專利名稱:用于fib電路修改的終點檢測的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種使用一聚焦離子束來檢測一終點的方法以及一種終點檢測系統(tǒng)。更具體地，本申請涉及使用一恒流電源對一所要修改的集成電路進(jìn)行供能的終點檢測系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在集成電路(IC)開發(fā)過程期間可使用聚焦離子束(FIB)研磨來修改包含于半導(dǎo)體裝置的一個或多個層內(nèi)的電路。FIB可用于在實體上修改IC內(nèi)的跡線。在FIB IC修改中，可在IC內(nèi)研磨出極小的孔(也稱作通路)，以便暴露出隱埋于IC表面下面的導(dǎo)電層或跡線。所述通路的深度可僅處于微米數(shù)量級。因此，知曉所述FIB研磨過程何時已到達(dá)導(dǎo)電層或跡線對于成功進(jìn)行修改而言至關(guān)重要。欠研磨或者在到達(dá)導(dǎo)電層或跡線之間制成一通路可能會導(dǎo)致電連接較差。另外，過研磨或者在已到達(dá)導(dǎo)電層或跡線之后仍繼續(xù)進(jìn)行研磨則可能會破壞導(dǎo)體并使預(yù)期的修改失敗。
由于FIB研磨過程所需要的精度，可采用各種終點檢測方法。其中一種方法采用視覺反饋。周期性地停止FIB研磨過程并由操作員觀察所研磨的孔以檢查是否已到達(dá)導(dǎo)電層或跡線。通常，由于孔的尺寸很小，因此操作員使用某種類型的聚焦離子束或掃描電子顯微鏡方法來觀察終點。
對于縱橫比較低或者直徑相對較大的孔(其中孔的深度小于孔直徑的三倍或者孔直徑大于約0. 75微米)，視覺檢驗可為一種可令人接受的終點檢測方法。然而，視覺檢驗對于縱橫比較大的孔則不能令人接受地起作用。在縱橫比非常大的通路(其中孔的深度大于或等于孔直徑的大約十倍)中，孔的深度可能使操作員看不到孔的底部，或者孔底部的對比度可能不足以使操作員判定是否已到達(dá)所需的層。
—種替代的終點檢測方法使用一種使其研磨參數(shù)與研磨時間或總離子劑量相關(guān)的FIB。在此種終點檢測系統(tǒng)中，使用具有既定離子流的FIB來研磨一測試IC中的各個孔。使所述孔的深度與研磨時間或總離子劑量相關(guān)聯(lián)以產(chǎn)生一特性曲線。可產(chǎn)生在其他射束電流情況下的曲線，并還可為不同的IC類型、不同代的工藝、及不同的IC邊界產(chǎn)生曲線。然后，可通過檢查最接近的特性曲線來近似得到為獲得所期望的孔深度而需要的研磨時間。[0007] 許多特性曲線并不能確保對所需裝置進(jìn)行精確的研磨，這是因為按時間及離子流進(jìn)行的研磨是假定研磨工藝在多個裝置中始終如一。而各裝置之間的均勻度可能無法始終足以根據(jù)特性曲線來預(yù)測研磨深度。裝置制造工藝中或者FIB系統(tǒng)中的漂移可能需要對研磨工藝進(jìn)行徹底的重新表征。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示一種使用一恒流電源對所要修改的集成電路(IC)進(jìn)行供能的聚焦離子束(FIB)研磨終點檢測系統(tǒng)。在研磨工藝中使FIB在所要觸及的導(dǎo)電跡線上方循環(huán)。可在研磨工藝過程中監(jiān)測IC的輸入電壓并部分地根據(jù)所述電壓來確定終點。[0009] 在一個方面中，本發(fā)明包括一種使用FIB來檢測終點的方法。所述方法包括使用一恒流電源對一裝置進(jìn)行供能，使用所述FIB來移除所述裝置上一導(dǎo)體的至少一部分上方的材料，監(jiān)測所述裝置的一 電源電壓，并部分地根據(jù)所述電源電壓來確定到達(dá)所述終點。[0010] 在另一個方面中，本發(fā)明包括一種使用FIB來檢測終點的方法。所述方法包括使用一恒流電源對一裝置進(jìn)行供能，使用所述FIB來移除所述裝置上一導(dǎo)體的至少一部分上方的材料，監(jiān)測所述裝置的一電源電壓，并部分地根據(jù)所述電源電壓來確定到達(dá)所述終點；其中使用所述恒流電源對所述裝置進(jìn)行供能包括對所述裝置施加一偏流直至所述電源電壓處于一標(biāo)稱工作電壓的一預(yù)定百分比以內(nèi)為止。
在另一個方面中，本發(fā)明包括一種使用FIB來檢測終點的方法。所述方法包括使用一恒流電源對一裝置進(jìn)行供能直至一電源電壓處于一標(biāo)稱工作電壓的一預(yù)定百分比內(nèi)為止，使用一循環(huán)的FIB來研磨所述裝置中與一導(dǎo)電跡線的至少一部分相交疊的部分，監(jiān)測所述電源電壓的AC分量，當(dāng)所述AC分量大于或等于一預(yù)定值時即判定到達(dá)所述終點，并在判定到達(dá)所述終點之后停止研磨。
在又一方面中，本發(fā)明包括一種使用FIB來檢測終點的方法。所述方法包括使用所述FIB來研磨一裝置以移除一導(dǎo)電跡線的至少一部分上面的材料，使用所述FIB向所述導(dǎo)電跡線上注入電流，使用所述裝置放大所述電流以形成一終點檢測信號，并在所述終點檢測信號超過一預(yù)定閾值時判定達(dá)到所述終點。
在再一方面中，本發(fā)明包括一種使用FIB來檢測終點的方法。所述方法包括使用一循環(huán)的FIB向一裝置內(nèi)的一導(dǎo)電跡線上注入一電流，使用所述裝置內(nèi)的一電子電路放大所述電流以形成一放大的信號，并至少部分地根據(jù)所述放大的信號來判定達(dá)到所述終點。[0014] 在再一方面中，本發(fā)明包括一種終點檢測系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包括一FIB，其經(jīng)配置以從一裝置中移除一導(dǎo)電跡線的一部分上方的材料；一恒流電源，其經(jīng)配置以向所述裝置提供一偏流；一放大器，其經(jīng)配置以放大一裝置電源電壓的至少一分量以形成一放大的信號；及一控制模塊，其經(jīng)配置以處理所述放大的信號并提供一對一 FIB位置的指示，所述控制模塊經(jīng)配置以部分地根據(jù)所述放大的信號來指示達(dá)到所述終點。
