本技術(shù)涉及超導(dǎo)磁體，尤其涉及一種超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件。

背景技術(shù)：

1、超導(dǎo)磁共振磁體的超導(dǎo)線圈使用的超導(dǎo)線為鈮鈦合金材質(zhì)，鈮鈦合金在極低的臨界溫度下會(huì)呈現(xiàn)電阻消失的超導(dǎo)態(tài)。超導(dǎo)磁共振磁體運(yùn)行時(shí)為保證鈮鈦超導(dǎo)合金能穩(wěn)定的處于超導(dǎo)態(tài)，必須保證超導(dǎo)線圈一直處于極低的臨界溫度以下，常用的方法是將其浸泡在液氦中。

2、超導(dǎo)磁共振磁體包括常溫組件和套裝在常溫組件內(nèi)部的低溫組件。常溫組件處于室溫狀態(tài)，超導(dǎo)線圈在低溫組件內(nèi)部并浸泡在液氦中。超導(dǎo)線圈通電流后能產(chǎn)生磁場(chǎng)。常溫組件與低溫組件之間為真空，真空環(huán)境能對(duì)低溫組件進(jìn)行保溫，降低低溫組件與外界的熱傳導(dǎo)。液氦溫度為4.2k，即零下272℃，常態(tài)下液氦會(huì)揮發(fā)，由液態(tài)轉(zhuǎn)為氣態(tài)，或者低溫組件吸收外界熱量后其內(nèi)部的液氦會(huì)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)，因此低溫組件需通過(guò)制冷機(jī)對(duì)其進(jìn)行降溫，維持其低溫狀態(tài)，并將氣態(tài)的液氦制冷為液態(tài)。

3、超導(dǎo)磁共振磁體運(yùn)行時(shí)，其低溫組件內(nèi)部應(yīng)保持微正壓、2000pa左右。因?yàn)橐汉囟葮O低，如果低溫組件內(nèi)形成負(fù)壓倒吸進(jìn)空氣會(huì)結(jié)冰，影響液氦對(duì)超導(dǎo)線圈的冷卻效率，引發(fā)超導(dǎo)線圈失超的風(fēng)險(xiǎn)。

4、由于制冷機(jī)持續(xù)制冷，低溫組件內(nèi)部會(huì)形成負(fù)壓。為保持低溫組件內(nèi)部的微正壓，現(xiàn)有技術(shù)中會(huì)在超導(dǎo)線圈下方的液氦中放置加熱片，當(dāng)?shù)蜏亟M件內(nèi)部壓力降低時(shí)加熱片進(jìn)行加熱，將少量液態(tài)的液氦轉(zhuǎn)為氣態(tài)的氦氣，用于維持低溫組件內(nèi)的微正壓狀態(tài)。液氦氣化為氦氣會(huì)產(chǎn)生氣泡，氣泡溫度較高，氣泡接觸到超導(dǎo)線圈會(huì)破壞超導(dǎo)線圈的超導(dǎo)態(tài)，進(jìn)而引發(fā)超導(dǎo)磁共振磁體失超的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型擬解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)以上不足，提供一種超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，通過(guò)再其內(nèi)部設(shè)置環(huán)形的排氣通道和加熱片，既能維持低溫組件內(nèi)部的微正壓，又能避免加熱片工作時(shí)形成的氦氣起泡上升過(guò)程中接觸到超導(dǎo)線圈，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、超導(dǎo)磁共振磁體運(yùn)行穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。

2、為解決以上問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：

3、一種超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，包括線圈骨架和安裝在線圈骨架外側(cè)的外筒，所述線圈骨架和外筒合圍成低溫腔室，所述低溫腔室內(nèi)設(shè)有環(huán)形的排氣通道，排氣通道的上端與低溫腔室的上部相連通；排氣通道的下部設(shè)有加熱片。

4、作為一種改進(jìn)，所述外筒的內(nèi)壁上固定有兩個(gè)間隔設(shè)置的環(huán)形側(cè)板，兩個(gè)環(huán)形側(cè)板間連接有連接板，兩個(gè)環(huán)形側(cè)板、連接板和外筒合圍成所述排氣通道。

