，第1半導(dǎo)體裝置110與第2半導(dǎo)體裝置120即電性連接。
在此，就以密封材料112來密封第1半導(dǎo)體裝置110的半導(dǎo)體組件的方法加以說明。如第1圖所示第1及第2半導(dǎo)體裝置110、120，由保護(hù)半導(dǎo)體組件不受到撞擊或受傷用的密封材料112、122所密封。樹脂的成型一般可依轉(zhuǎn)移鑄模具法來進(jìn)行。轉(zhuǎn)移鑄模具法，在將密封材料112成型于以玻璃環(huán)氧基板為代表的硬質(zhì)中繼基板111上時(shí)，會(huì)如第3圖所示地將中繼基板111直接配置于金屬模具130內(nèi)并以上下的金屬模具130來夾緊。在金屬模具130上，形成有成為所要注入的樹脂通路的閘門(gate)131、或注入樹脂而成型的模具腔(cavity)132，且通過閘門131而供給樹脂至模具腔132內(nèi)，以在半導(dǎo)體組件的周圍填充樹脂。
又，在成為樹脂通路的閘門重迭的中繼基板111的1角隅部，如第2(A)圖所示地形成有施以與密封材料密接性差的鍍金的鍍金部115。在樹脂成型后，為了拆除閘門部分的樹脂，而將該種鍍金部115設(shè)在中繼基板111上。
在形成于中繼基板111上的電極焊墊114的數(shù)量少時(shí)，可如第2(B)圖的第1半導(dǎo)體裝置110的習(xí)知第2構(gòu)成所示地取較大的密封材料112的形成區(qū)域，閘門116亦可設(shè)在中繼基板111的外側(cè)。但是在如第2(A)圖的第1半導(dǎo)體裝置110的習(xí)知第1構(gòu)成所示為了增加電極焊墊114的數(shù)量而取較小的密封材料112的形成區(qū)域，且如第2(A)圖所示形成電極焊墊114以包圍住密封材料112時(shí)，閘門就會(huì)被重迭在中繼基板111上。因此在閘門被重迭的中繼基板111的角隅部上并非是設(shè)置電極焊墊114而是設(shè)置鍍金部115。
專利文獻(xiàn)1日本專利特開平8-236694號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本專利特開2003-218273號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本專利特開平6-13541號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所欲解決的問題
在上面所述的習(xí)知轉(zhuǎn)移鑄模具法中，由于將中繼基板111直接配置在金屬模具130內(nèi)并依密封材料進(jìn)行密封，所以會(huì)發(fā)生在中繼基板111上貼附油脂或樹脂毛邊等的粉末灰塵，以致污染電極焊墊114的問題。因此會(huì)對(duì)接合半導(dǎo)體裝置彼此時(shí)的接合性帶來不良影響，成為制造良率降低的原因。
更且當(dāng)如第2(A)圖所示設(shè)置鍍金部115時(shí)，無法在中繼基板111上的該區(qū)域設(shè)置電極焊墊114。因此，有需要相對(duì)增大中繼基板的尺寸，而成為阻礙半導(dǎo)體裝置的小型化的要因。
又為了解決該種問題雖亦提出一種從半導(dǎo)體組件的上方注入密封材料的頂閘方式的鑄模具方法，但是仍會(huì)發(fā)生很難去除樹脂成型后所殘留的閘門部與流路部的樹脂、樹脂的注入口由于小所以每次使用金屬模具時(shí)需要清潔、及金屬模具由于復(fù)雜所以變成高價(jià)的問題。
本發(fā)明有鑒于所述情事而研創(chuàng)者，其目的在于提供一種可防止中繼基板上所發(fā)生的樹脂毛邊或電極焊墊的污染，且可提高制造良率的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。
解決問題的手段
為了達(dá)成該種目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有配置耐熱薄板以覆蓋形成于中繼基板上的電極端子的步驟；及利用金屬模具夾住且以密封材料密封搭載于所述中繼基板上的半導(dǎo)體組件的步驟。
