本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體加工，尤其涉及一種刻蝕托盤和刻蝕夾具。

背景技術(shù)：

1、圖形化藍寶石襯底(pss)的制造由2次圖形轉(zhuǎn)移組成，黃光工序在藍寶石平片表面形成異質(zhì)膠柱，刻蝕工序以異質(zhì)膠柱為掩膜體、去除多余部分藍寶石并形成同質(zhì)圖形?？涛g工序中，為兼顧效率與工藝，一般采取由托盤、蓋板和密封圈等構(gòu)成的刻蝕夾具，中間裝載多片覆有異質(zhì)膠柱的藍寶石晶片，送入刻蝕工藝腔室中進行作業(yè)。

2、在刻蝕夾具的使用過程中，晶片和托盤之間會發(fā)生摩擦，導(dǎo)致托盤存在損耗，刻蝕物質(zhì)可能加重托盤的損耗，影響托盤的使用壽命，從而影響制程穩(wěn)定性；且由于托盤為高價值耗材，托盤的損耗還會造成制造成本的增加。同時還存在不同位置晶片刻蝕程度不同的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種刻蝕托盤和刻蝕夾具，以提升刻蝕托盤的使用壽命，保證刻蝕工藝制程穩(wěn)定性，降低制造成本，提升刻蝕均一性。

2、第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種刻蝕托盤，用于承載晶片；刻蝕托盤包括支撐板和位于支撐板一側(cè)的多個凸臺，晶片裝載至凸臺背離支撐板的一側(cè)；支撐板與凸臺之間通過連接件固定，至少部分凸臺與支撐板之間存在第一間隙；

3、多個凸臺包括第一凸臺和第二凸臺，在支撐板所在平面的延伸方向上，第一凸臺與支撐板中心的距離和第二凸臺與支撐板中心的距離不同；在支撐板厚度方向，第一凸臺朝向支撐板的一側(cè)表面與支撐板之間具有第一間距，第二凸臺朝向支撐板的一側(cè)表面與支撐板之間具有第二間距，第一間距和第二間距不同。

4、第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種刻蝕夾具，包括蓋板、密封圈以及本發(fā)明任意實施例提供的刻蝕托盤。

5、本發(fā)明實施例中，通過將刻蝕托盤設(shè)計分支撐板和凸臺獨立設(shè)置的分體結(jié)構(gòu)，在凸臺出現(xiàn)磨損后，可單獨修復(fù)或更換凸臺，無需更換支撐板，從而可提升刻蝕托盤的使用壽命，降低制造成本。通過差異化不同位置凸臺與支撐板之間的間距，可實現(xiàn)不同區(qū)域晶片刻蝕效率的調(diào)整，從而改善因刻蝕等離子體密度不均勻造成的刻蝕不均的問題，提升同一刻蝕托盤內(nèi)晶片的刻蝕程度一致性。

技術(shù)特征：

1.一種刻蝕托盤，其特征在于，用于承載晶片；所述刻蝕托盤包括支撐板和位于所述支撐板一側(cè)的多個凸臺，所述晶片裝載至所述凸臺背離所述支撐板的一側(cè)；所述支撐板與所述凸臺之間通過連接件固定，至少部分所述凸臺與所述支撐板之間存在第一間隙；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕托盤，其特征在于，在所述支撐板所在平面的延伸方向上，所述第一凸臺與所述支撐板中心的距離大于所述第二凸臺與所述支撐板中心的距離；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕托盤，其特征在于，所述凸臺包括沿所述支撐板厚度方向?qū)盈B的主體部和硬化層，所述硬化層位于所述主體部背離所述支撐板的一側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的刻蝕托盤，其特征在于，所述第一凸臺包括第一硬化層，所述第二凸臺包括第二硬化層；所述第一硬化層和所述第二硬化層的厚度不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的刻蝕托盤，其特征在于，在所述支撐板所在平面的延伸方向上，所述第一凸臺與所述支撐板中心的距離大于所述第二凸臺與所述支撐板中心的距離；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕托盤，其特征在于，所述凸臺包括沿所述支撐板厚度方向相對設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第二表面位于所述第一表面和所述支撐板之間；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的刻蝕托盤，其特征在于，當(dāng)所述第一表面包括所述第一位置和所述第二位置時，所述第一表面呈弧形凸起，所述第二表面為平面；

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的刻蝕托盤，其特征在于，當(dāng)所述第二表面包括所述第三位置和所述第四位置時，所述凸臺與所述支撐板之間電隔離。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕托盤，其特征在于，所述刻蝕托盤與蓋板配合將所述晶片固定，所述蓋板和所述凸臺位于所述支撐板的同一側(cè)；所述蓋板包括開孔，所述開孔與所述凸臺對應(yīng)；所述開孔的邊緣包括壓爪，所述壓爪用于壓緊所述晶片的邊緣；所述晶片裝載至所述刻蝕托盤后，所述開孔側(cè)壁與所述晶片之間存在第二間隙；

10.一種刻蝕夾具，其特征在于，包括蓋板、密封圈以及如權(quán)利要求1-9任一項所述的刻蝕托盤。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種刻蝕托盤和刻蝕夾具?？涛g托盤包括支撐板和位于支撐板一側(cè)的多個凸臺，晶片裝載至凸臺背離支撐板的一側(cè)；支撐板與凸臺之間通過連接件固定，至少部分凸臺與支撐板之間存在第一間隙；多個凸臺包括第一凸臺和第二凸臺，在支撐板所在平面的延伸方向上，第一凸臺與支撐板中心的距離和第二凸臺與支撐板中心的距離不同；在支撐板厚度方向，第一凸臺朝向支撐板的一側(cè)表面與支撐板之間具有第一間距，第二凸臺朝向支撐板的一側(cè)表面與支撐板之間具有第二間距，第一間距和第二間距不同。通過上述方案，可提升刻蝕托盤的使用壽命，保證刻蝕工藝制程穩(wěn)定性，降低制造成本；另外還可實現(xiàn)不同區(qū)域晶片刻蝕效率的調(diào)整，提升刻蝕一致性。

技術(shù)研發(fā)人員：羅凱,王子榮,康凱,王農(nóng)華
受保護的技術(shù)使用者：廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9