本技術涉及半導體封裝，具體而言，涉及一種半導體封裝結(jié)構(gòu)及射頻模組。

背景技術：

1、隨著半導體技術的不斷進步，濾波器芯片模組也迎來了快速的發(fā)展機遇，其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)也朝著更高集成度、更小封裝尺寸、更全面的性能方向發(fā)展。濾波器芯片模組的功能性芯片一般包括濾波器芯片和非濾波器芯片，為了迎合高封裝集成度的發(fā)展趨勢，濾波器芯片與非濾波器芯片需要被集成在有限面積的封裝結(jié)構(gòu)中，以實現(xiàn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的輕薄化。其中，以聲表面波濾波器為例，聲表面濾波器的工作原理是聲波在芯片表面?zhèn)鬏?，采用壓電材料的壓電特性，利用輸入與輸出換能器將電波的輸入信號轉(zhuǎn)換成機械能，經(jīng)過處理后，再把機械能轉(zhuǎn)換成電信號以過濾不必要的信號及雜訊，提升收訊品質(zhì)。

2、為保證濾波器芯片具有良好的濾波功能，濾波器芯片的功能區(qū)不能接觸其他物質(zhì)，要保證有足夠的空腔才能正常工作。而其他類型的芯片又需要塑封料進行完全填充，才能保證其可靠性。傳統(tǒng)封裝方法中，大多采用在濾波器芯片和非濾波器芯片的背面整體覆膜，然后注塑塑封料以使塑封料被隔膜阻隔以形成濾波器芯片的空腔結(jié)構(gòu)，且需要塑封料能夠沖破隔膜填充非濾波器芯片區(qū)域。然而，現(xiàn)有這種采用壓力填充的方式很容易出現(xiàn)非濾波器芯片的底部填充不完整的問題而導致產(chǎn)品可靠性大幅降低。

技術實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種半導體封裝結(jié)構(gòu)及射頻模組，該半導體封裝結(jié)構(gòu)及射頻模組能夠改善現(xiàn)有技術中非濾波器芯片底部填充不良的問題，從而提高器件可靠性。

2、本實用新型的實施例是這樣實現(xiàn)的：

3、本實用新型的一方面，提供一種半導體封裝結(jié)構(gòu)，該半導體封裝結(jié)構(gòu)包括基板、間隔設置于基板上的濾波器芯片和非濾波器芯片、設于基板上且位于非濾波器芯片外周的支撐結(jié)構(gòu)、設于基板上的阻隔膜，以及設于阻隔膜背離基板一側(cè)的塑封體；阻隔膜罩設于濾波器芯片、非濾波器芯片和支撐結(jié)構(gòu)上，以使濾波器芯片的功能面與基板之間在阻隔膜的圍合作用下形成第一空腔、非濾波器芯片靠近基板的一面在阻隔膜和基板的圍合作用下形成第二空腔；阻隔膜上設有貫通至少部分支撐結(jié)構(gòu)的第一激光開口，第一激光開口位于非濾波器芯片的外周且與第二空腔連通，塑封體能夠通過第一激光開口填充于第二空腔內(nèi)。該半導體封裝結(jié)構(gòu)能夠改善現(xiàn)有技術中非濾波器芯片底部填充不良的問題，從而提高器件可靠性。

4、可選地，第一激光開口的寬度在50μm至70μm之間；和/或，第一激光開口至非濾波器芯片之間的距離在30μm至80μm之間。

5、可選地，第一激光開口呈環(huán)形設置，且圍設于非濾波器芯片的外周；或者，第一激光開口位于非濾波器芯片的一側(cè)；或者，第一激光開口包括相互連通的第一開口和第二開口，第一開口和第二開口分別位于非濾波器芯片的相鄰兩側(cè)。

6、可選地，支撐結(jié)構(gòu)為環(huán)形擋墻，環(huán)形擋墻圍設于非濾波器芯片的外周。

7、可選地，支撐結(jié)構(gòu)為設于基板上的支撐層，支撐層在基板上的正投影至少位于非濾波器芯片的其中一側(cè)。

8、可選地，支撐結(jié)構(gòu)的高度在15μm至20μm之間。

9、可選地，支撐結(jié)構(gòu)至非濾波器芯片的距離在30μm至80μm之間。

10、可選地，阻隔膜上還設有呈環(huán)形設置的第二激光開口，第二激光開口在基板上的正投影圍設于濾波器芯片、非濾波器芯片和支撐結(jié)構(gòu)的外周，且位于半導體封裝結(jié)構(gòu)的切割道的內(nèi)側(cè)；塑封體在塑封時通過第二激光開口與基板連接。