在以耐熱薄板覆蓋電極端子以保護(hù)電極端子之后，通過以密封材料密封半導(dǎo)體組件，以使污物不會(huì)附著在電極端子。在將密封材料設(shè)為樹脂的情況可防止中繼基板上所發(fā)生的樹脂毛邊或電極焊墊的污染，且可提高制造良率。又，通過在中繼基板與所要密封的密封材料之間夾入耐熱薄板，即可在成型后從中繼基板輕易地剝離密封材料。因而，沒有必要設(shè)置用以剝離密封材料的鍍金，且亦可在相當(dāng)于中繼基板的閘門的區(qū)域配置電極端子，而可使半導(dǎo)體裝置小型化。
又，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述耐熱薄板亦可黏接于所述中繼基板。
通過將耐熱薄板黏接在中繼基板，即可防止耐熱薄板的位置偏移或剝離。
又所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述耐熱薄板層疊成數(shù)層，且與所述中繼基板的相接一側(cè)具有柔軟性為佳。
由于耐熱薄板層疊成數(shù)層，且與中繼基板的相接一側(cè)具有柔軟性，所以不會(huì)發(fā)生因金屬模具夾緊時(shí)所產(chǎn)生的壓力損壞中繼基板的不良情形。又在因金屬配線等而在中繼基板的表面發(fā)生凹凸不平時(shí)，通過與具有柔軟性的耐熱薄板相接而不會(huì)使密封材料進(jìn)入凹凸內(nèi)。
又所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述耐熱薄板亦可具有將所述耐熱薄板配置在所述中繼基板上用的開口，以保證不與所述密封材料所密封的半導(dǎo)體組件重疊。
由于耐熱薄板在密封材料成型后從中繼基板去除，所以通過將耐熱薄板配置成不與密封材料部重迭，即可輕易地去除耐熱薄板。
又所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，亦可具有在配置有所述耐熱薄板的所述中繼基板的背面一側(cè)安裝球形端子的步驟。
通過在附有耐熱薄板的狀態(tài)下直接安裝中繼基板的背面一側(cè)的球形端子，即可在安裝球形端子時(shí)通過涂敷助焊劑或使用藥液的助焊劑清洗而不使中繼基板的電極端子受到污染。
又所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述中繼基板與所述耐熱薄板，亦可具有與設(shè)在所述金屬模具上的導(dǎo)銷相嵌合的導(dǎo)孔，且所述中繼基板與所述耐熱薄板可通過將所述導(dǎo)銷插入于所述導(dǎo)孔內(nèi)而定位于所述金屬模具。
配設(shè)于金屬模具的導(dǎo)銷，雖被用于中繼基板的定位，但是亦可通過將的用于耐熱薄板的定位，而無損中繼基板與耐熱薄板的位置關(guān)而可確實(shí)地在金屬模具內(nèi)配置中繼基板與耐熱薄板。
又所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述金屬模具的構(gòu)造亦可所述通路與所述模具腔邊界入口的截面積，小于所述密封材料注入模具腔內(nèi)的通路的截面積。
可將配置有耐熱薄板的閘門部的內(nèi)部壓力比起模具腔入口附近的內(nèi)部壓力還提高，且可利用內(nèi)部壓力來壓住耐熱薄板。因而，可防止作為密封材料的樹脂進(jìn)入耐熱薄板與中繼基板之間。
所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，亦可具有從所述中繼基板上拆除所述耐熱薄板的步驟。
又所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述電極端子，亦可形成在所述中繼基板上的所述半導(dǎo)體組件的配置區(qū)域以外的全部區(qū)域。
依據(jù)該半導(dǎo)體裝置的制造方法，則亦可在相當(dāng)于中繼基板上的閘門的區(qū)域配置電極端子。因而可將半導(dǎo)體裝置小型化。
又所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，亦可具有在所述密封材料所密封的所述半導(dǎo)體組件上層疊其它半導(dǎo)體裝置的步驟。