在再一方面中，本發(fā)明包括一種終點檢測系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包括用于對一裝置進(jìn)行供能的構(gòu)件；用于從所述裝置中移除所述裝置內(nèi)一導(dǎo)體的至少一部分上方的材料的構(gòu)件；用于監(jiān)控所述裝置的一電源電壓的構(gòu)件；及用于部分地根據(jù)所述電源電壓來判定達(dá)到所述終點的構(gòu)件。


結(jié)合附圖閱讀下文所作的詳細(xì)說明將更易得知本發(fā)明實施例的特征、目的及優(yōu)點，在各附圖中，相同的元件帶有相同的參考編號。
圖1為一裝置的剖視圖，其例示一研磨至一導(dǎo)電層上的導(dǎo)體的通路；[0018]
圖2為一終點檢測系統(tǒng)的功能性方塊圖；
5[0019]
圖3為所述終點檢測系統(tǒng)的一顯示一代表性的門的功能性方塊圖；[0020]
圖4為一種終點檢測方法的流程圖；[0021] 圖5A-5B為FIB掃描圖案的圖式。
具體實施方式
本發(fā)明揭示一種在一FIB研磨系統(tǒng)中進(jìn)行終點檢測的系統(tǒng)及方法。所述系統(tǒng)及方法可使用一恒流電源來對所要修改的裝置進(jìn)行供能。所要修改的裝置的信號引腳或非電源引腳可全部接地、全部浮動、全部拉高、或者可配置成一種包括接地、拉高、及浮動連接的組合的預(yù)定狀態(tài)。可將FIB置于所要修改的裝置上所需跡線或電連接線的位置上方。然后，可施加FIB射束電流來開始研磨所要修改的裝置。
可通過使射束電流循環(huán)或通過實體循環(huán)來使FIB循環(huán)。通過使射束電流循環(huán)可產(chǎn)生一其負(fù)載循環(huán)對應(yīng)于用于使所述射束電流循環(huán)的負(fù)載循環(huán)的FIB。實體循環(huán)可通過將FIB在實體上重新定位成使射束在研磨時間的一部分中位于所需導(dǎo)體上方來實現(xiàn)。在實體循環(huán)中，F(xiàn)IB可保持受到供能，但射束僅可在研磨時間的一百分比內(nèi)位于所需導(dǎo)體上方。[0024] 在移除所述裝置中的上部層后，F(xiàn)IB便可到達(dá)所需導(dǎo)體。當(dāng)FIB到達(dá)所需導(dǎo)體時，F(xiàn)IB可用作一電荷泵或電流源來向所述裝置內(nèi)與所需導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)或以其他方式與所需導(dǎo)體共用的電子電路貢獻(xiàn)信號能量。根據(jù)所述裝置的配置而定，所述相關(guān)聯(lián)的電子電路可用作一放大器并放大FIB電流。
當(dāng)所述裝置放大FIB電流時，電源電流的對應(yīng)變化可在輸入電源電壓中產(chǎn)生變
化。電源電壓的波動可用作一放大的FIB輸出信號。如果使FIB循環(huán)，則裝置的電源電壓
可為一已疊加一 AC信號的DC信號，且其負(fù)載循環(huán)對應(yīng)于FIB負(fù)載循環(huán)。
可對一位于所述裝置外部的AC耦合的放大器進(jìn)行配置來監(jiān)測施加至所述裝置的
電源電壓。所述放大器可進(jìn)一步放大電源電壓的AC分量。然后可使用放大的AC分量來判
定何時停止FIB研磨?？蓪⒎糯蟮姆至坷缗c一閾值進(jìn)行比較并且一旦所述信號超過所述
閾值便可終止FIB研磨。
圖1為一裝置100的剖視圖，其例示一使用本發(fā)明的系統(tǒng)及方法研磨至一導(dǎo)電層上一導(dǎo)體148的通路180。裝置100的結(jié)構(gòu)僅供作為可使用所揭示系統(tǒng)及方法來研磨的可能的裝置100結(jié)構(gòu)的一實例。所述FIB終點檢測系統(tǒng)及方法廣泛適用于任意裝置100類型或結(jié)構(gòu)。
在圖l所示的實例中，裝置100構(gòu)造于一襯底102上，襯底102例如可為一n型半導(dǎo)體襯底。一n型層120可形成于襯底102頂部，或者可由襯底102的一部分制成。[0029]
根據(jù)所制造的結(jié)構(gòu)的類型而定，可在n型層120內(nèi)布置諸多經(jīng)摻雜的井或植入物。在圖l所示的實例中，一P型井130包括一p+區(qū)域136以及兩個n+區(qū)域132及134。另外，在n型層120內(nèi)包含兩個p+區(qū)域124及126和一 n+區(qū)域122。
—帶有導(dǎo)體的層沉積于n型層120上面。第一層導(dǎo)體可稱作一金屬-l層，盡管所述導(dǎo)體并僅不限于金屬導(dǎo)體，而是還可包含其他導(dǎo)電材料。在所述金屬-1層中，可看到四條導(dǎo)體142、 144、 146及148的剖面。導(dǎo)體142、 144、 146及148覆蓋有一絕緣層140。[0031]
—第二導(dǎo)體層-其可稱作一金屬-2層-可形成于絕緣層140上。所述金屬-2層可包括例如覆蓋有一第二絕緣層160的三條導(dǎo)體162、 164及166。 一通路152可從所述金屬_2層上的第一導(dǎo)體162延伸至所述金屬-1層上的導(dǎo)體142。
類似地， 一第三導(dǎo)體層-其可稱作一金屬-3層-可包括可覆蓋有一第三絕緣層170的兩條導(dǎo)體172及174。穿層通路163及165可從金屬_3層上的導(dǎo)體172及174延伸至金屬_2層上的導(dǎo)體162及164。通常，通路152、 163及165是用于在各金屬層之間投送信號或電力的導(dǎo)電通路。
可通過所揭示的FIB研磨系統(tǒng)及方法來修改裝置100，以例如形成一通至所述金屬-1層上的導(dǎo)體148的通路180。然后可將通路180金屬化，以形成例如一可在對裝置100進(jìn)行測試期間加以探測的電接點?；蛘撸蓪⑼?80金屬化來形成一制造于各導(dǎo)體之間的跳線的一部分。