5、作為一種改進(jìn)，所述加熱片位于排氣通道下端的中部。

6、作為一種改進(jìn)，所述加熱片位于外筒的內(nèi)壁上。

7、作為一種改進(jìn)，所述排氣通道的環(huán)形側(cè)板上設(shè)有通孔，通孔位于環(huán)形側(cè)板的下部；排氣通道的下部通過(guò)通孔與低溫腔室的下部相連通。

8、作為一種改進(jìn)，所述低溫腔室的上部開(kāi)放。

9、作為一種改進(jìn)，所述線圈骨架上設(shè)有多個(gè)超導(dǎo)線圈。

10、本實(shí)用新型采用以上技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：

11、本實(shí)用新型一種超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，通過(guò)再其內(nèi)部設(shè)置環(huán)形的排氣通道和加熱片，既能維持低溫組件內(nèi)部的微正壓，又能避免加熱片工作時(shí)形成的氦氣起泡上升過(guò)程中接觸到超導(dǎo)線圈，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、超導(dǎo)磁共振磁體運(yùn)行穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。

12、下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

技術(shù)特征：

1.一種超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，包括線圈骨架（1）和安裝在線圈骨架（1）外側(cè)的外筒（2），其特征在于：所述線圈骨架（1）和外筒（2）合圍成低溫腔室（3），所述低溫腔室（3）內(nèi)設(shè)有環(huán)形的排氣通道（4），排氣通道（4）的上端與低溫腔室（3）的上部相連通；排氣通道（4）的下部設(shè)有加熱片（5）。

2.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，其特征在于：所述外筒（2）的內(nèi)壁上固定有兩個(gè)間隔設(shè)置的環(huán)形側(cè)板（7），兩個(gè)環(huán)形側(cè)板（7）間連接有連接板（8），兩個(gè)環(huán)形側(cè)板（7）、連接板（8）和外筒（2）合圍成所述排氣通道（4）。

3.如權(quán)利要求2所述的超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，其特征在于：所述加熱片（5）位于排氣通道（4）下端的中部。

4.如權(quán)利要求3所述的超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，其特征在于：所述加熱片（5）位于外筒（2）的內(nèi)壁上。

5.如權(quán)利要求2所述的超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，其特征在于：所述排氣通道（4）的環(huán)形側(cè)板（7）上設(shè)有通孔（6），通孔（6）位于環(huán)形側(cè)板（7）的下部；排氣通道（4）的下部通過(guò)通孔（6）與低溫腔室（3）的下部相連通。

6.如權(quán)利要求2所述的超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，其特征在于：所述低溫腔室（3）的上部開(kāi)放。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，其特征在于：所述線圈骨架（1）上設(shè)有多個(gè)超導(dǎo)線圈（9）。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及超導(dǎo)磁體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件，包括線圈骨架和安裝在線圈骨架外側(cè)的外筒，線圈骨架和外筒合圍成低溫腔室，低溫腔室內(nèi)設(shè)有環(huán)形的排氣通道，排氣通道的上端與低溫腔室的上部相連通；排氣通道的下部設(shè)有加熱片。外筒的內(nèi)壁上固定有兩個(gè)間隔設(shè)置的環(huán)形側(cè)板，兩個(gè)環(huán)形側(cè)板間連接有連接板，兩個(gè)環(huán)形側(cè)板、連接板和外筒合圍成所述排氣通道。加熱片位于排氣通道下端的中部。該超導(dǎo)磁共振磁體的低溫組件通過(guò)再其內(nèi)部設(shè)置環(huán)形的排氣通道和加熱片，既能維持低溫組件內(nèi)部的微正壓，又能避免加熱片工作時(shí)形成的氦氣起泡上升過(guò)程中接觸到超導(dǎo)線圈，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、超導(dǎo)磁共振磁體運(yùn)行穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：李培勇,王子法,高滬光,王興良,劉大鵬,劉永健,遲云龍,李杭
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東奧新醫(yī)療科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240710
技術(shù)公布日：2024/12/30