通過形成層疊型半導(dǎo)體裝置，即可完成半導(dǎo)體組件的有效率的封裝。
又所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述密封材料亦可由樹脂組成。通過以樹脂來封裝半導(dǎo)體組件，即可保護(hù)半導(dǎo)體組件不受到撞擊或受傷。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，具有被密封材料所密封的半導(dǎo)體組件；中繼基板，其搭載有被所述密封材料所密封的所述半導(dǎo)體元件；及所述密封材料，其使用用以覆蓋所述中繼基板上的電極端子的耐熱薄板，并通過對(duì)所述半導(dǎo)體元件進(jìn)行的密封而使外形成型。
在以耐熱薄板覆蓋電極端子以保護(hù)電極端子之后，通過以密封材料密封半導(dǎo)體組件，以使污物不會(huì)附著在電極端子。因而，在將密封材料設(shè)為樹脂時(shí)可防止中繼基板上所發(fā)生的樹脂毛邊或電極焊墊的污染，且可提高制造良率。
發(fā)明效果
本發(fā)明，可防止中繼基板上所發(fā)生的樹脂毛邊或電極焊墊的污染，且可提高制造良率。
第1圖顯示習(xí)知層疊型半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的截面圖。
第2(A)圖顯示第1半導(dǎo)體裝置的習(xí)知第1構(gòu)成的上視圖與截面圖；(B)顯示第1半導(dǎo)體裝置的習(xí)知第2構(gòu)成的上視圖與截面圖。
第3圖顯示以金屬模具夾緊習(xí)知第1半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的示意圖。
第4圖顯示本發(fā)明的層疊型半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的截面圖。
第5圖顯示第1半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的上視圖與截面圖。
第6圖顯示第1半導(dǎo)體裝置的制造順序的流程圖。
第7(A)圖顯示在中繼基板11上搭載半導(dǎo)體組件14的狀態(tài)的示意圖；(B)顯示將中繼基板11載置于下側(cè)金屬模具42上的狀態(tài)的示意圖；(C)顯示在中繼基板11上配置耐熱薄板31的狀態(tài)的示意圖；(D)顯示以金屬模具41、42夾緊搭載有半導(dǎo)體組件14的中繼基板11的狀態(tài)的示意圖；(E)顯示介以閘口50將樹脂密封在模具腔內(nèi)的狀態(tài)的示意圖；(F)顯示在樹脂成型后，拆除上側(cè)金屬模具41的狀態(tài)的示意圖；(G)將下側(cè)金屬模具42從中繼基板11拆除的狀態(tài)的示意圖；(H)顯示閘門裂斷(gate break)處理后的第1半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的示意圖；(I)顯示去除耐熱薄板31后的第1半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的示意圖。
第8圖顯示配置于中繼基板上的耐熱薄板的示意圖。
第9圖顯示金屬模具的構(gòu)成的截面圖。
第10圖顯示第1半導(dǎo)體裝置的其它制造順序的流程圖。
第11(A)圖顯示將耐熱薄板31殘留于中繼基板11上的狀態(tài)的示意圖；(B)顯示依探針60進(jìn)行測(cè)試的狀態(tài)的示意圖；(C)顯示測(cè)試結(jié)束后去除耐熱薄板31的狀態(tài)的示意圖。
第12圖顯示第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造順序的示意圖，且顯示在第1耐熱薄板上配置第2耐熱薄板的狀態(tài)的示意圖。