所揭示的終點檢測系統(tǒng)及方法能夠在FIB到達(dá)導(dǎo)體148時停止FIB研磨過程。所
出現(xiàn)的與導(dǎo)體148的良好電接觸可觸發(fā)所述終點檢測系統(tǒng)停止FIB研磨過程。
圖2為一終點檢測系統(tǒng)200的功能性方塊圖。系統(tǒng)200可檢測施加至裝置100 (其
可為圖1中的裝置100)上一導(dǎo)電跡線的FIB。裝置IOO可為任意類型的裝置，例如處理器、
應(yīng)用專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、集成電路(IC)、RF裝置、及類似裝
置、或者某種其他電子裝置。導(dǎo)電跡線可例如為金屬、多晶硅及類似材料或者某種其他用于
傳導(dǎo)電荷的結(jié)構(gòu)。
終點檢測系統(tǒng)200可包括一恒流電源210、及一耦合至恒流電源210的一輸出端的信號放大器220。如在圖2的實施例中所示，可使用一電容器222將恒流電源210的輸出端耦合至信號放大器220的輸入端。
系統(tǒng)200還可包括一 FIB系統(tǒng)230。 FIB系統(tǒng)230可包括一 FIB，所述FIB可耦合至一被修改裝置100。另外，F(xiàn)IB系統(tǒng)230可包括一經(jīng)配置以接收一使FIB研磨過程停止的輸入信號的控制輸入端。在圖2所示的實施例中，信號放大器220的輸出端可耦合至FIB系統(tǒng)230的控制輸入端。
圖2所示的終點檢測系統(tǒng)200在運行時可首先對所要修改的裝置100進(jìn)行配置。配置所要修改的裝置100可包括配置一種裝置狀態(tài)以及為裝置100確定一偏流值。[0039] 在圖2所示的實施例中，通過將裝置100的所有非電源輸入全部接地來對裝置100進(jìn)行配置。然而，也可使用裝置100的其他配置。例如，可使裝置IOO的非電源引腳全部浮動。在另一實施例中，可將裝置IOO的所有非電源引腳全部拉高。在又一實施例中，可將裝置100的各個輸入及輸出引腳配置成一預(yù)定狀態(tài)，其中將某些引腳拉高、將某些引腳拉低、并使其他引腳浮動。在再一實施例中，可將裝置100配置成一種用于對裝置100進(jìn)行燒錄或I:ro測試的狀態(tài)。
在對裝置100進(jìn)行配置之后，可對裝置100的偏流進(jìn)行確定。裝置100的偏流可通過各種各樣的方法加以確定。在一實施例中，使用一設(shè)定至標(biāo)稱裝置工作電壓的恒壓電源對經(jīng)配置的裝置100進(jìn)行供能。然后，可測量所述裝置的穩(wěn)態(tài)電流。裝置100的電流可因而基于在以一恒壓電源進(jìn)行供能時裝置100的穩(wěn)態(tài)電流。例如，可將偏流設(shè)定成所述穩(wěn)態(tài)電流的百分比。所述百分比可例如為所述穩(wěn)態(tài)電流的80 % 、90 % 、95 % 、 100 % 、 105 % 、 110 %或某個其他百分比。
在另一實施例中，通過在改變來自一恒流電源的電源電流的同時監(jiān)測裝置100的電源電壓來確定裝置100的偏流。在對裝置IOO進(jìn)行配置之后，可增大由一恒流電源提供至裝置100的電源電流，直至所述電源電壓達(dá)到一預(yù)定值為止。所述預(yù)定電壓值可隨標(biāo)稱工作電壓變化。例如，所述預(yù)定電壓可為標(biāo)稱工作電壓的百分比，例如標(biāo)稱裝置工作電壓的80%、90%、95%、100%、105%、110%、120%或某個其他百分比。電源電壓達(dá)到所述預(yù)定電壓值時的電流即代表所需裝置100的偏流。
在確定出裝置100的偏流之后，便可開始FIB修改。使用一經(jīng)配置以向裝置100提供偏流的恒流電源210對裝置100進(jìn)行供能。 一信號放大器220的輸入端耦合至恒流電源210的輸出端，以監(jiān)測裝置100的電源輸入端處的電壓。 一電容器222可用于將電源210的輸出端AC耦合至信號放大器220的輸入端，以降低因信號放大器220的輸入阻抗而引起的任何電源210負(fù)載。另外，在僅監(jiān)測AC信號的配置中，耦合電容器222可用于消除電源210中的DC電平。另一選擇為，信號放大器220可具有一 AC耦合的輸入端并可直接耦合至電源210的輸出端而不需要使用一 DC阻塞電容器222。
信號放大器220的輸出端可耦合至FIB系統(tǒng)230的輸入端。在一實施例中，所述輸入端是一檢測器輸入端，其經(jīng)配置以在輸入信號達(dá)到一預(yù)定值時停止FIB研磨過程。所述預(yù)定值可例如為一預(yù)定的輸入RMS信號值。
在另一實施例中，信號放大器220的輸出端耦合至一檢測模塊，所述檢測模塊耦合至一個或多個指示器。 一指示器可在信號放大器220的輸出端達(dá)到一預(yù)定值時向操作員發(fā)出已達(dá)到所需的FIB研磨終點的報警。所述預(yù)定值可例如為一預(yù)定的RMS信號值。所述指示器可包括例如燈、儀表、有聲報警、及類似指示器、或者某種其他用于指示報警的裝置。操作員可根據(jù)所述報警來停止FIB研磨過程。
FIB系統(tǒng)230還可包括一用于修改裝置100的FIB。 FIB可位于所要修改的裝置100上。具體而言，F(xiàn)IB可位于導(dǎo)體或跡線的要通過研磨過程暴露出的部分上?？墒褂脕碜院懔麟娫?10的偏流對裝置100進(jìn)行供能并可供能FIB射束電流。
可在FIB到達(dá)跡線時使FIB循環(huán)，從而使入射于導(dǎo)體或跡線上的FIB的能量循環(huán)?？赏ㄟ^使FIB的能量循環(huán)或者通過使FIB以實體方式在導(dǎo)體或跡線上方循環(huán)來使FIB循環(huán)。在一實施例中，通過使FIB的能量循環(huán)來使FIB循環(huán)。例如，可通過使射束電流循環(huán)地接通及斷開來使FIB能量循環(huán)。也可使用某種其他能使FIB循環(huán)地接通及關(guān)斷的方法來使FIB能量循環(huán)。在另一實施例中，通過暫時地遮掩FIB以使FIB不入射于裝置100上來使FIB的能量以實體方式進(jìn)行循環(huán)。
