本公開涉及太陽能電池，尤其涉及一種太陽能電池的制備方法以及太陽能電池、光伏組件。

背景技術(shù)：

1、晶硅太陽能電池因需要防止正背面導(dǎo)通導(dǎo)致漏電，因此在經(jīng)過物理氣相沉積(physical?vapor?deposition，pvd)工藝的時(shí)候需要進(jìn)行掩膜，掩膜寬度為0.75mm或更寬。這一部分面積因沒有tco(transparent?conductive?oxides，透明導(dǎo)電氧化物)覆蓋，其光生電子和空穴不能被收集，這會(huì)導(dǎo)致晶硅太陽能電池效率損失。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開提供了一種太陽能電池的制備方法以及太陽能電池、光伏組件，以至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上技術(shù)問題。

2、根據(jù)本公開的第一方面，提供了一種太陽能電池的制備方法，所述方法包括：

3、s1：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括相對(duì)設(shè)置的正面和背面；

4、s2：在所述半導(dǎo)體襯底的正面、背面和側(cè)面均沉積一層本征非晶硅層；

5、s3：在所述本征非晶硅層上沉積非晶硅摻雜層；

6、s4：在所述非晶硅摻雜層上沉積tco層；

7、s5：在所述tco層的正面和背面上沉積油墨層；

8、s6：以所述油墨層為掩膜保護(hù)層，使用濕法刻蝕工藝去除位于所述半導(dǎo)體襯底側(cè)面的tco層；

9、s7：在所述tco層上制備柵線。

10、在一可實(shí)施方式中，在s6步驟中，所述濕法刻蝕工藝為酸法刻蝕工藝，濕法刻蝕工藝的溶液包括hno3、hcl、h2so4、hf中的一種或多種。

11、在一可實(shí)施方式中，在s6步驟之后，在s6步驟之后，所述方法還包括：采用濕法刻蝕工藝去除正背面的所述油墨層。

12、在一可實(shí)施方式中，在采用濕法刻蝕工藝去除正背面的所述油墨層時(shí)，所述濕法刻蝕工藝為堿法刻蝕工藝，所述濕法刻蝕工藝的溶液包括naoh、koh，k2co3等堿性物質(zhì)中的一種或多種。

13、在一可實(shí)施方式中，所述油墨層的厚度范圍為5～20μm。

14、在一可實(shí)施方式中，所述油墨層具有感光特性。

15、在一可實(shí)施方式中，所述油墨層的材料包括感光膠。

16、在一可實(shí)施方式中，在s2步驟之前，所述方法還包括：對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行預(yù)清洗，并對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行吸雜。

17、根據(jù)本公開的第二方面，提供了一種太陽能電池，采用上述實(shí)施例中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制備方法制備形成。

18、根據(jù)本公開的第三方面，提供了一種光伏組件，其特征在于，包括如上述實(shí)施例中所述的太陽能電池。

19、本公開的太陽能電池的制備方法以及太陽能電池、光伏組件，通過在tco層的正面和背面上沉積形成油墨層，以油墨層為掩膜保護(hù)正背面tco，使用濕法刻蝕去除半導(dǎo)體襯底側(cè)面的tco層，后續(xù)再將半導(dǎo)體正背面的油墨層去除，從而不需要在半導(dǎo)體襯底的表面形成掩膜區(qū)域來防止正背面導(dǎo)通，如此，太陽能電池能夠完全收集光生電子和空穴，提高太陽能電池的光轉(zhuǎn)換效率。

20、應(yīng)當(dāng)理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標(biāo)識(shí)本公開的實(shí)施例的關(guān)鍵或重要特征，也不用于限制本公開的范圍。本公開的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。

技術(shù)特征：

1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在s6步驟中，所述濕法刻蝕工藝為酸法刻蝕工藝，濕法刻蝕工藝的溶液包括hno3、hcl、h2so4、hf中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在s6步驟之后，所述方法還包括：采用濕法刻蝕工藝去除正背面的所述油墨層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在采用濕法刻蝕工藝去除正背面的所述油墨層時(shí)，所述濕法刻蝕工藝為堿法刻蝕工藝，所述濕法刻蝕工藝的溶液包括naoh、koh，k2co3等堿性物質(zhì)中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

9.一種太陽能電池，其特征在于，采用上述權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制備方法制備形成。

10.一種光伏組件，其特征在于，包括如權(quán)利要求9中所述的太陽能電池。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種太陽能電池的制備方法以及太陽能電池、光伏組件，其中，所述太陽能電池的制備方法包括：S1：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括相對(duì)設(shè)置的正面和背面；S2：在所述半導(dǎo)體襯底的正面、背面和側(cè)面均沉積一層本征非晶硅層；S3：在所述本征非晶硅層上沉積非晶硅摻雜層；S4：在所述非晶硅摻雜層上沉積TCO層；S5：在所述TCO層的正面和背面上沉積油墨層；S6：以所述油墨層為掩膜保護(hù)層，使用濕法刻蝕工藝去除位于所述半導(dǎo)體襯底側(cè)面的TCO層；S7：在所述TCO層上制備柵線。

技術(shù)研發(fā)人員：程成,楊伯川,劉霖,任明沖,胡玉婷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東方日升新能源股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26