具體實(shí)施方式其次，一面參照附圖而一面就實(shí)施本發(fā)明用的最佳形態(tài)加以說明。另外，以下雖以層疊型半導(dǎo)體裝置的制造方法為例加以說明，但是依本發(fā)明所制造的半導(dǎo)體裝置，并非限定于層疊型半導(dǎo)體裝置。例如，亦可適用作為依半導(dǎo)體組件的樹脂密封而防止信號(hào)圖案的污染的技術(shù)。
實(shí)施例1
首先，一面參照第4圖一面說明依本發(fā)明而制造的層疊型半導(dǎo)體裝置的一例。第4圖所示的層疊型半導(dǎo)體裝置1，采用在第1半導(dǎo)體裝置10上層疊第2半導(dǎo)體裝置20的二層構(gòu)成。
第1半導(dǎo)體裝置10如第4圖所示在中繼基板11的表面?zhèn)却钶d半導(dǎo)體組件14，且以密封材料12來密封該半導(dǎo)體組件14。通過以密封材料12來密封該半導(dǎo)體組件14，即可防止半導(dǎo)體組件14上所發(fā)生的撞擊或受傷。密封材料12可使用環(huán)氧、聚硅氧、聚酰亞胺等的樹脂。又在中繼基板11的背面一側(cè)設(shè)有球形13，其被使用于與試驗(yàn)用探針的試驗(yàn)接腳、或其它基板間的連接。
第2半導(dǎo)體裝置20亦如第4圖所示在中繼基板11的表面?zhèn)却钶d未圖標(biāo)的半導(dǎo)體組件，且以密封材料來密封中繼基板21的基板全面。在中繼基板11的背面一側(cè)設(shè)有球形23，其可取得第1半導(dǎo)體裝置10與第2半導(dǎo)體裝置20間的電性連接。又如第4圖所示，第1半導(dǎo)體裝置10與第2半導(dǎo)體裝置20可以接著劑2而黏接固定。
在此，一面參照第5圖一面說明第1半導(dǎo)體裝置10的構(gòu)成。第5圖顯示從上方觀看第1半導(dǎo)體裝置10的上視圖與從側(cè)方觀看的側(cè)視圖。在第1半導(dǎo)體裝置10的中繼基板11上，如第5圖的上視圖所示形成有電極焊墊(端子)17。本實(shí)施例中，電極焊墊(端子)17形成于除了半導(dǎo)體組件的形成區(qū)域以外的中繼基板11上的區(qū)域。亦即，由于沒有必要形成如第2(A)圖所示的鍍金部115，所以可在除了半導(dǎo)體組件的形成區(qū)域以外的中繼基板11上形成電極焊墊(端子)17。通過使電極焊墊(端子)17、與設(shè)于第2半導(dǎo)體裝置20的背面一側(cè)的球形23接觸，第2半導(dǎo)體裝置20與第1半導(dǎo)體基板10即電性連接。
其次，一面參照第5圖的側(cè)視圖一面就密封半導(dǎo)體組件的密封材料12加以說明。密封材料12包含如第5圖所示形成于中繼基板11上的第1密封材料3(12)、及形成于該第1密封材料3(12)上的四角錐梯形的第2密封材料4(12)。亦即，第1密封材料3(12)包圍住第2密封材料4(12)的外周，且第1密封材料3(12)成為第2密封材料4(12)的凸緣部。密封材料12成為該種形狀，為了在密封半導(dǎo)體組件的密封材料12的形成步驟中，配置耐熱薄板31以覆蓋形成于中繼基板11上的電極焊墊(端子)17，而形成密封材料所致。換句話說，在密封材料12形成凸緣部，為了將耐熱薄板31從密封材料12的配置區(qū)域離開指定距離而配置所致(參照第7(C)、(D)圖)，而流入至形成區(qū)域與耐熱薄板31的間作為密封材料的樹脂會(huì)直接殘留在中繼基板11上而成為凸緣部。
在此，一面參照第6圖所示的流程圖一面就以密封材料12來密封第1半導(dǎo)體裝置10的半導(dǎo)體組件14的順序加以說明。另外，在此雖以第1半導(dǎo)體裝置10為例加以說明，但是就第2半導(dǎo)體裝置20而言亦可以同樣的順序來成型密封材料22。又，以下順序中，使用樹脂作為密封材料12，且說明依樹脂而密封半導(dǎo)體組件的順序。
首先，將第1半導(dǎo)體裝置10搭載在下側(cè)金屬模具42上(步驟S1)。第1半導(dǎo)體裝置10如第7(A)圖所示在中繼基板11上搭載半導(dǎo)體組件14，而半導(dǎo)體組件14與中繼基板11可依金屬線15而電性連接。又在下側(cè)金屬模具42如第7(B)圖所示設(shè)有導(dǎo)銷43，而在第1半導(dǎo)體裝置10的中繼基板11設(shè)有與該導(dǎo)銷43相嵌合的導(dǎo)孔16。通過使第1半導(dǎo)體裝置10的導(dǎo)孔16嵌合在下側(cè)金屬模具42的導(dǎo)銷43內(nèi)，即可如第7(B)圖所示地使第1半導(dǎo)體裝置10定位于下側(cè)金屬模具42。
