技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于，包括襯底，所述襯底上依次設(shè)有緩沖層、非摻雜gan層、n型gan層、應(yīng)力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層、p型gan層；

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述高勢壘量子壘層的勢壘高度＞所述中勢壘量子壘層的勢壘高度＞所述gan量子壘層的勢壘高度＞所述低勢壘量子壘層的勢壘高度；

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述高勢壘量子壘層的厚度為7.8nm~17nm；

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述高勢壘多量子阱層包括2~5個周期交替層疊的第一ingan層和高勢壘量子壘層；

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第一ingan層的厚度為2.35nm~4.65nm；

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第一gan層的厚度為2.06nm~6.5nm；

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第三gan層的厚度為2.01nm~6.2nm；

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第五gan層的厚度為0.5nm~3.2nm；

9.一種如權(quán)利要求1~8任一項所述的發(fā)光二極管外延片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

10.一種led，其特征在于，所述led包括如權(quán)利要求1~8任一項所述的發(fā)光二極管外延片。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種發(fā)光二極管外延片及其制備方法、LED，所述發(fā)光二極管外延片包括襯底，所述襯底上依次設(shè)有緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、應(yīng)力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層；所述多量子阱層包括依次層疊的高勢壘多量子阱層、中勢壘多量子阱層、低勢壘多量子阱層、低勢壘末多量子阱層。本發(fā)明提供的發(fā)光二極管外延片能夠提高P型半導(dǎo)體材料的空穴注入效率，改善多量子阱層中空穴濃度不足的現(xiàn)象，提高多量子阱層中電子空穴濃度的匹配度，以提高多量子阱層中的輻射復(fù)合效率，并最終實現(xiàn)提高LED器件的亮度和光效。

技術(shù)研發(fā)人員：舒俊,高虹,鄭文杰,張彩霞,劉春楊,胡加輝,金從龍
受保護的技術(shù)使用者：江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2