本申請涉及無線充電，特別是涉及一種無線充電線圈。

背景技術(shù)：

1、隨著科技的進(jìn)步，無線充電線圈不斷朝向輕、薄、小的方向發(fā)展，由于電子產(chǎn)品的性能不斷提高，其運(yùn)行溫度也隨之升高，對無線充電線圈的散熱要求也越來越高。

2、在現(xiàn)有技術(shù)中，一般無線充電線圈是由隔磁片和線圈組成，由于線圈無法自動散熱，無線充電線圈在充電的過程中只能依靠自然散熱，或者在隔磁片的背面加硅膠墊，把熱導(dǎo)出去，不僅會增加無線充電線圈的厚度，也無法達(dá)到更好的散熱效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┝艘环N無線充電線圈，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的無線充電線圈在充電的過程中無法自動散熱，無法達(dá)到更好的散熱效果的問題。

2、本申請?zhí)岢鲆环N無線充電線圈，包括：

3、隔磁片，包括隔磁本體和散熱層，所述散熱層一體設(shè)置在所述隔磁本體的一側(cè)；

4、線圈本體，設(shè)置在所述隔磁本體遠(yuǎn)離所述散熱層的一側(cè)，所述線圈本體包括勵磁線和磁包線，所述勵磁線環(huán)繞設(shè)置在所述隔磁片上，且所述磁包線包絡(luò)設(shè)置在所述勵磁線的外側(cè)。

5、可選地，所述散熱層包括樹脂分散體、固化劑、陶瓷紅外輻射材料粉末和導(dǎo)熱輔料粉末，所述固化劑、所述陶瓷紅外輻射材料粉末和所述導(dǎo)熱輔料粉末均分布于所述樹脂分散體中。

6、可選地，所述隔磁片的中心設(shè)置有第一通孔，所述勵磁線環(huán)繞所述第一通孔設(shè)置。

7、可選地，所述無線充電線圈的厚度范圍為0.08-0.11mm。

8、可選地，所述磁包線包括第二樹脂、氧化硒、石墨烯、金屬粉；

9、所述氧化硒、所述石墨烯、所述金屬粉均分布于所述第二樹脂中。

10、可選地，所述金屬粉包括銀粉、銅粉和不銹鋼粉；

11、所述銀粉、所述銅粉和所述不銹鋼粉均分布于所述第二樹脂中；

12、其中，所述銀粉的粒徑小于50mil。

13、可選地，所述第二樹脂包括丙烯酸、聚氨酯、酚醛、環(huán)氧中的任意一種或者多種。

14、可選地，所述第二樹脂的比例為20％-50％。

15、可選地，所述隔磁本體包括金屬氧化物、鐵基非晶合金粉末和固化劑；

16、所述金屬氧化物、所述鐵基非晶合金粉末均分布于所述固化劑中。

17、可選地，所述金屬氧化物包括氧化鐵、氧化鈷和氧化鎳；

18、所述氧化鐵、所述氧化鈷、所述氧化鎳、所述鐵基非晶合金粉末均分布于所述固化劑中。

19、本申請的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請通過設(shè)置隔磁片，隔磁片能夠很好的減少降低損耗；其次，本申請通過設(shè)置隔磁片包括隔磁本體和散熱層，散熱層一體設(shè)置在隔磁本體遠(yuǎn)離線圈本體的一側(cè)，將線圈本體進(jìn)行充電時，散熱層能夠很好的進(jìn)行散熱，加強(qiáng)散熱效果；另外，本申請通過將線圈本體設(shè)置在隔磁本體遠(yuǎn)離散熱層的一側(cè)，設(shè)置線圈本體包括勵磁線和磁包線，將勵磁線環(huán)繞設(shè)置在隔磁片上，并將磁包線包絡(luò)設(shè)置在勵磁線的外側(cè)，勵磁線給予磁包線一定的支撐力，磁包線包絡(luò)設(shè)置在勵磁線的外側(cè)，以形成不同阻值的電感。

20、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，而非限制本申請。

技術(shù)特征：

1.一種無線充電線圈，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線充電線圈，其特征在于，所述隔磁片的中心設(shè)置有第一通孔，所述勵磁線環(huán)繞所述第一通孔設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線充電線圈，其特征在于，所述無線充電線圈的厚度范圍為0.08-0.11mm。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種無線充電線圈，包括：隔磁片，包括隔磁本體和散熱層，所述散熱層一體設(shè)置在所述隔磁本體的一側(cè)；線圈本體，設(shè)置在所述隔磁本體遠(yuǎn)離所述散熱層的一側(cè)，所述線圈本體包括勵磁線和磁包線，所述勵磁線環(huán)繞設(shè)置在所述隔磁片上，且所述磁包線包絡(luò)設(shè)置在所述勵磁線的外側(cè)。本申請通過將散熱層一體設(shè)置在隔磁本體遠(yuǎn)離線圈本體的一側(cè)，將線圈本體進(jìn)行充電時，散熱層能夠很好的進(jìn)行散熱，加強(qiáng)散熱效果。

技術(shù)研發(fā)人員：謝金庚,唐以彬,葉凌宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳明芯新材料技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231229
技術(shù)公布日：2025/1/6