其次，將依樹脂密封而防止電極焊墊(端子)17的污染的耐熱薄板31設(shè)置在第1半導(dǎo)體裝置10的中繼基板11上(步驟S2)。在耐熱薄板31亦形成有導(dǎo)孔32，通過將下側(cè)金屬模具42的導(dǎo)銷43插入于該導(dǎo)孔32內(nèi)，即可使耐熱薄板31定位于中繼基板11上。第7(C)圖顯示在中繼基板11上配置耐熱薄板31的狀態(tài)；第8圖顯示配置有耐熱薄板31的第1半導(dǎo)體裝置10的上視圖。耐熱薄板31如第8圖所示中央部分被鑿開而成為開口，且在用以成型密封材料12的模具腔周圍，以覆蓋電極焊墊(端子)17上的方式而配置。另外，在耐熱薄板31亦可事先涂敷接著劑，俾于配置于中繼基板11上時(shí)不會(huì)從中繼基板11剝落。
耐熱薄板31可使用PET(Polyethylene Terephthalate，聚對(duì)苯二甲二乙酯)樹脂、氟系樹脂、金屬性薄板、紙漿系樹脂等。又在密封材料12成型時(shí)，上下金屬模具41、42保持于170℃前后。因此耐熱薄板31以選擇即使在約175℃的溫度下亦幾乎不發(fā)生變形或尺寸變化者為佳。通過即使在高溫下亦不發(fā)生尺寸變化即可防止在耐熱薄板31與中繼基板11的間流入作為密封材料12的樹脂。另外，第7圖雖只圖示搭載于中繼基板11上的一個(gè)半導(dǎo)體組件14，但是半導(dǎo)體組件的封裝，由于可將復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體組件搭載于中繼基板11上，且在樹脂密封或指定的處理后切斷中繼基板11以分切成各半導(dǎo)體裝置，所以耐熱薄板31亦可不依每一半導(dǎo)體組件獨(dú)立。
其次，如第7(D)圖所示夾緊上側(cè)金屬模具41與下側(cè)金屬模具42(步驟S3)，且如第7(E)圖所示將密封材料12的樹脂密封在模具腔內(nèi)(步驟S4)。在安裝上側(cè)金屬模具41時(shí)，由于如第7(D)圖所示在上側(cè)金屬模具41上亦設(shè)有導(dǎo)孔44，所以可通過使導(dǎo)孔44嵌合在設(shè)于下側(cè)金屬模具42上的導(dǎo)銷43以使上側(cè)金屬模具41配置在第1半導(dǎo)體裝置10上的指定位置。
對(duì)模具腔內(nèi)注入密封材料12的樹脂，從成為樹脂通路的閘門部50開始進(jìn)行。此時(shí)，由于在閘門部50的下方如第7(D)圖所示配置有耐熱薄板31，所以即使從閘門部50注入樹脂亦不會(huì)讓樹脂附著在電極焊墊(端子)17。因此通過在耐熱薄板3 1上產(chǎn)生容易在中繼基板11上的密封材料端面發(fā)生的樹脂毛邊，并去除耐熱薄板31即可將中繼基板11的表面保持干凈。又，沒有必要在中繼基板11上的閘門部50重迭的區(qū)域設(shè)置鍍金部，而可在中繼基板11的全部角隅不浪費(fèi)地配置電極。
又金屬模具41、42形成模具腔入口51的截面積比閘門部50的樹脂通路的截面積小。亦即，第9圖所示的閘門部50的通路的截面積a，形成比模具腔入口51的截面積b大。通過采用該種構(gòu)成即可將配置有耐熱薄板31的閘門部50的內(nèi)部壓力比模具腔入口51附近的內(nèi)部壓力更加提高，且可利用內(nèi)部壓力來壓住耐熱薄板31。因而，可防止密封材料12進(jìn)入耐熱薄板31與中繼基板11的間。
當(dāng)密封材料12的樹脂結(jié)束密封時(shí)(步驟S4)，如第7(F)圖所示將上側(cè)金屬模具41從第1半導(dǎo)體裝置10上拆除(步驟S5)，且將第1半導(dǎo)體裝置10從下側(cè)金屬模具42取出(步驟S6)。