在又一實施例中，在一僅在所掃描路徑的一部分中射到導(dǎo)體或跡線上的一路徑上方對FIB進(jìn)行掃描。通常，由于FIB的直徑遠(yuǎn)小于所要研磨的區(qū)域，因而在一所需的研磨區(qū)域上方掃描FIB或使其形成光柵。FIB的掃描或光柵化圖案可經(jīng)配置以在所述圖案的一部分中交疊導(dǎo)體或跡線。然后，當(dāng)FIB到達(dá)導(dǎo)體或跡線的深度時，F(xiàn)IB能量便僅在與導(dǎo)體相交疊的掃描部分中入射于導(dǎo)體或跡線上。
在再一實施例中，使FIB依序掃描多個區(qū)域，其中某些區(qū)域位于所述導(dǎo)體或跡線上。例如，F(xiàn)IB可配置成掃描四個不同的區(qū)域。第一區(qū)域可位于所需導(dǎo)體或跡線上方。其他三個區(qū)域中的每一個均可位于不同于所述導(dǎo)體或跡線的區(qū)域上方。然后可使FIB使用一預(yù)定順序掃描各個區(qū)域。例如，在所述四區(qū)域?qū)嵤├校瑨呙桧樞蚩芍貜?fù)圖案1-2-1-3-1-4，其中l(wèi)代表位于導(dǎo)體上方的區(qū)域而2，3及4則代表不同于所述導(dǎo)體的區(qū)域。當(dāng)FIB向下研磨至區(qū)域1中導(dǎo)體的程度時，F(xiàn)IB將僅移除掉區(qū)域2、3及4中每一者的1/3的材料。FIB對所述導(dǎo)體表現(xiàn)出一 50%的負(fù)載循環(huán)。其他實施例可使用其他實體循環(huán)方法。
裝置100上的材料可在FIB受到供能期間被移除。當(dāng)FIB到達(dá)導(dǎo)體或跡線時，F(xiàn)IB
可向裝置100內(nèi)注入電荷或能量。FIB可用作一電荷泵，并可在導(dǎo)體上面的材料被移除時立
即向?qū)w或跡線上注入電荷。
在一實施例中，可測量及監(jiān)測裝置100的返回電流、接地電流或分級電流以查看是否因FIB能量的增大而引起電流的變化。然而，在一 FIB系統(tǒng)230中，F(xiàn)IB射束電流可為10pA或者可甚至低至lpA。射束電流為lpA的FIB系統(tǒng)230例如可用于在跡線寬度小于90nm、65nm、40nm或以下的裝置100中研磨具有極高縱橫比的孔。很難測量此種小的電流變化或者放大此種小的電流變化。在此種小的電流水平下，儀器系統(tǒng)中的噪聲可能與所檢測的信號處于相同的數(shù)量級。
在另一實施例中，可使用所修改裝置100內(nèi)的內(nèi)部電路來放大注入于導(dǎo)電跡線上的FIB電荷。如前面所述，在離子束接觸導(dǎo)體時，可在導(dǎo)體上注入電荷。增加的電荷可能會修改裝置100的電流需求。由于使用一恒流電源210對裝置100進(jìn)行供能，因而裝置100的電流的變化會引起電源電壓的變化。信號放大器220放大所述電壓變化并可將信號放大器220的輸出端耦合至FIB系統(tǒng)230以停止FIB研磨過程。較佳可使FIB循環(huán)以便使注入于導(dǎo)體上的電荷循環(huán)。當(dāng)使注入至導(dǎo)體上的電荷循環(huán)時，裝置100的電流可在穩(wěn)態(tài)條件與一可能因電荷注入而引起的暫態(tài)條件之間變化。裝置100的電源電壓可根據(jù)FIB循環(huán)而相應(yīng)地變化。由此，使終點檢測得到簡化并可更精確地確定終點。
在圖2所示終點檢測系統(tǒng)200的一實例中，恒流電源210可為一 Keithley 2400型電源。AC耦合至電源210的輸出端的信號放大器220可為一DL Instruments 1201型放大器。FIB系統(tǒng)230可包括一FEI FIB200DE聚焦離子束系統(tǒng)。信號放大器220的輸出端可耦接至FIB200DE FIB系統(tǒng)230的一分級電流監(jiān)測電路。
恒流電源210可使用一偏流來對所要修改的裝置100進(jìn)行偏置，從而得到一近似等于裝置100的標(biāo)稱工作電壓的電源電壓。因FIB循環(huán)所引起的電源電壓的變化可用作一對FIB已到達(dá)一所需導(dǎo)體的指示。FIB研磨過程可響應(yīng)于一來自信號放大器220的足夠的信號而停止。
圖3為一終點檢測系統(tǒng)200的功能性方塊圖，其顯示裝置300中一可用作放大器的代表性的門。圖3中的系統(tǒng)200可與圖2中所示的系統(tǒng)200相同。為便于進(jìn)行解釋，將某些組件顯示成在功能上等效的形式。
所述裝置可包括一 CMOS反相器，所述CMOS反相器包括一 p溝道FET 314及一互補(bǔ)的n溝道FET 312。為清楚起見，未顯示可作為裝置300的一部分的其他門及電路。為便于進(jìn)行例示，圖中將裝置300顯示為一 CMOS裝置。終點檢測系統(tǒng)200并不僅限于與CMOS裝置一起使用，而是可適用于任意類型的電氣裝置。例如，裝置300可為一使用各種各樣技術(shù)中的任一種所制成的CMOS裝置或雙極裝置。
用于向裝置300提供偏流的電流源310可為圖2中所示的恒流電源210。 一電容器222將電流源310的輸出端AC耦合至一信號放大器220。信號放大器220的輸出端耦合至FIB系統(tǒng)230的一控制輸入端。圖中顯示FIB系統(tǒng)230的一輸出端耦合至一代表射束電流對裝置300的影響的電流源332。
裝置300的輸入端可浮動，從而使p溝道裝置314及n溝道裝置312的輸入端浮動。浮動的輸入端通常將漂移至一穩(wěn)態(tài)電壓值，所述穩(wěn)態(tài)電壓值可根據(jù)所述輸入端所共用的相關(guān)聯(lián)電路及結(jié)構(gòu)而異。所述穩(wěn)態(tài)浮動輸入電壓有可能不足以使n溝道裝置312偏置導(dǎo)通。
