本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體裝置，更具體地，涉及包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體裝置可以包括集成電路，該集成電路包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)。隨著半導(dǎo)體裝置的尺寸和設(shè)計(jì)規(guī)則逐漸減小，mosfet的尺寸也逐漸按比例縮小。mosfet的按比例縮小可能使半導(dǎo)體裝置的工作特性劣化。因此，已經(jīng)進(jìn)行了各種研究來(lái)開發(fā)制造具有優(yōu)越性能的半導(dǎo)體裝置的方法，同時(shí)克服了由半導(dǎo)體裝置的高集成度所引起的限制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例提供具有改善的電特性和增加的可靠性的半導(dǎo)體裝置。

2、本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例提供了制造具有改善的電特性和增加的可靠性的半導(dǎo)體裝置的方法。

3、本發(fā)明構(gòu)思的目的不限于上述，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員從以下描述將清楚地理解以上未提及的其它目的。

4、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可以包括：襯底，其包括有源圖案；溝道圖案，其位于所述有源圖案上；源極/漏極圖案，其電連接到所述溝道圖案；柵電極，其位于所述溝道圖案上；層間介電層，其位于所述柵電極上，其中所述層間介電層包括凹部；過(guò)孔件，其位于所述層間介電層的所述凹部中；布線線路，其位于所述層間介電層上并電連接到所述過(guò)孔件；以及粘附層，其位于所述布線線路與所述層間介電層的上表面之間，其中，所述過(guò)孔件的上表面在第一方向上比所述層間介電層的上表面更靠近所述襯底，其中，所述第一方向垂直于所述襯底的上表面，并且其中，所述粘附層的一部分位于所述凹部的內(nèi)側(cè)壁的一部分上。

5、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可以包括：襯底，其包括有源圖案；器件隔離層，其與所述有源圖案相鄰；溝道圖案，其位于所述有源圖案上，其中，所述溝道圖案包括在第一方向上彼此堆疊并且間隔開的多個(gè)半導(dǎo)體圖案，并且其中所述第一方向垂直于所述襯底的上表面；源極/漏極圖案，其電連接到所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案；柵電極，其圍繞所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案延伸；有源接觸件，其電連接到所述源極/漏極圖案；柵極接觸件，其電連接到所述柵電極；層間介電層，其位于所述有源接觸件和所述柵極接觸件上，其中，所述層間介電層包括凹部；過(guò)孔件，其位于所述層間介電層的所述凹部中，并且電連接到所述有源接觸件或所述柵極接觸件；多條布線線路，其位于所述層間介電層上；以及粘附層，其位于所述層間介電層與所述多條布線線路之間，其中所述多條布線線路中的一條電連接至所述過(guò)孔件，并且其中，所述粘附層從所述層間介電層的上表面延伸到所述凹部的內(nèi)側(cè)壁的一部分。

6、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，制造半導(dǎo)體裝置的方法可以包括：在襯底上形成層間介電層；圖案化所述層間介電層以形成凹部；在所述凹部中形成過(guò)孔件；形成粘附層，所述黏附層位于的凹部的內(nèi)側(cè)壁的一部分上以及層間介電層的上表面上，其中所述粘附層暴露所述過(guò)孔件的上表面；在所述粘附層和所述過(guò)孔件的上表面上形成布線層；以及圖案化所述布線層以形成多條布線線路，其中，在第一方向上，所述過(guò)孔件的上表面相對(duì)于所述襯底的上表面低于所述層間介電層的上表面，并且其中，所述第一方向垂直于所述襯底的上表面。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述布線線路包括線部分和從所述線部分沿所述第一方向延伸的突出部分，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述布線線路的所述突出部分與所述過(guò)孔件的上表面接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述過(guò)孔件的上表面具有朝向所述布線線路凸出的形狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述過(guò)孔件的上表面的至少一部分通過(guò)所述粘附層暴露于所述布線線路。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述粘附層具有與所述布線線路的一個(gè)側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)的側(cè)壁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述過(guò)孔件電連接到所述源極/漏極圖案或所述柵電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述布線線路包括釕(ru)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括位于所述源極/漏極圖案與所述過(guò)孔件之間或位于所述柵電極與所述過(guò)孔件之間的接觸件，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述溝道圖案包括在所述第一方向上彼此間隔開并且堆疊的多個(gè)半導(dǎo)體圖案，

11.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在所述第一方向上，所述過(guò)孔件的上表面相對(duì)于所述襯底的上表面低于所述層間介電層的上表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多條布線線路中的每一條包括線部分和在所述第一方向上從所述線部分延伸的突出部分，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述過(guò)孔件和所述多條布線線路中的一條彼此一體地連接。

15.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，在形成所述粘附層之前，所述方法還包括在所述過(guò)孔件上形成沉積防止層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述沉積防止層包括十八烷基膦酸(odpa)和/或1-十六烷硫醇。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述過(guò)孔件包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述過(guò)孔件包括使用選擇性區(qū)域生長(zhǎng)。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述多條布線線路包括圖案化所述粘附層。

技術(shù)總結(jié)
公開了半導(dǎo)體裝置及其制造方法。半導(dǎo)體裝置包括：包括有源圖案的襯底；有源圖案上的溝道圖案；源極/漏極圖案，其電連接到溝道圖案；溝道圖案上的柵電極；柵電極上的層間介電層，其中層間介電層包括凹部；凹部中的過(guò)孔件；布線線路，其在層間介電層上并電連接到過(guò)孔件；以及布線線路和層間介電層的上表面之間的粘附層，其中過(guò)孔件的上表面在第一方向上比層間介電層的上表面更靠近襯底，其中第一方向垂直于襯底的上表面，并且其中粘附層的一部分在凹部的內(nèi)側(cè)壁的一部分上。

技術(shù)研發(fā)人員：李宣姃,安商熏,柳東坤,李將銀,黃楨元
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23