當(dāng)從下側(cè)金屬模具42拆除第1半導(dǎo)體裝置10時(shí)(步驟S6)，進(jìn)行將密封材料12與閘門部50的樹脂予以分離的閘門裂斷(gatebreak)處理(步驟S7)。當(dāng)利用閘門裂斷處理以拆除閘門部50的樹脂時(shí)，將耐熱薄板31從中繼基板11上去除以結(jié)束一系列的處理(步驟S8)。
如此在本制造順序中，當(dāng)利用密封材料來密封半導(dǎo)體組件14時(shí)，事先配置耐熱薄板31，且通過在耐熱薄板31上重迭用以注入密封材料12的樹脂的閘門部50，即不會(huì)在電極焊墊(端子)17上發(fā)生污染。因而，可將設(shè)在閘門部50的下方的電極焊墊(端子)17使用于與層疊于上方的半導(dǎo)體裝置間的電性連接。因此，沒有必要增大中繼基板的大小，而可提高制造良率。
另外，上面所述的制造順序中，雖然在閘門裂斷處理后才去除耐熱薄板31，但是亦可事先將耐熱薄板31直接配置于中繼基板11上，而使用于后段步驟中。茲就該順序一面參照第10圖所示的流程圖一面加以說明。
本順序中，當(dāng)以閘門裂斷處理來拆除閘門部50的樹脂時(shí)(步驟S16)，以使耐熱薄板31搭載于中繼基板11上的狀態(tài)直接安裝球形13(步驟S17)。第11(A)圖顯示在中繼基板11的背面一側(cè)安裝球形13的狀態(tài)。當(dāng)安裝球形13時(shí)，在該球形13連接第11(B)圖所示的探針60以進(jìn)行測(cè)試(步驟S18)。從探針60供給電源或測(cè)試信號(hào)以測(cè)試第1半導(dǎo)體裝置10是否正常動(dòng)作。當(dāng)測(cè)試結(jié)束時(shí)，如第11(C)圖所示將耐熱薄板31從中繼基板11上剝離，而完成第1半導(dǎo)體裝置10(步驟S19)。
如此在本制造順序中，事先將密封材料成型時(shí)所使用的耐熱薄板31直接貼附在中繼基板11上，以實(shí)施球形13的搭載與測(cè)試。在球形13的安裝方面，由于進(jìn)行助焊劑涂敷或使用藥液的助焊劑清洗，所以中繼基板11的電極焊墊(端子)17容易受到污染。因此，通過事先利用耐熱薄板31來覆蓋電極焊墊(端子)17即可將中繼基板11的表面保持于干凈的狀態(tài)，且可謀求制造良率的提高。
實(shí)施例2
其次，一面參照附圖一面就本發(fā)明的第2實(shí)施例加以說明。本實(shí)施例，如第12圖所示在中繼基板11上配置二種耐熱薄板，且將的以金屬模具41、42夾入以進(jìn)行密封材料12的樹脂密封。配置于中繼基板11上的第1耐熱薄板71，紙張或化學(xué)薄板等所構(gòu)成的具有柔軟性的薄板，而配置于第1耐熱薄板71上的第2耐熱薄板72，金屬等所構(gòu)成的具有剛性的薄板。亦即，在中繼基板11與第2耐熱薄板72的間夾入具有柔軟性的第1耐熱薄板71。
通過使與玻璃環(huán)氧基板等的硬質(zhì)中繼基板11相對(duì)向的第1耐熱薄板71具有柔軟性(緩沖性)，即可防止因金屬模具夾緊時(shí)的壓力而使中繼基板11破損的不良情形。又在中繼基板11的表面，雖然因銅等的金屬配線而會(huì)發(fā)生凹凸不平，但是通過第1耐熱薄板71具備柔軟性，即可防止第1耐熱薄板71對(duì)應(yīng)中繼基板11的凹凸而變形，而使密封材料進(jìn)入凹凸的不良情形。
另外，該第1耐熱薄板71與第2耐熱薄板72，亦與上面所述的第1實(shí)施例的耐熱薄板31同樣以選擇即使在約175℃的溫度下幾乎不發(fā)生變形或尺寸變化者為佳。更且第12圖，雖已例示耐熱薄板由第1耐熱薄板71與第2耐熱薄板72的二片所構(gòu)成的情況，但是一片耐熱薄板亦可分為二層，使下側(cè)的層具有柔軟性，上側(cè)的層具有剛性。
上面所述的實(shí)施例本發(fā)明的較佳實(shí)施例。但并非限定于此，只要在未脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)均可做各種變化實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有配置耐熱薄板以覆蓋形成于中繼基板上的電極端子的步驟；及利用金屬模具夾住且以密封材料密封搭載于所述中繼基板上的半導(dǎo)體元件的步驟。
2.如權(quán)利要求
