本技術(shù)涉及電池，特別是涉及一種二次電池及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、二次電池作為電子設(shè)備的電源，是保證電子設(shè)備正常使用的關(guān)鍵。集流體是二次電池中重要的組成部分，其既為活性物質(zhì)層提供支撐，又用于將活性物質(zhì)層產(chǎn)生的電流匯集起來(lái)以便對(duì)外輸出。因此，集流體對(duì)電極極片及電化學(xué)裝置的性能具有重要影響?，F(xiàn)有的二次電池為了減少集流體在機(jī)械損傷時(shí)帶來(lái)的金屬毛刺，通常采用復(fù)合集流體(金屬-高分子-金屬的復(fù)合結(jié)構(gòu))，復(fù)合集流體使用高分子作為力學(xué)性能支撐骨架，從而將金屬層減薄，以減少電芯在機(jī)械損傷時(shí)帶來(lái)的金屬毛刺。復(fù)合集流體的兩個(gè)金屬層需要電連接，一般通過(guò)輥焊進(jìn)行焊接，且需要在焊印處貼保護(hù)膠，當(dāng)二次電池的電極組件的最外層的極片應(yīng)用復(fù)合集流體時(shí)，由于輥焊和貼保護(hù)膠會(huì)額外增加極片的厚度，從而降低二次電池的能量密度。此外，當(dāng)二次電池的電極組件的最外層的極片為單面復(fù)合集流體極片(僅集流體的一表面涂布有活性材料層)時(shí)，冷壓后容易出現(xiàn)彎曲、打卷的問(wèn)題，導(dǎo)致后續(xù)工藝無(wú)法順利進(jìn)行。因此，需要改善上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的目的在于提供一種二次電池及電子設(shè)備，旨在提升二次電池的能量密度的同時(shí)，降低二次電池的極片彎曲、打卷的問(wèn)題。

2、根據(jù)本技術(shù)的第一方面，提供一種二次電池，包括電極組件，電極組件包括隔膜以及若干第一極片和若干第二極片，第一極片和第二極片沿第一方向交替層疊設(shè)置，第二極片與第一極片極性相反，相鄰的第一極片與第二極片之間設(shè)置有隔膜。若干第一極片包括第一雙面極片，沿第一方向，相鄰兩第二極片之間設(shè)置有第一雙面極片，第一雙面極片包括第一集流體和設(shè)置于第一集流體表面的第一活性層，第一集流體包括第一金屬層和第一高分子層，沿第一集流體的厚度方向，第一高分子層的相對(duì)兩表面均設(shè)置有第一金屬層。若干第一極片包括第一單面極片，沿第一方向，電極組件最外層的極片為第一單面極片。第一單面極片包括第二金屬層和第二活性層，第二活性層設(shè)置于第二金屬層朝向第二極片的表面，第二金屬層的厚度為d1，8μm≤d1≤20μm，第一單面極片不包括高分子層。

3、上述技術(shù)方案中，沿第一方向，電極組件最外層的極片為第一單面極片，第一單面極片通過(guò)在第二金屬層朝向第二極片的表面設(shè)置第二活性層，使得第一單面極片無(wú)需輥焊和貼保護(hù)膠，從而降低了第一單面極片的厚度。此外，通過(guò)限定第一單面極片不包括高分子層，區(qū)別于復(fù)合集流體，能夠?qū)⒌诙饘賹拥暮穸炔坏陀?微米(μm)且不高于20微米，使得第二金屬層滿(mǎn)足一定的強(qiáng)度也不會(huì)太厚，在降低第一單面極片彎曲、打卷的問(wèn)題同時(shí)，不會(huì)過(guò)大的降低二次電池的能量密度。

4、在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，第二金屬層包括鋁，9μm≤d1≤20μm；或者，第二金屬層包括銅，8μm≤d1≤20μm。第二金屬層包括鋁時(shí)其厚度不低于9微米，使其滿(mǎn)足一定的強(qiáng)度，擁有較好的防彎曲、打卷的性能。第二金屬層包括銅時(shí)，由于銅的強(qiáng)度較高，因此第二金屬層可以做的更薄，其厚度可以不低于8微米，使其滿(mǎn)足一定的強(qiáng)度，擁有較好的防彎曲、打卷的性能。

5、在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，第二金屬層包括鋁，9μm≤d1≤15μm；或者，第二金屬層包括銅，8μm≤d1≤15μm。第二金屬層包括鋁時(shí)其厚度不高于15微米，使其不會(huì)過(guò)厚，在厚度方向上可以多出多余的空間，使得第二金屬層表面的第二活性層可以設(shè)置的更厚，以提升二次電池的能量密度。第二金屬層包括銅時(shí)其厚度不高于15微米，使其不會(huì)過(guò)厚，使其不會(huì)過(guò)厚，在厚度方向上可以多出多余的空間，使得第二金屬層表面的第二活性層可以設(shè)置的更厚，以提升二次電池的能量密度。

6、在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，第二活性層為正極活性材料層，第二活性層的厚度為d2，30μm≤d2≤70μm；或者，第二活性層為負(fù)極活性材料層，第二活性層的厚度為d2，30μm≤d2≤50μm。第二活性層為正極活性材料層時(shí)其厚度不低于30微米且不高于70微米，使其在滿(mǎn)足可以提供較多的能量的同時(shí)，不會(huì)由于過(guò)厚而產(chǎn)生較大的內(nèi)應(yīng)力，降低第一單面極片彎曲、打卷的可能性。第二活性層為負(fù)極活性材料層時(shí)其厚度不低于30微米且不高于50微米，使其在滿(mǎn)足可以提供較多的能量的同時(shí)，不會(huì)由于過(guò)厚而產(chǎn)生較大的內(nèi)應(yīng)力，降低第一單面極片彎曲、打卷的可能性。

7、在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，沿第二極片的長(zhǎng)度或?qū)挾确较?，第二極片包括依次設(shè)置的第一部分和第二部分。沿第一方向，第一部分與第二活性層重疊。第二部分在第二極片的長(zhǎng)度或?qū)挾确较蛏铣龅诙钚詫拥牟糠?。電極組件包括第一絕緣層，第一絕緣層設(shè)置于第二金屬層朝向第二極片的表面，沿第一方向，第一絕緣層與第二部分至少部分重疊。通過(guò)設(shè)置第二極片的第二部分在長(zhǎng)度或?qū)挾确较蛏铣龅诙钚詫拥牟糠?，可以降低二次電池充電時(shí)第二極片無(wú)法遷移第一單面極片釋放的鋰離子而產(chǎn)生析鋰的可能性。通過(guò)在第二金屬層朝向第二極片的表面設(shè)置第一絕緣層，且第一絕緣層與第二部分至少部分重疊，使得第一絕緣層可以遮擋住部分未設(shè)置第二活性層的第二金屬層，以降低未設(shè)置第二活性層的第二金屬層直接與第二極片的活性層接觸而短路的可能性。

8、在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，沿第一集流體的寬度方向，第一絕緣層的寬度為l1，1.5mm≤l1≤6mm；和/或，沿第一集流體的厚度方向，第一絕緣層的厚度為d3，15μm≤d3≤30μm。第一絕緣層的寬度不低于1.5毫米且不高于6毫米，使其在滿(mǎn)足能夠較好的絕緣未設(shè)置第二活性層的第二金屬層與第二極片的活性層的同時(shí)，不會(huì)過(guò)大的降低二次電池的能量密度。第一絕緣層的厚度不低于15微米且不高于30微米，使其在滿(mǎn)足能夠較好的防止第二金屬層的毛刺刺穿的同時(shí)，不會(huì)過(guò)大的降低二次電池的能量密度。

9、在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，若干第一極片包括第二單面極片，沿第二方向，電極組件最外層的極片為第二單面極片，第二方向?yàn)榕c第一方向相反的方向。第二單面極片包括第三金屬層和第三活性層，第三活性層設(shè)置于第三金屬層朝向第二極片的表面，第三金屬層的厚度為d4，8μm≤d4≤20μm，第二單面極片不包括高分子層。通過(guò)在第二方向上的電極組件最外層的極片設(shè)置為第二單面極片，以降低在第二方向上的電極組件最外層的極片彎曲、打卷的可能性。通過(guò)限定第二單面極片不包括高分子層，區(qū)別于復(fù)合集流體，能夠?qū)⒌谌饘賹拥暮穸炔坏陀?微米且不高于20微米，使得第三金屬層滿(mǎn)足一定的強(qiáng)度也不會(huì)太厚，在降低第二單面極片彎曲、打卷的問(wèn)題同時(shí)，不會(huì)過(guò)大的降低二次電池的能量密度。

10、在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，沿第一集流體的厚度方向，第一集流體的相對(duì)兩表面均設(shè)置有第一活性層，第一集流體的厚度為d5，5μm≤d5≤10μm。通過(guò)在第一集流體的相對(duì)兩表面均設(shè)置第一活性層，使得第一集流體可以承載更多的第一活性層，從而提升二次電池的能量密度。通過(guò)限定第一集流體的厚度不低于5微米且不高于10微米，使得第一集流體在滿(mǎn)足可以承載較多的第一活性層的同時(shí)，不會(huì)過(guò)多的占用空間而降低二次電池的能量密度。

11、在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，第一金屬層包括鋁，7μm≤d5≤9μm；或者，第一金屬層包括銅，5.5μm≤d5≤7.5μm。第二金屬層包括鋁時(shí)第一集流體的厚度不低于7微米且不高于9微米，使得第一集流體在滿(mǎn)足可以承載較多的第一活性層的同時(shí)，不會(huì)過(guò)多的占用空間而降低二次電池的能量密度。第二金屬層包括銅時(shí)，由于銅的強(qiáng)度較高，因此第二金屬層可以做的更薄，使得第一集流體可以做的更薄，第一集流體的厚度不低于5.5微米且不高于7.5微米，使得第一集流體在滿(mǎn)足可以承載較多的第一活性層的同時(shí)，不會(huì)過(guò)多的占用空間而降低二次電池的能量密度。

12、在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，第二極片包括第四活性層和第二集流體，沿第二集流體的厚度方向，第二集流體的相對(duì)兩表面均設(shè)置有第四活性層。第二集流體包括第四金屬層和第二高分子層，沿第二集流體的厚度方向，第二高分子層的相對(duì)兩表面均設(shè)置有第四金屬層，第二集流體的厚度為d6，5μm≤d6≤10μm。通過(guò)在第二極片的第二集流體的相對(duì)兩表面均設(shè)置第四活性層，使得第二集流體可以承載更多的第四活性層，從而提升二次電池的能量密度。通過(guò)限定第二集流體的厚度不低于5微米且不高于10微米，使得第二集流體在滿(mǎn)足可以承載較多的第四活性層的同時(shí)，不會(huì)過(guò)多的占用空間而降低二次電池的能量密度。

13、在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，第四金屬層包括鋁，7μm≤d6≤9μm；或者，第四金屬層包括銅，5.5μm≤d6≤7.5μm。第四金屬層包括鋁時(shí)第二集流體的厚度不低于7微米且不高于9微米，使得第二集流體在滿(mǎn)足可以承載較多的第四活性層的同時(shí)，不會(huì)過(guò)多的占用空間而降低二次電池的能量密度。第四金屬層包括銅時(shí)，由于銅的強(qiáng)度較高，因此第二金屬層可以做的更薄，使得第二集流體可以做的更薄，第二集流體的厚度不低于5.5微米且不高于7.5微米，使得第二集流體在滿(mǎn)足可以承載較多的第四活性層的同時(shí)，不會(huì)過(guò)多的占用空間而降低二次電池的能量密度。

14、第二方面，本技術(shù)還提出了一種電子設(shè)備，包括如上述第一方面任一實(shí)施例的二次電池。

15、本技術(shù)實(shí)施例的額外層面及優(yōu)點(diǎn)將部分地在后續(xù)說(shuō)明中描述、顯示、或是經(jīng)由本技術(shù)實(shí)施例的實(shí)施而闡釋。

16、本技術(shù)發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，二次電池最外層的極片采用單面極片可以提升二次電池的能量密度，由于常規(guī)金屬箔材的強(qiáng)度高于復(fù)合集流體，最外層單面極片采用一定厚度的金屬箔材作為集流體可以降低其冷壓后出現(xiàn)彎曲、打卷的可能性，且單層金屬層的集流體無(wú)需輥焊，因此無(wú)需貼保護(hù)膠保護(hù)焊印，可以降低最外層單面極片的厚度，從而提升二次電池的能量密度。