本發(fā)明的示例的實施方式涉及蝕刻方法和等離子體處理裝置。

背景技術：

1、在電子器件的制造中，為了在膜上形成凹部，有時對膜進行等離子體蝕刻。為了形成這樣的凹部，在蝕刻對象膜上形成掩模。作為掩模，已知有抗蝕劑掩模?？刮g劑掩模會在蝕刻對象膜的等離子體蝕刻中消耗。因此，一直使用硬掩模。作為硬掩模，如專利文獻1所記載的那樣，已知有一種由硅化鎢(wsi)形成的硬掩模。

2、現(xiàn)有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2007-294836號公報。

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術問題

2、本發(fā)明提供一種能夠在抑制形狀異常的同時對膜進行蝕刻的技術。

3、用于解決技術問題的技術手段

4、在一個示例性實施方式中，蝕刻方法包括：工序a，提供基片，所述基片包括第一膜和在所述第一膜上具有開口的第二膜，所述第一膜包含金屬元素和非金屬元素；工序b，在與所述開口對應地形成于所述第一膜的凹部的側壁上形成保護膜；和工序c，與所述工序b同時或在所述工序b之后，利用從包含含鹵素氣體的處理氣體生成的等離子體，經(jīng)由所述開口對所述第一膜進行蝕刻。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)一個示例性實施方式，提供一種能夠在抑制形狀異常的同時對膜進行蝕刻的技術。

技術特征：

1.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

3.根據(jù)權利要求2所述的蝕刻方法，其特征在于：

4.根據(jù)權利要求2或3所述的蝕刻方法，其特征在于：

5.根據(jù)權利要求2或3所述的蝕刻方法，其特征在于：

6.根據(jù)權利要求2或3所述的蝕刻方法，其特征在于：

7.根據(jù)權利要求2或3所述的蝕刻方法，其特征在于：

8.根據(jù)權利要求2或3所述的蝕刻方法，其特征在于：

9.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

10.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

11.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

12.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

13.根據(jù)權利要求12所述的蝕刻方法，其特征在于：

14.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

15.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

16.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

17.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，還包括：

18.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，還包括：

19.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

20.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

21.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：

22.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：

23.根據(jù)權利要求22所述的蝕刻方法，其特征在于：

技術總結
蝕刻方法包括：工序a，提供基片，基片包括第一膜和在第一膜上具有開口的第二膜，第一膜包含金屬元素和非金屬元素；工序b，在與開口對應地形成于第一膜的凹部的側壁上形成保護膜；和工序c，與工序b同時或在工序b之后，利用從包含含鹵素氣體的處理氣體生成的等離子體，經(jīng)由開口對第一膜進行蝕刻。

技術研發(fā)人員：熊倉翔,木村壯一郎,世小弓,小田島暢洋,真崎祐次,岳本昇,小林真,山崎翔太
受保護的技術使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/2