1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述耐熱薄板黏接于所述中繼基板。
3.如權(quán)利要求
1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述耐熱薄板層疊成數(shù)層，且與所述中繼基板相接一側(cè)具有柔軟性。
4.如權(quán)利要求
1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述耐熱薄板具有將所述耐熱薄板配置在所述中繼基板上用的開口，以保證不與所述密封材料所密封的半導(dǎo)體元件重疊。
5.如權(quán)利要求
1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，還具有在配置有所述耐熱薄板的所述中繼基板的背面一側(cè)安裝球形端子的步驟。
6.如權(quán)利要求
1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述中繼基板與所述耐熱薄板具有與設(shè)在所述金屬模具的導(dǎo)銷相嵌合的導(dǎo)孔，且所述中繼基板與所述耐熱薄板可通過將所述導(dǎo)銷插入于所述導(dǎo)孔內(nèi)而定位于所述金屬模具。
7.如權(quán)利要求
1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述金屬模具的構(gòu)造為所述通路與所述模具腔邊界入口的截面積小于所述密封材料注入模具腔內(nèi)的通路的截面積。
8.如權(quán)利要求
1或5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，還具有從所述中繼基板上拆除所述耐熱薄板的步驟。
9.如權(quán)利要求
1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述電極端子形成在所述中繼基板上的所述半導(dǎo)體元件的配置區(qū)域以外的全部區(qū)域。
10.如權(quán)利要求
1至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，還具有在所述密封材料所密封的所述半導(dǎo)體元件上層疊其它半導(dǎo)體裝置的步驟。
11.如權(quán)利要求
1至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述密封材料由樹脂組成。
12.一種半導(dǎo)體裝置，具有被密封材料所密封的半導(dǎo)體元件；中繼基板，其搭載有被所述密封材料所密封的所述半導(dǎo)體元件；及所述密封材料，其使用用以覆蓋所述中繼基板上的電極端子的耐熱薄板，并通過對(duì)所述半導(dǎo)體元件進(jìn)行密封而使其外形成型。
專利摘要
本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有配置耐熱薄板(31)以覆蓋形成于中繼基板(11)上的電極焊墊(端子)(17)的步驟；及利用金屬模具(41、42)夾住中繼基板與耐熱薄板(31)，且進(jìn)行樹脂密封的步驟。在利用耐熱薄板覆蓋電極焊墊(端子)(17)以保護(hù)電極焊墊(端子)(17)之后，通過以樹脂密封半導(dǎo)體組件(14)，就不會(huì)發(fā)生污物附著在電極焊墊(端子)(17)上的不良情形。因此，可防止中繼基板(11)上所發(fā)生的樹脂毛邊或電極焊墊的污染，且可提高制造良率。
文檔編號(hào)H01L21/56GK1998077SQ200480043628
公開日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2004年5月20日
發(fā)明者新間康弘, 河西純一, 目黑弘一, 小野寺正德, 田中淳二 申請(qǐng)人:斯班遜有限公司, 斯班遜日本有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan