本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造，尤其是涉及硅片吸雜前表面處理工藝。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造過程中，硅片表面的潔凈度直接影響到器件的性能和良品率；硅片吸雜是指在半導(dǎo)體制造過程中去除硅片表面或近表面區(qū)域的雜質(zhì)、缺陷或污染物的過程。吸雜技術(shù)的目標(biāo)是提高硅片的潔凈度，確保后續(xù)工藝，如沉積、光刻、蝕刻等能夠順利進(jìn)行，從而提高成品質(zhì)量和產(chǎn)量；硅片吸雜產(chǎn)業(yè)化主要采用鏈?zhǔn)轿s，由于工藝時(shí)間短，溫度可快速調(diào)控，且可以實(shí)現(xiàn)快速降溫，是目前電池吸雜的一種重要途徑。

2、而為了提升吸雜后的硅片潔凈度，現(xiàn)有技術(shù)中一般通過洗去硅片表面雜質(zhì)，但現(xiàn)有技術(shù)中的處理工藝僅能夠去除硅片表面的硅粉、油污等，未能對(duì)損傷層內(nèi)雜質(zhì)進(jìn)行更好的去除，不利于后續(xù)的吸雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┕杵s前表面處理工藝。

2、硅片吸雜前表面處理工藝，包括如下步驟：

3、步驟一：將硅片浸泡在sc清洗液中去除有機(jī)物，取出后使用去離子水沖洗干凈；

4、步驟二：將硅片置于兆聲波清洗槽中，使用兆聲波清洗設(shè)備在去離子水中清洗硅片，取出后使用去離子水沖洗干凈；

5、步驟四：將硅片浸入將硅片浸入氫氧化鉀腐蝕液中；

6、步驟五：使用氮?dú)獯祾哐b置對(duì)硅片進(jìn)行干燥。

7、作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，在步驟二和步驟四之間，還包括：

8、步驟三：將硅片置于等離子體清洗設(shè)備中進(jìn)行處理，取出后使用去離子水沖洗干凈。

9、作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，在步驟一中，所述sc清洗液包括氫氧化銨、過氧化氫以及去離子水，所述sc清洗液中氫氧化銨、過氧化氫以及去離子水的質(zhì)量比為1:1:5。

10、作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，在步驟一中，硅片的浸泡時(shí)間為5-10min，浸泡溫度為70-80℃。

11、作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，在步驟二中，兆聲波清洗設(shè)備的頻率為1-2mhz，硅片的清洗時(shí)間為3-5min。

12、作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，在步驟三中，等離子體源為氧氣或氬氣。

13、作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，在步驟三中，等離子體清洗設(shè)備功率為200-300w，處理時(shí)間為2-3min。

14、作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，在步驟四中，所述氫氧化鉀腐蝕液的濃度為1％-2％。

15、作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，在步驟四中，硅片的處理溫度為60℃-80℃，處理時(shí)間為2-5min。

16、作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，在步驟四中，硅片的腐蝕深度為1-2μm。

17、綜上所述，本發(fā)明包括以下至少一種有益技術(shù)效果：

18、本申請(qǐng)通過在硅片的吸雜前處理中增加氫氧化鉀腐蝕處理，利用氫氧化鉀腐蝕液對(duì)去除有機(jī)物后的硅片進(jìn)行腐蝕處理，能夠去除硅片中的損傷層，更加的有利于吸雜，并能夠提升制作成的電池性能中的轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)特征：

1.硅片吸雜前表面處理工藝，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片吸雜前表面處理工藝，其特征在于，在步驟二和步驟四之間，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片吸雜前表面處理工藝，其特征在于：在步驟一中，所述sc清洗液包括氫氧化銨、過氧化氫以及去離子水，所述sc清洗液中氫氧化銨、過氧化氫以及去離子水的質(zhì)量比為1:1:5。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片吸雜前表面處理工藝，其特征在于：在步驟一中，硅片的浸泡時(shí)間為5-10min，浸泡溫度為70-80℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片吸雜前表面處理工藝，其特征在于：在步驟二中，兆聲波清洗設(shè)備的頻率為1-2mhz，硅片的清洗時(shí)間為3-5min。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片吸雜前表面處理工藝，其特征在于：在步驟三中，等離子體源為氧氣或氬氣。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片吸雜前表面處理工藝，其特征在于，在步驟三中，等離子體清洗設(shè)備功率為200-300w，處理時(shí)間為2-3min。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片吸雜前表面處理工藝，其特征在于：在步驟四中，所述氫氧化鉀腐蝕液的濃度為1％-2％。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片吸雜前表面處理工藝，其特征在于：在步驟四中，硅片的處理溫度為60℃-80℃，處理時(shí)間為2-5min。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片吸雜前表面處理工藝，其特征在于：在步驟四中，硅片的腐蝕深度為1-2μm。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了硅片吸雜前表面處理工藝，包括如下步驟：步驟一：將硅片浸泡在SC清洗液中去除有機(jī)物，取出后使用去離子水沖洗干凈；步驟二：將硅片置于兆聲波清洗槽中，使用兆聲波清洗設(shè)備在去離子水中清洗硅片，取出后使用去離子水沖洗干凈；步驟四：將硅片浸入將硅片浸入氫氧化鉀腐蝕液中；步驟五：使用氮?dú)獯祾哐b置對(duì)硅片進(jìn)行干燥。本發(fā)明在硅片的吸雜前處理中增加氫氧化鉀腐蝕處理，利用氫氧化鉀腐蝕液對(duì)去除有機(jī)物后的硅片進(jìn)行腐蝕處理，能夠去除硅片中的損傷層，更加的有利于吸雜，并能夠提升制作成的電池性能中的轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：楊潔,潘旭,周鋒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鴻暉新能源（安徽）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9