恒流電源310可通過向輸入電源引腳提供一不足以使所述輸入引腳處的電壓達(dá)到一預(yù)定標(biāo)稱電壓值的偏流來對裝置300進(jìn)行供能。
信號放大器220可監(jiān)測裝置300的輸入電壓的AC分量并在所述裝置電壓穩(wěn)定至穩(wěn)態(tài)值時立即輸出一低的信號。FIB系統(tǒng)230的FIB可位于所要暴露出的導(dǎo)電跡線上方。對于該實例而言，所要觸及的導(dǎo)電跡線是使用n溝道裝置312及p溝道裝置314構(gòu)建而成的CMOS反相器的輸入端所共用的。
—旦得到供能，F(xiàn)IB便移除裝置300中位于導(dǎo)電跡線上方的材料。使FIB循環(huán)以利于進(jìn)行AC信號檢測。例如，可使流至FIB的射束電流循環(huán)地接通及斷開?？蓪⒀h(huán)的FIB建模為一循環(huán)的FIB電流源332。在覆蓋導(dǎo)電跡線的材料被移除之前，F(xiàn)IB電流源332可能無法向?qū)щ娵E線上注入電流。
所要檢測的終點可為導(dǎo)電跡線的表面。FIB應(yīng)繼續(xù)進(jìn)行研磨直至顯露出導(dǎo)電跡線的表面為止，以確?？膳c所述跡線之間進(jìn)行低阻抗連接。 一旦FIB到達(dá)導(dǎo)電跡線，便應(yīng)停止FIB研磨過程，以防止損壞所述導(dǎo)體。
在FIB到達(dá)導(dǎo)電跡線時，F(xiàn)IB電流源332會向CMOS反相器的輸入端上注入電荷。注入于CMOS反相器的輸入端上的電荷會引起n溝道裝置312及p溝道裝置314的柵極處的電壓升高。CMOS反相器所吸取的電流會隨CMOS反相器輸入端的輸入電壓的升高而增大。當(dāng)所述電壓超過柵極_源極閾電壓時，注入于反相器輸入端上的電荷會使n溝道312偏置導(dǎo)通。P溝道裝置314可在其柵極電壓低于為使導(dǎo)通截止所需的值時導(dǎo)通。因此，一旦FIB電流源332開始向反相器輸入端上注入電荷，反相器便可如在狀態(tài)躍遷中一樣傳導(dǎo)電流。隨著FIB電流源332向?qū)щ娵E線上泵入電荷，CMOS裝置的輸入端上的電壓會繼續(xù)升高且最終，P溝道裝置314將會截止且將不再有電流傳導(dǎo)過反相器。當(dāng)FIB電流源332停止向?qū)щ娵E線上注入電荷時，所述輸入端便漂移回至穩(wěn)態(tài)條件。
由于使用一恒流電源310對裝置300進(jìn)行偏置，因而由于電流路徑經(jīng)過反相器而引起的增大的電流負(fù)載會引起電源電壓的降低。在為CMOS裝置300的情況下，所述電壓的降低可能非常顯著，這是因為流過反相器的躍遷電流可處于大于穩(wěn)態(tài)電流的數(shù)量級。終點檢測系統(tǒng)200有效地使用裝置300作為一跨阻抗放大器以放大來自FIB電流源332的信號。[0064] 電源電壓的驟然下降可通過電容器222耦合至信號放大器220。信號放大器220可隨后放大所述電壓的變化并將經(jīng)放大的輸出提供至FIB系統(tǒng)230來控制或者向FIB系統(tǒng)230指示已到達(dá)終點。
可對一負(fù)載循環(huán)控制器334進(jìn)行配置來控制FIB循環(huán)。負(fù)載循環(huán)控制器334可處于FIB系統(tǒng)230的內(nèi)部且為FIB系統(tǒng)230的一部分、處于FIB系統(tǒng)230的外部、或者可有某些部分處于所述系統(tǒng)內(nèi)部而其他部分位于所述系統(tǒng)外部。使FIB循環(huán)會極大地有利于終點檢測。當(dāng)FIB電流源332向?qū)щ娵E線上注入電荷時，裝置300的電源電壓可顯著降低。而當(dāng)FIB電流源332停止注入電荷時，裝置300的電源電壓會躍遷回穩(wěn)態(tài)值。FIB的循環(huán)(例如通過使FIB電流循環(huán))可使裝置300的電源電壓與FIB循環(huán)同步地周期性地降低及恢復(fù)。[0066]
在一實施例中，可改變FIB循環(huán)的周期，以使FIB電流源332恰好在裝置300的電源電壓返回至大致其穩(wěn)態(tài)值時注入電荷。在另一實施例中，可使FIB周期固定并可改變FIB負(fù)載循環(huán)以使裝置300的穩(wěn)態(tài)電壓返回至大致其穩(wěn)態(tài)值。在另一實施例中，負(fù)載循環(huán)與周期二者均是可變的。例如，在FIB研磨的起始周期期間，負(fù)載循環(huán)可接近100X，這是因為到達(dá)導(dǎo)電跡線的可能性微乎其微?？稍诘竭_(dá)導(dǎo)電跡線的可能性增大時隨著時間來改變負(fù)載循環(huán)。與使用固定的負(fù)載循環(huán)進(jìn)行研磨相比，改變負(fù)載循環(huán)可縮短FIB研磨時間。在又一些實施例中，F(xiàn)IB系統(tǒng)230的響應(yīng)時間可足以使負(fù)載循環(huán)及FIB循環(huán)的周期二者均固定。[0067] 來自信號放大器220的經(jīng)放大的AC信號輸出可耦合至FIB系統(tǒng)230的控制輸入端。所述信號可耦合至FIB系統(tǒng)230內(nèi)的一控制模塊336。圖中顯示控制模塊336處于FIB系統(tǒng)230的外部，但其可具有某些部分或使整個模塊處于FIB系統(tǒng)230的內(nèi)部或外部?？刂颇K336可處理經(jīng)放大的信號并控制FIB研磨過程。另外，控制模塊336可處理經(jīng)放大的信號并提供一對FIB研磨過程的狀態(tài)的指示。例如，控制模塊336可包括一用于將經(jīng)放大的AC信號轉(zhuǎn)換成DC值的整流器。所述整流器的輸出端可耦合至一比較器，由所述比較器將所述DC值與一預(yù)定閾值進(jìn)行比較。所述比較器的輸出可用于停止FIB研磨過程。[0068] 另一選擇為，或者除一控制回路外，還可使用經(jīng)放大的信號或經(jīng)放大的信號的一已處理形式來驅(qū)動一顯示器、儀表或某種其他指示器，以通知操作員停止FIB研磨過程。例如，可將經(jīng)放大的信號耦合至一構(gòu)成FIB系統(tǒng)230的分級電流監(jiān)測電路一部分的控制模塊336?？刂颇K可產(chǎn)生一至少部分地基于來自信號放大器220的信號的終點監(jiān)測曲線圖。操作員可查看所述終點監(jiān)測曲線圖并在達(dá)到一預(yù)定值時停止FIB研磨過程。[0069] 圖4為一可例如由圖2或圖3中所示終點檢測系統(tǒng)來執(zhí)行的終點檢測過程400的流程圖。盡管該流程圖將過程400的各個步驟例示為按一預(yù)定次序進(jìn)行，然而該步驟次序并不是必需的。也可按一不同的次序來執(zhí)行該過程中的某些步驟。此外，還可在各步驟之間插入額外的步驟或子過程，或者可省去過程400中的某些步驟。
