本公開實(shí)施例涉及太陽能，特別是涉及一種太陽能電池及其制備方法和光伏組件。

背景技術(shù)：

1、太陽電池將太陽能轉(zhuǎn)換為可被直接利用的電能，太陽電池的轉(zhuǎn)化效率決定了太陽能被利用的效率，提升太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率一直是太陽電池研究的重點(diǎn)，載流子的寄生吸收是影響太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率的重要因素。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開實(shí)施例提供了一種太陽能電池及其制備方法和光伏組件，可以優(yōu)化太陽能電池的鈍化效果，減低太陽能電池的寄生吸收，提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

2、一種太陽能電池，包括：

3、基底，包括鄰接的金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)；

4、第一隧穿層，位于所述基底的第一表面，并覆蓋所述金屬接觸區(qū)和所述非金屬接觸區(qū)；

5、第一摻雜層，位于所述第一隧穿層遠(yuǎn)離所述基底的表面，并覆蓋所述金屬接觸區(qū)和所述非金屬接觸區(qū)，所述第一摻雜層包含碳元素和/或氮元素；

6、第二隧穿層，位于所述第一摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面，并覆蓋所述金屬接觸區(qū)；

7、第二摻雜層，位于所述第二隧穿層遠(yuǎn)離所述基底的表面，并覆蓋所述金屬接觸區(qū)；

8、其中，所述第二摻雜層中第一導(dǎo)電類型的摻雜元素的摻雜濃度大于所述第一摻雜層中第一導(dǎo)電類型的摻雜元素的摻雜濃度。

9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，太陽能電池還包括：

10、透明導(dǎo)電層，位于所述第二摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面上，至少覆蓋所述金屬接觸區(qū)；

11、第一電極，位于所述透明導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述基底的表面，并與所述透明導(dǎo)電層鄰接，所述第一電極在所述基底上的正投影位于所述金屬接觸區(qū)。

12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，太陽能電池還包括：

13、界面層，位于所述第二摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面，并覆蓋所述金屬接觸區(qū)；

14、其中，所述界面層的相背表面分別與所述第二摻雜層和所述透明導(dǎo)電層鄰接。

15、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電類型為n型，所述太陽能電池還包括：

16、本征鈍化層，位于所述基底的第二表面，并覆蓋所述金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)，所述第二表面與所述第一表面相背設(shè)置；

17、第三摻雜層，位于所述本征鈍化層遠(yuǎn)離所述基底的表面，并覆蓋所述金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)；

18、其中，所述第三摻雜層的材料包括p型微晶硅和/或p型非晶硅。

19、一種太陽能電池的制備方法，包括：

20、提供基底，所述基底包括鄰接的金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)；

21、于所述基底的第一表面形成第一隧穿層，所述第一隧穿層覆蓋所述金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)；

22、于所述第一隧穿層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成第一摻雜層，所述第一摻雜層包含碳元素和/或氮元素，并覆蓋所述金屬接觸區(qū)和所述非金屬接觸區(qū)；

23、于所述第一摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面依次形成第二隧穿層和第二摻雜層，所述第二隧穿層和所述第二摻雜層均覆蓋所述金屬接觸區(qū)；

24、其中，所述第二摻雜層中第一導(dǎo)電類型的摻雜元素的摻雜濃度大于所述第一摻雜層中第一導(dǎo)電類型的摻雜元素的摻雜濃度。

25、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述于所述第一摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面依次形成第二隧穿層和第二摻雜層，包括：

26、于所述第一摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面依次形成第二隧穿材料層和第二摻雜材料層，所述第二隧穿材料層和所述第二摻雜材料層均覆蓋所述金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)；

27、對所述金屬接觸區(qū)的所述第二摻雜材料層的表層進(jìn)行激光氧化處理，形成覆蓋所述金屬接觸區(qū)的摻雜氧化層；

28、以所述摻雜氧化層為掩膜，去除所述非金屬接觸區(qū)的所述第二摻雜材料層，形成由所述金屬接觸區(qū)的所述第二摻雜材料層構(gòu)成的所述第二摻雜層；

29、去除非金屬接觸區(qū)的所述第二隧穿材料層，形成由所述金屬接觸區(qū)的所述第二隧穿材料層構(gòu)成的所述第二隧穿層。

30、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述太陽能電池的制備方法還包括：

31、于所述第二摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面上形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層至少覆蓋所述金屬接觸區(qū)；

