本技術(shù)涉及一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片，屬于芯片封裝。

背景技術(shù)：

1、在現(xiàn)有的to3p封裝mosfet芯片技術(shù)中，散熱結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是解決散熱問(wèn)題的關(guān)鍵，然而，在實(shí)際應(yīng)用中，傳統(tǒng)的散熱結(jié)構(gòu)往往存在散熱效率低的局限性，在高功率、高頻率的工作環(huán)境下，芯片產(chǎn)生的熱量遠(yuǎn)超過(guò)散熱結(jié)構(gòu)的散熱能力，導(dǎo)致芯片內(nèi)部溫度過(guò)高，因此提出了一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片，以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片，包括：

3、底部基島；

4、封裝蓋，封裝蓋安裝在底部基島上，封裝蓋與底部基島之間存在用于封裝芯片的封裝空間；

5、定位框，定位框設(shè)置在封裝空間內(nèi)，用于限定并保持芯片在封裝空間內(nèi)的封裝位置，且定位框固定在封裝蓋的內(nèi)面中部，確保芯片在封裝過(guò)程中不會(huì)發(fā)生位移，從而確保芯片封裝后的穩(wěn)定性；

6、散熱板，散熱板設(shè)置在封裝蓋上，散熱板具有朝外的一面及朝向封裝空間的一面；

7、其中，定位框內(nèi)填充有導(dǎo)熱層，導(dǎo)熱層由高導(dǎo)熱性能的材料制成，如導(dǎo)熱硅膠，導(dǎo)熱層的一面與芯片表面接觸、另一面與散熱板朝向封裝空間的一面接觸，散熱板設(shè)置在封裝蓋上作為主要的散熱結(jié)構(gòu)，將導(dǎo)熱層傳導(dǎo)過(guò)來(lái)的熱量進(jìn)一步散發(fā)到環(huán)境中，保持芯片的穩(wěn)定工作溫度。

8、優(yōu)選地，散熱板的內(nèi)表面均勻分布有多個(gè)散熱凸起，導(dǎo)熱層的表面設(shè)置有多個(gè)與散熱凸起適配的凹槽。

9、優(yōu)選地，定位框的內(nèi)側(cè)壁上開(kāi)設(shè)有多個(gè)側(cè)槽，每個(gè)側(cè)槽的內(nèi)部填充有導(dǎo)熱柱，導(dǎo)熱柱與芯片側(cè)邊接觸，且導(dǎo)熱柱的一端與導(dǎo)熱層連接。

10、優(yōu)選地，側(cè)槽的剖面輪廓是呈內(nèi)凹的方形、半圓形或其任意組合。

11、優(yōu)選地，定位框與底部基島之間留有間距，可以形成一個(gè)空氣層或散熱通道，有助于熱量的散發(fā)，從而進(jìn)一步提高整體的散熱性能。

12、優(yōu)選地，底部基島上涂覆有一層用于將芯片粘附在底部基島上的底膠，通過(guò)在底部基島上涂覆一層底膠用于將芯片粘附在底部基島上，進(jìn)一步封裝芯片的穩(wěn)定性和可靠性。

13、優(yōu)選地，一種clip結(jié)構(gòu)的top封裝mosfet芯片還包括多個(gè)引腳，多個(gè)引腳分布在封裝蓋的一側(cè)，且多個(gè)引腳的一端從底部基島與封裝蓋的連接處插入封裝空間并與其內(nèi)的芯片電連接。

14、與現(xiàn)有技術(shù)相比：

15、1、本實(shí)用新型通過(guò)封裝蓋與底部基島緊密結(jié)合，形成一個(gè)封閉芯片的封裝空間，在芯片工作時(shí)，芯片產(chǎn)生的熱量傳遞至導(dǎo)熱層，然后再由導(dǎo)熱層傳導(dǎo)至散熱板，散熱板設(shè)置在封裝蓋上作為主要的散熱結(jié)構(gòu)，將導(dǎo)熱層傳導(dǎo)過(guò)來(lái)的熱量進(jìn)一步散發(fā)到環(huán)境中，保持芯片的穩(wěn)定工作溫度。

16、2、本實(shí)用新型通過(guò)定位框內(nèi)側(cè)壁上的側(cè)槽和填充其中的導(dǎo)熱柱，芯片側(cè)邊的熱量可以迅速傳導(dǎo)至導(dǎo)熱層，并與頂面產(chǎn)生的熱量一起，通過(guò)散熱板散發(fā)到環(huán)境中，從而提高了芯片的散熱效率。

技術(shù)特征：

1.一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片，其特征在于，所述散熱板(5)的內(nèi)表面均勻分布有多個(gè)散熱凸起(501)，所述導(dǎo)熱層(4)的表面設(shè)置有多個(gè)與散熱凸起(501)適配的凹槽(401)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片，其特征在于，所述定位框(3)的內(nèi)側(cè)壁上開(kāi)設(shè)有多個(gè)側(cè)槽(301)，每個(gè)側(cè)槽(301)的內(nèi)部填充有導(dǎo)熱柱(6)，所述導(dǎo)熱柱(6)與芯片側(cè)邊接觸，且所述導(dǎo)熱柱(6)的一端與導(dǎo)熱層(4)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片，其特征在于，所述側(cè)槽(301)的剖面輪廓是呈內(nèi)凹的方形、半圓形或其任意組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片，其特征在于，所述定位框(3)與底部基島(1)之間留有間距。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片，其特征在于，所述底部基島(1)上涂覆有一層用于將芯片粘附在底部基島(1)上的底膠(7)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種clip結(jié)構(gòu)的to3p封裝mosfet芯片，其特征在于，還包括多個(gè)引腳(8)，多個(gè)引腳(8)分布在封裝蓋(2)的一側(cè)，且多個(gè)引腳(8)的一端從底部基島(1)與封裝蓋(2)的連接處插入封裝空間并與其內(nèi)的芯片電連接。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種Clip結(jié)構(gòu)的TO3P封裝MOSFET芯片，包括底部基島，底部基島上安裝有封裝蓋，封裝蓋與底部基島之間存在封裝空間，封裝空間的內(nèi)部設(shè)置有定位框，封裝蓋上設(shè)置有起到散熱作用的散熱板，定位框內(nèi)填充有導(dǎo)熱層，本技術(shù)通過(guò)封裝蓋與底部基島緊密結(jié)合，形成一個(gè)封閉芯片的封裝空間，在芯片工作時(shí)，芯片產(chǎn)生的熱量傳遞至導(dǎo)熱層，然后再由導(dǎo)熱層傳導(dǎo)至散熱板，散熱板設(shè)置在封裝蓋上作為主要的散熱結(jié)構(gòu)，將導(dǎo)熱層傳導(dǎo)過(guò)來(lái)的熱量進(jìn)一步散發(fā)到環(huán)境中，保持芯片的穩(wěn)定工作溫度。

技術(shù)研發(fā)人員：王趙翔,張汝芹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽積芯微電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240521
技術(shù)公布日：2025/1/2