過程400始于方塊402，在方塊402中，將裝置的非電源引腳配置或固定至所需狀態(tài)。例如，所述終點檢測系統(tǒng)可包括一其中插入有所要修改的裝置的測試夾具。所述測試夾具可包括所需的上拉及下拉電路、開路電路、或者連接線以在對裝置供能時使所要修改的裝置的引腳處于所需的狀態(tài)。
在將非電源引腳的狀態(tài)固定至所需狀態(tài)之后，終點檢測系統(tǒng)前進(jìn)至方塊404，在方塊404中使用一恒流電源對所述裝置或芯片進(jìn)行供能。如前面所述，所述恒流電源可使用一使電源電壓近似等于標(biāo)稱電源電壓的電流來對所述裝置進(jìn)行偏置。
例如，在一 自動化過程中， 一恒流電源可提供所述偏流并監(jiān)測電源電壓。所述恒流電源可繼續(xù)增大電流輸出直至電源電壓達(dá)到或超過一預(yù)定工作電壓為止。另一選擇為，操作員可增大一恒流電源的偏流并可監(jiān)測電源電壓。 一旦電源電壓達(dá)到所需的工作電壓，操作員便可使偏流保持不變。
在使用恒流電源對裝置進(jìn)行偏置之后，終點檢測系統(tǒng)前進(jìn)至方塊410來監(jiān)測裝置輸入電壓或某個其他裝置值。例如，除輸入電壓之外(或者不監(jiān)測輸入電壓)，終點檢測系統(tǒng)還可監(jiān)測裝置功率或裝置電流。
在啟用裝置監(jiān)測之后，終點檢測系統(tǒng)便可前進(jìn)至方塊420，在方塊420中將FIB定位于所需導(dǎo)電跡線上方并供能FIB。例如，可供能FIB射束電流。
在供能FIB之后，終點檢測系統(tǒng)前進(jìn)至方塊430并可使FIB在導(dǎo)電跡線上循環(huán)來移除材料。如前面所述，可使FIB循環(huán)以利于進(jìn)行終點檢測?？墒褂秒娮友h(huán)、實體循環(huán)、或電子循環(huán)與實體循環(huán)的一組合來使FIB循環(huán)。
終點檢測系統(tǒng)然后前進(jìn)至決策塊440。在決策塊440中，終點檢測系統(tǒng)判定裝置輸入電壓是否發(fā)生變化。如果終點檢測系統(tǒng)未檢測到電源電壓的任何變化或者如果電壓變化小于一預(yù)定閾值，則終點檢測系統(tǒng)返回至方塊430并繼續(xù)移除裝置材料。[0077] 返回至決策塊440，如果終點檢測系統(tǒng)檢測到電壓變化大于或等于一預(yù)定閾值，則可能是FIB已到達(dá)導(dǎo)電跡線。因此，當(dāng)FIB所注入的電流使電壓的變化大于一預(yù)定的閾電壓時，終點檢測系統(tǒng)便會檢測到研磨到達(dá)終點。終點檢測系統(tǒng)隨后前進(jìn)至方塊450。[0078] 在方塊450中，終點檢測系統(tǒng)例如通過將FIB的射束電流去供能來停止研磨過程。一旦將FIB去供能，所述研磨過程便會停止。終點檢測系統(tǒng)隨后前進(jìn)至方塊460且過程400結(jié)束。
圖5A-5B為可用于實施FIB的實體循環(huán)的FIB掃描圖案的圖式。圖5A顯示一 FIB掃描圖案520的圖式，其中FIB射束在所述圖案的一部分中在一導(dǎo)電跡線510上方掃描。掃描圖案520包括排列成一光柵掃描圖案的若干次FIB掃描。所述光柵掃描的各次掃描中的一第一部分522可在導(dǎo)電跡線510的邊界以內(nèi)延伸。所述光柵掃描中的一第二部分524可在導(dǎo)電跡線510的邊界以外延伸。因此，在掃描的第一部分522的時間周期期間，F(xiàn)IB相對于導(dǎo)電跡線510受到供能。在掃描的第二部分524的時間周期期間，F(xiàn)IB相對于導(dǎo)電跡線510去供能。因此，實體掃描圖案520使FIB在導(dǎo)電跡線510上方有效地循環(huán)。[0080] 圖5B顯示一其中總的掃描圖案包括多個掃描圖案530、532、534及536的第二實體循環(huán)實施例。這多個掃描圖案530、532、534及536中的每一者均包括排列成一光柵掃描圖案的多次FIB掃描。 一第一光柵掃描圖案530配置成基本上在一導(dǎo)電跡線510的邊界以內(nèi)進(jìn)行掃描。第二至第四光柵掃描圖案532、534及536則可配置成基本上處于導(dǎo)電跡線510的邊界以外。
因此，可通過在多個掃描圖案530、532、534及536上方進(jìn)行多路復(fù)用來使FIB以實體方式進(jìn)行循環(huán)。例如，可通過使第一光柵掃描圖案530與第二至第四光柵掃描圖案532-536中的每一者進(jìn)行交錯而以一 50 %的負(fù)載循環(huán)使FIB進(jìn)行循環(huán)。因此，在第二至第四光柵掃描圖案532、534及536中的每一者內(nèi)所移除的材料量將為在第一光柵掃描圖案530內(nèi)所移除的材料的約三分之一。通過此種方式，可在不需要將額外區(qū)域向下研磨至導(dǎo)電跡線510的深度的條件下以實體方式對FIB進(jìn)行循環(huán)。
盡管圖中將掃描圖案顯示為光柵掃描圖案，然而掃描圖案可為任意圖案，包括靜止射束、蛇形圖案、圓形圖案、隨機(jī)的圖案等等。所述圖案可由FIB系統(tǒng)內(nèi)的一掃描控制器產(chǎn)生或者可由FIB系統(tǒng)外部的一模塊產(chǎn)生。此外，使射束在裝置上掃描包括操縱一靜止射束下面的裝置、或者在對射束重新定位時操縱裝置。