32、于所述透明導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成第一電極，所述第一電極與所述透明導(dǎo)電層鄰接，所述第一電極在所述基底上的正投影位于所述金屬接觸區(qū)。

33、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述于所述第二摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成透明導(dǎo)電層之前，太陽能電池的制備方法還包括：

34、于所述第二摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成界面層，所述界面層覆蓋所述金屬接觸區(qū)；

35、其中，所述界面層的相背表面分別與所述第二摻雜層和所述透明導(dǎo)電層鄰接。

36、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電類型為n型，所述太陽能電池的制備方法還包括：

37、于所述基底的第二表面形成本征鈍化層，所述本征鈍化層覆蓋所述金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)，所述第二表面與所述第一表面相背設(shè)置；

38、于所述本征鈍化層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成第三摻雜層，所述第三摻雜層覆蓋所述金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)；

39、其中，所述第三摻雜層的材料包括p型微晶硅和/或p型非晶硅。

40、一種光伏組件，包括若干如上述的太陽能電池，和/或包括若干采用上述的太陽能電池的制備方法制成的太陽能電池。

41、上述太陽能電池中，包含碳元素和/或氮元素的第一摻雜層覆蓋金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)，提高了基底第一表面的鈍化效果，增加了光學(xué)帶隙，減少了第一表面的寄生吸收，提高了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。在第一摻雜層上，且摻雜濃度大于第一摻雜層的第二摻雜層覆蓋金屬接觸區(qū)，降低了太陽能電池中的串聯(lián)電阻，提高了太陽能電池的性能。

42、上述太陽能電池的制備方法中，在第一表面形成的包含碳元素和/或氮元素的第一摻雜層覆蓋金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)，提高了基底第一表面的鈍化效果，增加了光學(xué)帶隙，減少了第一表面的寄生吸收，提高了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。在第一摻雜層上，且摻雜濃度大于第一摻雜層的第二摻雜層覆蓋金屬接觸區(qū)，降低了太陽能電池中的串聯(lián)電阻，提高了太陽能電池的性能。

技術(shù)特征：

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，太陽能電池還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，太陽能電池還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，?所述第一導(dǎo)電類型為n型，所述太陽能電池還包括：

5.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述于所述第一摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面依次形成第二隧穿層和第二摻雜層，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述太陽能電池的制備方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述于所述第二摻雜層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成透明導(dǎo)電層之前，太陽能電池的制備方法還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為n型，所述太陽能電池的制備方法還包括：

10.一種光伏組件，其特征在于，包括若干如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的太陽能電池，和/或包括若干采用權(quán)利要求5-9任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制備方法制成的太陽能電池。

技術(shù)總結(jié)
本公開實(shí)施例涉及一種太陽能電池及其制備方法和光伏組件。太陽能電池包括：基底，包括鄰接的金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)；第一隧穿層位于基底的第一表面，并覆蓋金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)；第一摻雜層位于第一隧穿層遠(yuǎn)離基底的表面，并覆蓋金屬接觸區(qū)和非金屬接觸區(qū)，第一摻雜層包含碳元素和/或氮元素；第二隧穿層位于第一摻雜層遠(yuǎn)離基底的表面，并覆蓋金屬接觸區(qū)；第二摻雜層位于第二隧穿層遠(yuǎn)離基底的表面，并覆蓋金屬接觸區(qū)；其中，第二摻雜層中第一導(dǎo)電類型的摻雜元素的摻雜濃度大于第一摻雜層中第一導(dǎo)電類型的摻雜元素的摻雜濃度。提高了基底第一表面的鈍化效果，減少了第一表面的寄生吸收，提高了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：余坷,王子港,楊廣濤,陳達(dá)明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天合光能股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23