11、可選地，第二激光開口的寬度大于或等于50μm；和/或，第二激光開口至切割道中心的距離在100μm至125μm之間。

12、本實用新型的另一方面，提供一種射頻模組，該射頻模組包括上述的半導體封裝結(jié)構(gòu)。

13、本實用新型的有益效果包括：

14、本申請?zhí)峁┑陌雽w封裝結(jié)構(gòu)，由于在基板靠近非濾波器芯片的外周設置了支撐結(jié)構(gòu)，且在阻隔膜上形成了能夠貫通至少部分支撐結(jié)構(gòu)的第一激光開口，如此，第一激光開口的設置能夠使得阻隔膜被打開，在塑封體的塑封過程中，有利于塑封體通過第一激光開口進入第二空腔內(nèi)，從而使得塑封體對第二空腔的填充阻力有效減弱，并且有充分的時間排出第二空腔內(nèi)的氣體且灌入塑封體，這樣，有利于塑封體對第二空腔的完全填充，從而提高器件可靠性；另外，本申請通過支撐結(jié)構(gòu)的設置，能夠在第一激光開口的形成過程中，降低激光鐳射對基板的損傷，能夠進一步提高器件的可靠性。

技術特征：

1.一種半導體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板、間隔設置于所述基板上的濾波器芯片和非濾波器芯片、設于所述基板上且位于所述非濾波器芯片外周的支撐結(jié)構(gòu)、設于所述基板上的阻隔膜，以及設于所述阻隔膜背離所述基板一側(cè)的塑封體；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一激光開口的寬度在50μm至70μm之間；

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一激光開口呈環(huán)形設置，且圍設于所述非濾波器芯片的外周；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)為環(huán)形擋墻，所述環(huán)形擋墻圍設于所述非濾波器芯片的外周。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)為設于所述基板上的支撐層，所述支撐層在所述基板上的正投影至少位于所述非濾波器芯片的其中一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)的高度在15μm至20μm之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)至所述非濾波器芯片的距離在30μm至80μm之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻隔膜上還設有呈環(huán)形設置的第二激光開口，所述第二激光開口在所述基板上的正投影圍設于所述濾波器芯片、所述非濾波器芯片和所述支撐結(jié)構(gòu)的外周，且位于所述半導體封裝結(jié)構(gòu)的切割道的內(nèi)側(cè)；所述塑封體在塑封時通過所述第二激光開口與所述基板連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二激光開口的寬度大于或等于50μm；

10.一種射頻模組，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9中任意一項所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)。

技術總結(jié)
一種半導體封裝結(jié)構(gòu)及射頻模組，涉及半導體封裝技術領域。該封裝結(jié)構(gòu)包括基板、濾波器芯片和非濾波器芯片、設于基板上且位于非濾波器芯片外周的支撐結(jié)構(gòu)、設于基板上的阻隔膜和設于阻隔膜背離基板一側(cè)的塑封體；阻隔膜罩設于濾波器芯片、非濾波器芯片和支撐結(jié)構(gòu)上，以使濾波器芯片的功能面與基板之間在阻隔膜的圍合作用下形成第一空腔、非濾波器芯片靠近基板的一面在阻隔膜和基板的圍合作用下形成第二空腔；阻隔膜上設有貫通至少部分支撐結(jié)構(gòu)的第一激光開口，第一激光開口位于非濾波器芯片的外周且與第二空腔連通，塑封體能夠通過第一激光開口填充于第二空腔內(nèi)。該半導體封裝結(jié)構(gòu)能夠改善非濾波器芯片底部填充不良的問題，提高器件可靠性。

技術研發(fā)人員：張乾哲,張超,李奎奎,吳天明,康喜貴,邢鵬,嚴鑫,張玉言
受保護的技術使用者：甬矽半導體（寧波）有限公司
技術研發(fā)日：20240430
技術公布日：2024/12/26