至此已揭示了一種能夠在使用FIB對一裝置進(jìn)行機(jī)加工時對所述裝置內(nèi)的導(dǎo)電跡線進(jìn)行定位的終點檢測系統(tǒng)。使用所述裝置作為一放大器來將FIB電流放大成一可用于停止研磨過程的信號。使用一恒流電源來供能或偏置所述裝置。當(dāng)FIB達(dá)到所需的導(dǎo)電跡線時，F(xiàn)IB會在跡線上注入電荷或電流。所注入的電流可由所述裝置內(nèi)的結(jié)構(gòu)例如通過門或電路的狀態(tài)變化來進(jìn)行放大。對FIB電流的放大又可使恒流電源的電源電壓隨裝置所吸取的電流的變化而發(fā)生變化。所述電壓可隨電流的變化而升高或降低。 一信號放大器可放大所述電壓的變化且經(jīng)放大的信號可用于停止FIB研磨過程。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)進(jìn)一步了解，結(jié)合本文所揭示實施例而闡述的各種例示性 邏輯塊、模塊、電路、及算法步驟可構(gòu)建為電子硬件、計算機(jī)軟件、或二者的組合。為清晰地 顯示硬件與軟件的互換性，上文是根據(jù)其功能度來概述各種例示性組件、方塊、模塊、電路、 及步驟。此種功能度是作為硬件還是軟件來實施取決于特定應(yīng)用及施加于整個系統(tǒng)的設(shè)計 制約條件。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可針對每一特定應(yīng)用以不同方式構(gòu)建上述功能，但是此等 構(gòu)建決定不應(yīng)被解釋為背離本發(fā)明的范圍。
結(jié)合本文所揭示實施例來闡述的各個例示性邏輯塊、模塊及電路均可由下列裝置 構(gòu)建或?qū)嵤┩ㄓ锰幚砥?、?shù)字信號處理器(DSP)、縮減指令集計算機(jī)(RISC)、應(yīng)用專用集 成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、 離散硬件組件、或其設(shè)計用于實施上文所述功能的任何組合。通用處理器可為一微處理器， 但另一選擇為，處理器可為任一處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器也可構(gòu)建為各 種計算裝置的一組合形式，例如一DSP與一微處理器的組合、復(fù)數(shù)個微處理器、一個或多個 微處理器結(jié)合一 DSP核心、或任何其它此種配置。
結(jié)合本文所揭示實施例來闡述的方法、過程或演算法的步驟可直接實施于硬件 中、由一處理器執(zhí)行的軟件模塊中或兩者的組合中。軟件模塊可駐存于RAM存儲器、快閃存 儲器、非易失性存儲器、ROM存儲器、EPR0M存儲器、EEPR0M存儲器、寄存器、硬盤、可抽換磁 盤、CD-ROM、或所屬技術(shù)領(lǐng)域：
中已知的任一其他形式的存儲媒體內(nèi)。 一實例性存儲媒體耦接 至該處理器，以使該處理器可自該存儲媒體讀取信息及向該存儲媒體寫入信息?；蛘?，該存 儲媒體可為處理機(jī)的組成部分。
上文對所揭示實施例的說明旨在使任何所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員均可制作或利用本 發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易知對這些實施例的各種修改形式，且本文所界定的一般原 理也可應(yīng)用于其它實施例，此并不背離本發(fā)明的精神或范疇。因此，本發(fā)明并非意欲限定為 本文所示的實施例，而是欲賦予其與本文所揭示的原理及新穎特征相一致的最寬廣范疇。
權(quán)利要求
一種使用一聚焦離子束(FIB)來檢測一終點的方法，其中所述FIB是實體循環(huán)FIB，所述方法包括使用一恒流電源對一裝置進(jìn)行供能；使用所述FIB來移除所述裝置中一導(dǎo)體的至少一部分上方的材料；監(jiān)測所述裝置的一電源電壓；及部分地根據(jù)所述電源電壓來判定到達(dá)所述終點。
2. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其進(jìn)一步包括在判定到達(dá)所述終點之后停止材料移除。
3. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其進(jìn)一步包括在判定到達(dá)所述終點之后將所述FIB去供能。
4. 如權(quán)利要求
3所述的方法，其中將所述FIB去供能包括減小所述FIB的一射束電流。
5. 如權(quán)利要求
l所述的方法，其中監(jiān)測所述電源電壓包括監(jiān)測所述電源電壓的一AC分
6. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其中監(jiān)測所述電源電壓包括 放大所述電源電壓的一AC分量以產(chǎn)生一放大的信號；及 確定所述放大的信號的一大小。
7. 如權(quán)利要求
6所述的方法，其中判定到達(dá)所述終點包括判定所述放大的信號的所述 大小超過一預(yù)定閾值。
8. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其中使用所述恒流電源對所述裝置進(jìn)行供能包括對所述 裝置施加一偏流直至所述電源電壓近似為一標(biāo)稱工作電壓為止。
9. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其中使用所述恒流電源對所述裝置進(jìn)行供能包括對所述 裝置施加一偏流直至所述電源電壓處于一標(biāo)稱工作電壓的一預(yù)定百分比以內(nèi)為止。
10. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其中使用所述恒流電源對所述裝置進(jìn)行供能包括對所 述裝置施加一預(yù)定的偏流。
11. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其中所述裝置包括一應(yīng)用專用集成電路(ASIC)。
12. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其中所述裝置包括一 CMOS集成電路。
13. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其中所述裝置包括一模擬裝置。
14. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其中所述導(dǎo)體包括一金屬跡線。
15. 如權(quán)利要求
1所述的方法，其中所述導(dǎo)體包括一多晶硅跡線。
16. —種使用一 FIB來檢測一終點的方法，其中所述FIB是實體循環(huán)FIB，所述方法包括使用一恒流電源對一裝置進(jìn)行供能，直至所述裝置的一電源電壓處于一標(biāo)稱工作電壓 的一預(yù)定百分比以內(nèi)為止；使用所述FIB來研磨所述裝置中一與一導(dǎo)電跡線的至少一部分相交疊的部分； 監(jiān)測所述電源電壓的一 AC分量；當(dāng)所述AC分量大于或等于一預(yù)定值時即判定到達(dá)所述終點；及在判定到達(dá)所述終點之后停止研磨。
17. —種使用一 FIB來檢測一終點的方法，其中所述FIB是實體循環(huán)FIB，所述方法包括使用所述FIB來研磨一裝置以移除一導(dǎo)電跡線的至少一部分上方的材料；使用所述FIB向所述導(dǎo)電跡線上注入電流流使用所述裝置放大所述電流以形成一終點檢測信號，其對應(yīng)于所述裝置的電源電壓；及在所述終點檢測信號超過一預(yù)定閾值時判定到達(dá)所述終點。
18. 如權(quán)利要求
17所述的方法，其中放大所述電流包括對所述電流進(jìn)行跨阻抗放大以產(chǎn)生一電壓。
19. 一種使用一 FIB來檢測一終點的方法，其中所述FIB是實體循環(huán)FIB，所述方法包括使用所述FIB向一裝置內(nèi)的一導(dǎo)電跡線上注入一電流；使用所述裝置內(nèi)的一電子電路放大所述電流，以形成一放大的信號，其對應(yīng)于所述裝 置的電源電壓；及至少部分地根據(jù)所述放大的信號來判定到達(dá)所述終點。
20. —種使用一 FIB來檢測一終點的方法，其中所述FIB是實體循環(huán)FIB，所述方法包括對一所要修改的裝置內(nèi)的非電源引腳的一狀態(tài)進(jìn)行配置； 使用一恒流電源對所述裝置進(jìn)行供能； 監(jiān)測一裝置輸入電壓； 對所述FIB進(jìn)行供能；使所述FIB實體循環(huán)以移除所述裝置內(nèi)一導(dǎo)電跡線的至少一部分上方的材料；及 當(dāng)所述裝置的所述輸入電壓改變一預(yù)定量時將所述FIB去供能。
21. —種終點檢測系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括一FIB，其經(jīng)配置通過實體循環(huán)一導(dǎo)電跡線的一部分上方的一射束以從一裝置中移除 所述部分上方的材料；一恒流電源，其經(jīng)配置以向所述裝置提供一偏流；一放大器，其經(jīng)配置以放大一裝置電源電壓的至少一分量以形成一放大的信號；及 一控制模塊，其經(jīng)配置以處理所述放大的信號并提供一 FIB位置的指示，所述控制模 塊經(jīng)配置以部分地根據(jù)所述放大的信號來指示到達(dá)所述終點。
22. 如權(quán)利要求
21所述的系統(tǒng)，其中所述FIB進(jìn)一步經(jīng)配置以在所述控制模塊指示到 達(dá)所述終點之后停止材料移除。
23. 如權(quán)利要求
21所述的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電跡線包括一金屬層。
24. 如權(quán)利要求
21所述的系統(tǒng)，其中所述放大器經(jīng)配置以放大所述電源電壓的一AC分
25. 如權(quán)利要求
21所述的系統(tǒng)，其中所述FIB位置的所述指示包括一終點指示器。
26. —種終點檢測系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括 用于對一裝置進(jìn)行供能的構(gòu)件；用于使用實體循環(huán)FIB從所述裝置中移除所述裝置內(nèi)一導(dǎo)體的至少一部分上方的材 料的構(gòu)件；用于監(jiān)控所述裝置的一電源電壓的構(gòu)件；及用于部分地根據(jù)所述電源電壓來判定到達(dá)所述終點的構(gòu)件。
專利摘要
本發(fā)明揭示一種聚焦離子束(FIB)研磨終點檢測系統(tǒng)，其使用一恒流電源來供能一所要修改的集成電路(IC)。在研磨過程中使所述FIB在一所要觸及的導(dǎo)電跡線上方循環(huán)。在所述研磨過程中監(jiān)測所述IC的輸入功率或電壓。在所述FIB到達(dá)所述導(dǎo)電跡線時便可檢測到終點。當(dāng)FIB到達(dá)所述導(dǎo)電跡線的水平面時，F(xiàn)IB可向所述導(dǎo)電跡線上注入電荷。一耦合至所述導(dǎo)電跡線的有源裝置可放大由所述FIB注入的所述電荷。所述有源裝置可用作一電流放大器。IC電流的變化可引起裝置輸入電壓的放大的變化。通過監(jiān)測來自所述恒流電源的輸入電壓的變化便可檢測到所述終點。
文檔編號G01Q60/00GKCN1957444 B發(fā)布類型授權(quán) 專利申請?zhí)朇N 200580016637
公開日2010年7月21日 申請日期2005年3月11日
發(fā)明者艾倫·格倫·斯特里特 申請人:高通股份有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (4), 非專利引用 (1),